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1. 发明授权

KR102031294B1 액체 플라즈마 연속 코팅장치 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102031294B1
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：KR1020180002268
申请日：2018-01-08
申请人： 한국기초과학지원연구원
发明人： 홍용철 , 김강일 , 허진영
IPC分类号： C23C18/00 , B05D1/00 , B05C21/00 , B05D3/04 , B01J35/00

2. 发明授权

KR101806413B1 막 증착장치 및 이를 이용한 열전소자 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101806413B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020140130567
申请日：2014-09-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박치성 , 박철희 , 고경문 , 김동환 , 김태훈 , 이대기 , 이재기 , 전신희
IPC分类号： H01L35/34 , C23C16/448 , C23C18/00
摘要： 에어로졸증착을이용해선택적증착이필요한열전소자를제조할수 있는막 증착장치및 이를이용한열전소자제조방법을제공한다. 본발명에따른막 증착장치는, 타깃을지지한상태로이동할수 있는스테이지가구비된프로세스챔버, 상기프로세스챔버와연통결합되어진공을형성하는진공펌프, 분말이수용되는에어로졸발생기, 캐리어가스가저장되는캐리어가스저장용기, 상기캐리어가스저장용기와상기에어로졸발생기내부를연통시켜상기캐리어가스가상기에어로졸발생기내부로유입되도록하는캐리어가스공급관, 상기캐리어가스와혼합된상기분말로이루어지는에어로졸을상기프로세스챔버내부로안내하는에어로졸이송관, 상기에어로졸이송관일단에구비되어상기에어로졸을상기타깃에분사하는노즐, 및상기노즐과타깃사이에배치되는선택적증착용차폐물을포함한다.

3. 发明授权

KR101709758B1 스패터 비용착형 용접토치 제조방법 有权
标题翻译：焊枪的制造方法
公开(公告)号：KR101709758B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150112717
申请日：2015-08-10
申请人： (주)동화웰딩 , 민정현
发明人： 민정현 , 오인록
IPC分类号： B23K9/26 , B23K9/32 , C23C24/00 , C23C18/00
摘要： 본발명은용접팁또는노즐등을포함하는용접토치선단물의표면에코팅층이형성된스패터비용착형용접토치에관한것으로서, 보다상세하면용접토치의용접와이어인출부분인용접팁또는인슐레이터에체결된상태로상기용접팁의외부에위치되는노즐등을포함하는용접토치선단물의표면에비용착코팅물이코팅되어, 용접시에발생되는용접불똥인스패터(Spatter)가용접토치선단물에용착되지않도록하는스패터비용착용용접토치및 상기용접팁의제조방법에관한것이다. 또한본 발명은용접팁및 노즐을포함하는용접토치선단물을구성하는금속재질보다용융점이더 높은비용착코팅물에의하여용접토치선단물의표면이코팅되어용접시에용접토치선단물에가해지는용접열에의하여용접토치선단물이가열되는것을줄여주어용접팁의확장으로인한중공확장을방지하는효과를얻을수 있고; 그결과용접팁및 노즐을포함하는용접토치선단물의교체주기를연장시켜작업성을향상시키고, 경제성을향상시키는효과를얻을수 있다.

4. 发明授权

KR101696598B1 박테리아를 이용하는 금속의 표면처리 방법 有权
标题翻译：使用细菌表面处理金属的方法
公开(公告)号：KR101696598B1
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：KR1020150169377
申请日：2015-11-30
申请人： 영남대학교 산학협력단
发明人： 고태조 , 김민엽 , 아궁샴수딘사라기
IPC分类号： C23F4/00 , C23F1/16 , C23F1/18 , C23C18/00 , C23C18/12 , C12N1/20
CPC分类号： C23G1/103 , C23G1/081
摘要： 본발명은박테리아를이용하는금속의표면처리방법에관한것으로, 더욱상세하게는표층에가공변질층이형성된금속을금속-산화박테리아가배양된배양액에침지시켜상기금속-산화박테리아가금속의가공변질층을선택적으로산화및 침출제거시켜미세가공함으로써, 금속모재의손상을최소화하여금속의가공변질층을효과적으로제거할수 있으며, 더불어상기금속의표면을일부코팅하는단계를더 포함함으로써크기및 모양이다양한미세패턴을생성시킬수 있는금속의표면처리방법에관한것이다.

