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1. 发明授权

KR101717321B1 몰드 제작용 블랭크 및 몰드의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101717321B1
公开(公告)日：2017-03-27
申请号：KR1020130054821
申请日：2013-05-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 후까야,소우이찌 , 나까가와,히데오 , 사사모또,고우헤이
IPC分类号： B29C33/38 , G03F7/11
CPC分类号： B29C33/3842 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C15/00 , C03C17/00 , C03C17/23 , C03C17/3665 , C04B35/047 , C04B35/105 , C04B35/12 , C04B35/56 , C04B35/58 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F7/0002
摘要： 본발명은, 크롬계재료를포함하는하드마스크막의하드마스크기능을담보하면서, 해당하드마스크막의드라이에칭속도를높임으로써에칭가공성을향상시킬수 있는신규의기술을제공하는것이다.기판(1) 상에설치되는하드마스크막(2)은주석을함유하는크롬계재료로성막되어있다. 하드마스크막(2)을구성하는주석을함유하는크롬계재료는, 불소계드라이에칭조건에대한에칭내성이주석을함유하지않은크롬계재료막의에칭내성과동등내지는그 이상인한편, 염소계드라이에칭조건에서는주석을함유하지않은크롬계재료막에비해유의하게높은에칭속도를나타낸다. 그결과, 염소계드라이에칭시간이단축되어레지스트패턴에대한손상이경감되어, 고정밀도로패턴전사할수 있다.

2. 发明授权

KR101682749B1 정전척 有权
标题翻译：静电卡
公开(公告)号：KR101682749B1
公开(公告)日：2016-12-05
申请号：KR1020137012717
申请日：2011-10-11
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 아이카와겐이치로 , 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/6833 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3865 , C04B2235/3869 , C04B2235/5445 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C23C14/3414
摘要： 정전척(1A∼1F)은, 반도체를흡착하는흡착면(11a)을갖는서셉터(11A∼11F)와, 이서셉터내에매설되어있는정전척전극(4)을구비한다. 서셉터가판형본체부(3)와, 흡착면에면하는표면내식층(2)을구비한다. 표면내식층(2)이마그네슘, 알루미늄, 산소및 질소를주성분으로하는세라믹스재료로서, 산화마그네슘에질화알루미늄이고용된 MgO-AlN 고용체의결정상을주상으로하는세라믹스재료로이루어진다.
摘要翻译：根据本发明的陶瓷材料主要含有镁，铝，氧和氮，陶瓷材料具有其中氮化铝溶解在氧化镁中的MgO-AlN固溶体的结晶相，该晶相作为主要相。优选地，对应于用CuKalpha辐射测量的MgO-AlN固溶体的（200）和（220）面的XRD峰分别出现在2θ= 42.9°至44.8°和62.3°至65.2°，XRD峰位于立方氧化镁和立方氮化铝的峰。更优选地，对应于（111）面的XRD峰出现在2θ= 36.9〜39°，XRD峰位于立方氧化镁的峰和立方氮化铝的峰之间。

3. 发明授权

KR101597882B1 가열 장치 有权
公开(公告)号：KR101597882B1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：KR1020137008953
申请日：2011-10-11
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 곤도노부유키 , 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
摘要： 가열장치(1A)는, 반도체(W)를가열하는가열면(9a)을갖는서셉터(9A)와, 가열면(9a)의외측에설치되어있는링 형상부(6A)를구비한다. 링형상부(6A)가마그네슘, 알루미늄, 산소및 질소를주성분으로하는세라믹스재료로이루어지고, 이세라믹스재료는, CuKα선을이용했을때의 XRD 피크가적어도 2θ=47˚∼50˚에나타나는마그네슘-알루미늄산질화물상을주상으로한다.

4. 发明公开

KR1020160005748A 다중층 광학 필름을 갖는 저-색상 스크래치-저항 제품 有权
标题翻译：具有多层光学膜的低颜色耐刮擦物品
公开(公告)号：KR1020160005748A
公开(公告)日：2016-01-15
申请号：KR1020157034640
申请日：2014-05-06
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 벨만,로버트아란 , 하트,샨던디 , 코츠,칼윌리암Ⅲ , 파울슨,찰스앤드류 , 프라이스,제임스조셉
IPC分类号： G02B1/113 , G02B1/10 , C04B35/58 , C04B35/597 , G02B1/11 , G02B1/115
CPC分类号： C04B35/597 , C03C17/3435 , C03C2217/734 , C03C2217/78 , C04B35/58 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/11 , G02B1/113 , G02B1/115 , G02B1/14 , Y10T428/24942 , Y10T428/249921 , Y10T428/265
摘要： 본개시의구체예는스크래치-저항성및 향상된광학특성을나타내는제품과관련된다. 일부실시예에서, 상기제품은광원하에수직입사로부터약 0 도내지약 60 도범위의입사조사각에서보일때, 약 2 이하의색상변화를나타낸다. 하나이상의구체예에서, 상기제품은기판, 및상기기판에배치된광학필름을포함한다. 상기광학필름은스크래치-저항층및 광학간섭층을포함한다. 상기광학간섭층은다른굴절률을나타내는하나이상의서브-층을포함할수 있다. 일실시예에서, 상기광학간섭층은제1 낮은굴절률서브-층및 제2 높은굴절률서브-층을포함한다. 일부경우에서, 상기광학간섭층은제3 서브-층을포함할수 있다.

