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    • 1. 发明公开
    • 고온 중성자 조사 손상에 강한 엔트로피 제어 BCC 합금
    • BCC BCC合金具有抗高温中性辐射损伤的强电阻
    • KR1020160130660A
    • 2016-11-14
    • KR1020150062736
    • 2015-05-04
    • 한국과학기술연구원서울대학교산학협력단
    • 박은수오현석김일환장혜정
    • C22C30/00C22C1/02
    • C22C30/00B22F3/105B22F3/15B22F2003/1051C22C1/02C22C1/026C22C1/04C22C1/0416C22C1/045C22C1/0458C22C14/00C22C16/00C22C21/00C22C27/02C22C27/025C22C27/04C22C27/06G21C1/02G21C3/07G21C11/083G21C13/08Y02E30/34
    • 본발명은고온중성자조사손상에강한엔트로피제어고용체기지 BCC 합금에관한것으로서, 중성자흡수단면적및 혼합엔탈피를기준으로선택된 Zr, Al, Nb, Mo, Cr, V 및 Ti 로이루어진원소군에서선택된 3개이상의다성분주원소로구성되고, 상기각 원소가 5~35at% 범위로포함되어중간엔트로피상태내지고 엔트로피상태인 BCC 구조고용체기지합금인것을특징으로한다. 본발명은, 중성자흡수단면적이작은원소들로구성되어중성자조사에의한손상이적고, 엔트로피조절을통해느린확산속도를가진고용체기지 BCC 구조를유지하여방사선에의한보이드스웰링에대한저항이높은장점이있다. 또한, 본발명의고온중성자조사손상에강한엔트로피제어고용체기지합금은중간엔트로피내지고 엔트로피상태의합금을구성하여고온에서도 BCC 상을안정적으로유지할뿐만아니라, 엔트로피가제어된고용체기지상태를통해서고온경도와연성을동시에증가시킬수 있는효과가있다. 이와같은특성으로인해본 발명의 BCC 구조고용체기지합금은현재개발이한창진행중인미래형 4세대원자로의상대적으로높은가동온도범위와가혹한중성자노출환경의복합극한환경에대응가능하도록하여에너지효율이높은미래형차세대원자로개발에필수소재로활용될수 있다.
    • 公开了一种对高温中子辐射损伤具有很强抵抗力的熵控制固溶体矩阵BCC合金。 熵控制固溶体矩阵BCC合金包括三种或更多种选自基于中子吸收截面积选择的由Zr,Al,Nb,Mo,Cr,V和Ti组成的元素组的多组分主要元素和混合 焓。 每个元素的含量为5〜35原子%,熵控制固溶体BCC合金是中熵至高熵态的BCC结构固溶体基质合金。 在本发明中,减少了由中子辐射引起的损伤,并且控制熵,从而确保了具有缓慢扩散速度的固溶体矩阵BCC结构,因此,由于放射线而对空隙膨胀的抵抗性高。
    • 2. 发明授权
    • 고온 중성자 조사 손상에 강한 엔트로피 제어 BCC 합금
    • BCC BCC合金具有抗高温中性辐射损伤的强电阻
    • KR101708763B1
    • 2017-03-08
    • KR1020150062736
    • 2015-05-04
    • 한국과학기술연구원서울대학교산학협력단
    • 박은수오현석김일환장혜정
    • C22C30/00C22C1/02
    • C22C30/00B22F3/105B22F3/15B22F2003/1051C22C1/02C22C1/026C22C1/04C22C1/0416C22C1/045C22C1/0458C22C14/00C22C16/00C22C21/00C22C27/02C22C27/025C22C27/04C22C27/06G21C1/02G21C3/07G21C11/083G21C13/08Y02E30/34
    • 본발명은고온중성자조사손상에강한엔트로피제어고용체기지 BCC 합금에관한것으로서, 중성자흡수단면적및 혼합엔탈피를기준으로선택된 Zr, Al, Nb, Mo, Cr, V 및 Ti 로이루어진원소군에서선택된 3개이상의다성분주원소로구성되고, 상기각 원소가 5~35at% 범위로포함되어중간엔트로피상태내지고 엔트로피상태인 BCC 구조고용체기지합금인것을특징으로한다. 본발명은, 중성자흡수단면적이작은원소들로구성되어중성자조사에의한손상이적고, 엔트로피조절을통해느린확산속도를가진고용체기지 BCC 구조를유지하여방사선에의한보이드스웰링에대한저항이높은장점이있다. 또한, 본발명의고온중성자조사손상에강한엔트로피제어고용체기지합금은중간엔트로피내지고 엔트로피상태의합금을구성하여고온에서도 BCC 상을안정적으로유지할뿐만아니라, 엔트로피가제어된고용체기지상태를통해서고온경도와연성을동시에증가시킬수 있는효과가있다. 이와같은특성으로인해본 발명의 BCC 구조고용체기지합금은현재개발이한창진행중인미래형 4세대원자로의상대적으로높은가동온도범위와가혹한중성자노출환경의복합극한환경에대응가능하도록하여에너지효율이높은미래형차세대원자로개발에필수소재로활용될수 있다.