5. 发明授权

KR101693334B1 컬러강판의 티타늄 코팅 방법 및 시스템 有权
标题翻译：彩钢板钛涂层方法及系统
公开(公告)号：KR101693334B1
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020150165641
申请日：2015-11-25
申请人： 주식회사 로뎀
发明人： 남용수
IPC分类号： C23C18/00 , C23C18/04 , C23C18/08 , C23C18/12 , C23C18/16
摘要： 본발명은컬러강판의외표면에이산화티타늄광촉매코팅층을형성함으로써제품의내구성을크게향상시킴과동시에높은생산성을달성할수 있게한 컬러강판의티타늄코팅방법및 시스템에관한것이다. 본발명은컬러강판을연속공급하는강판공급단계(S10)와, 컬러강판의표면을탈지하는표면수세단계(S20)와, 컬러강판의표면을건조하는롤러건조단계(S30)와, 컬러강판을고온으로가열하는고온가열단계(S40)와, 컬러강판의외표면에코팅층을형성하는코팅형성단계(S50)와, 코팅층이형성된컬러강판의표면을세정하는표면세정단계(S60)와, 표면세정된컬러강판을급속냉각하는급속수냉단계(S70)와, 급속수냉된컬러강판을건조하는공냉건조단계(S80)와, 상기공냉건조된컬러강판을권취하는제품권취단계(S90)를포함하는컬러강판의티타늄코팅방법과상기컬러강판의티타늄코팅방법을컬러강판에적용하기위한시스템으로구성한다. 본발명에따르면, 컬러강판의외표면에견고하고균일한이산화티타늄광촉매코팅층을형성함으로써내구성과내식성이크게향상된컬러강판의제조가가능케되고, 고품질의컬러강판생산성향상효과와제조원가절감효과를얻을수 있는이점도있다.

6. 发明授权

KR101662980B1 산화 인듐을 함유하는 층의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101662980B1
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：KR1020167020825
申请日：2010-08-13
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 스타이거,위르겐 , 팜,두이부 , 팀,하이코 , 머쿨로브,알렉시 , 호페,아르네
IPC分类号： C23C18/12 , C23C18/00
CPC分类号： C23C18/1216 , C23C18/1258
摘要： 본발명은비수성용액으로부터산화인듐을함유하는층을제조하기위한액상방법에관한것이다. 상기방법에서, 화학식 MO(OR)[O(R'O)H]X[R"OH](식중, x = 3 - 25, y = 1 - 10, z = 3 - 50, a = 0 - 25, b = 0 - 20, c = 0 - 1, d = 0 - 25, M = In, R, R', R" = 유기기, X = F, Cl, Br, I)의적어도 1종의인듐옥소-알콕시드, 및적어도 1종의용매를함유하는무수조성물을기재에적용하고, 임의로건조시키고, 산화인듐을함유하는층으로전환시킨다. 본발명은또한본 발명의방법을이용하여제조될수 있는층 및그의용도에관한것이다.

7. 发明公开

KR1020160088348A 미세 구조체, 다층 배선 기판, 반도체 패키지 및 미세 구조체의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：微结构，多层接线板，半导体封装和微结构制造方法
公开(公告)号：KR1020160088348A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：KR1020167015931
申请日：2015-01-19
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 야마시타코스케
IPC分类号： H01L21/50 , H05K3/36 , H05K1/14 , C23C18/00
CPC分类号： H01L23/49838 , C23C18/00 , C23C18/1653 , C23C18/54 , C25D3/00 , C25D3/38 , C25D5/48 , C25D11/045 , C25D11/08 , C25D11/12 , C25D11/16 , C25D11/20 , C25F3/20 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/115 , H05K1/144 , H05K3/368 , H05K3/4038 , H05K3/4611 , H05K2201/042 , H05K2201/10378 , H05K2203/0315 , H01L21/50
摘要： 본발명은, 미세한도통로를담보하면서, 절연성기재의절연내압을향상시킬수 있는미세구조체, 다층배선기판, 반도체패키지및 미세구조체의제조방법을제공하는것을과제로한다. 본발명의미세구조체는, 복수의관통공을갖는절연성기재와, 복수의관통공의내부에충전된금속을함유하는도전성재료로이루어지는도통로를갖는미세구조체로서, 복수의관통공의평균개구직경이 5nm~500nm이고, 서로인접하는관통공간을연결하는최단거리의평균값이 10nm~300nm이며, 미세구조체의전체질량에대한함수율이 0.005% 이하인미세구조체이다.

8. 发明公开

KR1020160037670A 막 증착장치 및 이를 이용한 열전소자 제조방법 有权
标题翻译：用于膜沉积的装置及使用其制备热电偶装置的方法
公开(公告)号：KR1020160037670A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：KR1020140130567
申请日：2014-09-29
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박치성 , 박철희 , 고경문 , 김동환 , 김태훈 , 이대기 , 이재기 , 전신희
IPC分类号： H01L35/34 , C23C16/448 , C23C18/00
CPC分类号： H01L35/34 , C23C16/4486 , C23C18/00
摘要： 에어로졸증착을이용해선택적증착이필요한열전소자를제조할수 있는막 증착장치및 이를이용한열전소자제조방법을제공한다. 본발명에따른막 증착장치는, 타깃을지지한상태로이동할수 있는스테이지가구비된프로세스챔버, 상기프로세스챔버와연통결합되어진공을형성하는진공펌프, 분말이수용되는에어로졸발생기, 캐리어가스가저장되는캐리어가스저장용기, 상기캐리어가스저장용기와상기에어로졸발생기내부를연통시켜상기캐리어가스가상기에어로졸발생기내부로유입되도록하는캐리어가스공급관, 상기캐리어가스와혼합된상기분말로이루어지는에어로졸을상기프로세스챔버내부로안내하는에어로졸이송관, 상기에어로졸이송관일단에구비되어상기에어로졸을상기타깃에분사하는노즐, 및상기노즐과타깃사이에배치되는선택적증착용차폐물을포함한다.
摘要翻译：提供了能够制造需要选择性沉积，使用气溶胶沉积的热电装置的薄膜沉积装置以及使用其的制造热电装置的方法。根据本发明的成膜装置包括：处理室，包括在支撑靶的状态下转移靶的台阶; 真空泵，其与处理室连接并组合，并形成真空条件; 容纳粉末的气溶胶室; 储存载气的载气容器; 载气供给管，其将所述载气容器与所述气溶胶室的内部连接，以将所述载气引入所述气溶胶室的内部; 气溶胶输送管，其将包括与载气混合的粉末的气溶胶引导到处理室的内部; 喷嘴，设置在气溶胶输送管的一端，并将气溶胶喷射到目标上; 以及插入在喷嘴和靶之间的选择性沉积阻挡单元。

9. 发明授权

KR101596476B1 페라이트 부착체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：粉末包覆体及其生产方法
公开(公告)号：KR101596476B1
公开(公告)日：2016-02-22
申请号：KR1020117006568
申请日：2009-07-29
申请人： 가부시키가이샤 토킨
发明人： 콘도,코이치 , 오노,히로시 , 누마타,유키히로
IPC分类号： C23C18/00 , C01G49/00 , H01F41/24 , H05K9/00
CPC分类号： H01F41/24 , C01G49/0018 , C23C18/12 , C23C18/1216 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
摘要： 본발명은, 기체(3)와그 기체(3)에부착된페라이트막을구비하는페라이트부착체를제조하는제조방법을제공한다. 이제조방법은, 기체(3)의이면측에 100㎛이상의스페이스를둔 상태로기체(3)를지지하고, 적어도제1철이온을포함하는반응액과적어도산화제를포함하는산화액을반응액노즐(1) 및산화액노즐(2)로부터기체(3)의표면측으로공급하고, 반응액과상기산화액에대하여중력이외에기인하는 2∼150m/s의가속도를가한다.

10. 发明公开

KR1020120104333A 컨덕터 온 컨덕터 코어 쉘 입자를 포함하는 전압 절환형 절연물질 无效
标题翻译：含导通导体芯片的电压可切换电介质材料颗粒
公开(公告)号：KR1020120104333A
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：KR1020127018154
申请日：2010-12-15
申请人： 쇼킹 테크놀로지스 인코포레이티드
发明人： 코소우스키렉스 , 플레밍로버트 , 우준준 , 사라프프라그냐 , 랑가나탄탄가마니
IPC分类号： H01B3/18 , H01B1/22 , C23C18/00
CPC分类号： H01C7/108 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01B1/24 , H01L2924/00013 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01046 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H05K1/0257 , H05K1/0259 , H05K1/0373 , H05K2201/0218 , H05K2201/0738 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599
摘要： VSD 물질을 위한 컨덕터 온 컨덕터 코어 쉘 입자 구성요소를 형성하기 위하여, 각각이 도전 코어 및 도전 쉘을 포함하는 코어 셀 입자의 집단을 구비하는 전압 절환형 절연(VSD) 물질의 조성이 개시된다.

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