    • 公开了一种对高温中子辐射损伤具有很强抵抗力的熵控制固溶体矩阵BCC合金。 熵控制固溶体矩阵BCC合金包括三种或更多种选自基于中子吸收截面积选择的由Zr,Al,Nb,Mo,Cr,V和Ti组成的元素组的多组分主要元素和混合 焓。 每个元素的含量为5〜35原子%,熵控制固溶体BCC合金是中熵至高熵态的BCC结构固溶体基质合金。 在本发明中,减少了由中子辐射引起的损伤,并且控制熵,从而确保了具有缓慢扩散速度的固溶体矩阵BCC结构,因此,由于放射线而对空隙膨胀的抵抗性高。
    • 8. 发明公开
    • 고생산성, 고면역원성, 및 무병원성 인플루엔자 바이러스 제작용 재조합 발현 벡터
    • 用于制备高产,高免疫和流行性流感病毒的重组表达载体及其用途
    • KR1020130051799A
    • 2013-05-21
    • KR1020110117152
    • 2011-11-10
    • 서울대학교산학협력단
    • 권혁준김재홍김일환
    • C12N7/04C12N15/33C12N7/01A61K39/145
    • PURPOSE: A recombinant expression vector for preparing high productivity, high immunogenecity, and pathogenicity-free influenza virus is provided to obtain recombinant PR8 virus with excellent immunogenecity. CONSTITUTION: A composition for attenuating H1N1 avian influenza virus contains a polynucleotide encoding NS protein of low pathogenic avian influenza virus as an active ingredient. The NS protein is NS1 protein or NS2 protein encoded from NS gene. The NS protein contains one or more among 60th amino acid(G), 70th amino acid(F), 71th amino acid(K), 87th amino acid(T), 119th amino acid(I), 127th amino acid(T), 137th amino acid(G), 151th amino acid(T), 137th amino acid(T), 139th amino acid(G), 151th amino acid(S), 189th amino acid(N), 220th amino acid(Q), and 227th amino acid(G). NS2 protein is 31th amino acid(isoleucine), 63th amino acid(arginine), 31th amino acid(isoleucine), and 63th amino acid(arginine). [Reference numerals] (AA) Insert into pHW2000-BsmBI
    • 目的:提供用于制备高生产力,高免疫原性和无致病性流感病毒的重组表达载体,以获得具有优异免疫原性的重组PR8病毒。 构成:用于减毒H1N1禽流感病毒的组合物含有编码低致病性禽流感病毒NS蛋白的多核苷酸作为活性成分。 NS蛋白是从NS基因编码的NS1蛋白或NS2蛋白。 NS蛋白含有第60位氨基酸(G),第70位氨基酸(F),第71位氨基酸(K),第87位氨基酸(T),第119位氨基酸(I),第127位氨基酸(T), 第137位氨基酸(G),第151位氨基酸(T),第137位氨基酸(T),第139位氨基酸(G),第151位氨基酸(S),第189位氨基酸(N),第220位氨基酸(Q) 第227位氨基酸(G)。 NS2蛋白是第31位氨基酸(异亮氨酸),第63位氨基酸(精氨酸),第31位氨基酸(异亮氨酸)和第63位氨基酸(精氨酸)。 (标号)(AA)插入pHW2000-BsmBI
    • 9. 发明公开
    • 비아 패턴 구조물 형성 방법 및 비아 패턴 구조물의 저항 측정 방법
    • 通过模式结构形成方法和通过模式结构测量电阻的方法
    • KR1020100062071A
    • 2010-06-10
    • KR1020080120495
    • 2008-12-01
    • 서울대학교산학협력단
    • 전국진김일환
    • H01L21/027
    • H01L24/27H01L24/28
    • PURPOSE: A method of forming a via pattern structure and a method of measuring the resistance of the via pattern structure are provided to obtain the uniformity in thickness of a copper seed film by forming a copper seed film only on a bottom of a via contact patter using a first carrier wafer formed with a copper seed film. CONSTITUTION: A contact pattern(210) is formed on the top of a substrate(100). A first carrier wafer(400) formed with a copper seed film(420) is prepared. The substrate and the first carrier wafer are welded. A via contact pattern is formed by etching the lower part of the substrate. A via pattern is formed by filling the inside of the via contact pattern with copper. A first conductive line pattern covering a via pattern is formed on the substrate.
    • 目的:提供形成通孔图案结构的方法和测量通孔图案结构的电阻的方法,以通过仅在通孔接触图案的底部形成铜籽晶膜来获得铜种子膜的厚度均匀性 使用形成有铜种子膜的第一载体晶片。 构成:在衬底(100)的顶部上形成接触图案(210)。 制备形成有铜种子膜(420)的第一载体晶片(400)。 焊接衬底和第一载体晶片。 通过蚀刻基板的下部形成通孔接触图案。 通过用铜填充通孔接触图案的内部形成通孔图案。 在衬底上形成覆盖通孔图案的第一导电线图形。