5. 发明公开

KR1020150088182A 사이알론 소결체 및 절삭 인서트 有权
标题翻译： SIALON烧结体和切割插件
公开(公告)号：KR1020150088182A
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：KR1020147027635
申请日：2013-12-27
申请人： 니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤
发明人： 도요다료지 , 기카와후미히로
IPC分类号： C04B35/599 , C04B35/58 , B23B27/14
CPC分类号： C04B35/597 , B24D18/0009 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/767 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B35/591 , B23B27/14 , C04B35/58
摘要： 본발명은, 내결손성, 내 VB 마모성및 내경계마모성을갖는사이알론소결체및 절삭인서트를제공하는것을과제로한다. β-사이알론 (SiAlON) 과, 12H-사이알론, 15R-사이알론및 21R-사이알론의적어도 1 종의폴리타입사이알론을함유하고, Z 값이 0.4 이상 1.0 이하이고, X 선회절분석에의한각 사이알론의피크강도의합계에대한폴리타입사이알론의피크강도의합계의비율이 10 % 이상 50 % 이하이고, La 및 Ce 의적어도 1 종의희토류 B 와, Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Er, Yb 및 Lu 의적어도 1 종의희토류 C 를함유하고, 희토류 B 와희토류 C 의몰비는산화물환산으로 1.0:0.06 ∼ 1.0:3.5 이고, 희토류 B 및희토류 C 의함유량은산화물환산으로 0.8 몰% 이상 4.0 몰% 이하인사이알론소결체및 절삭인서트.
摘要翻译：本发明提供一种赛隆烧结体和具有耐断裂性，VB耐磨性和边界耐磨性的切削刀片。赛隆烧结体包括二硫素（S 16-Z Al z O z N 8-Z）和至少一种选自由12H-赛隆，15R-赛隆和21R-赛隆组成的组的多型赛隆，其中Z值为0.4以上且1.0以下，通过X射线衍射分析获得的各聚合型赛隆的峰强度的合计与各赛隆的峰值强度的总和的比例为10％以上和50％以下，所述赛隆烧结体包括至少一种选自La和Ce的稀土元素B和至少一种选自Y，Nd，Sm，Eu， Gd，Dy，Er，Yb和Lu中，稀土元素B和稀土元素C的摩尔比以氧化物计为1.0:0.0〜1.0:3.5，稀土元素B的总含量稀土元素C的氧化物为0.8摩尔％以上且4.0摩尔％以下。

6. 发明公开

KR1020130141605A 질화갈륨 소결체 또는 질화갈륨 성형물 및 그들의 제조방법 审中-实审
标题翻译：氮化硅烧结体或氮化铝成型品及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130141605A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020137015888
申请日：2011-12-20
申请人： 토소가부시키가이샤
发明人： 메스다마사미 , 마츠마루케이타로 , 타카하시코야타 , 키쿠치료 , 시부타미테츠오
IPC分类号： C04B35/58 , C04B41/88 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/58 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B37/026 , C04B41/009 , C04B41/515 , C04B41/88 , C04B2235/3286 , C04B2235/465 , C04B2235/5409 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6586 , C04B2235/662 , C04B2235/723 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2237/12 , C04B2237/36 , C04B2237/407 , C22C29/16 , Y10T428/249921 , C04B41/4521 , C04B41/4523
摘要： 특수한 장치를 이용하는 일 없이, 고밀도이고 저산소량의 질화갈륨 소결체 또는 질화갈륨 성형체를 제공한다. 제1형태에 따르면, 밀도가 2.5g/㎤ 이상 5.0g/㎤ 미만이며, X선 회절 측정에 의한 질화갈륨의 (002)면의 피크에 대한 산화갈륨의 (002)면의 피크 강도비가 3% 미만인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 소결체를 얻을 수 있다. 제2형태에 따르면, 별도의 상으로서 존재하는 질화갈륨 상 및 금속 갈륨 상을 포함하고, Ga/(Ga+N)의 몰비가 55% 이상 80% 이하인 것을 특징으로 하는, 금속 갈륨 침투 질화갈륨 성형물이 얻어진다.

7. 发明公开

KR1020130128340A 몰드 제작용 블랭크 및 몰드의 제조 방법 有权
标题翻译：用于模具生产的空白和制造模具的方法
公开(公告)号：KR1020130128340A
公开(公告)日：2013-11-26
申请号：KR1020130054821
申请日：2013-05-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 후까야,소우이찌 , 나까가와,히데오 , 사사모또,고우헤이
IPC分类号： B29C33/38 , G03F7/11
CPC分类号： B29C33/3842 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C15/00 , C03C17/00 , C03C17/23 , C03C17/3665 , C04B35/047 , C04B35/105 , C04B35/12 , C04B35/56 , C04B35/58 , G03F1/24 , G03F1/26 , G03F1/48 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F7/0002
摘要： The invention provides a novel technology capable of improving etching workability by securing a hard mask function of a hard mask film including a chromium-based material and by enhancing dry etching speed of the corresponding hard mask film. The hard mask film (2) installed on a substrate (1) is deposited with a chromium-based material containing tin. The chromium-based material which contains tin comprising the hard mask film(2) has etching resistance to fluoride-based dry etching conditions equivalent to or greater than the etching resistance of chromium-based material without containing tin while having meaningfully high etching speed compared to chromium-based material film without containing tin in chlorine-based etching conditions. As a result, chlorine-based etching dry time is shortened and damages for resist patterns are reduced, and thereby enabling patten transcription with fixed density.
摘要翻译：本发明提供一种能够通过确保包含铬基材料的硬掩模膜的硬掩模功能并通过提高相应的硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新型技术。安装在基板（1）上的硬掩模膜（2）沉积有含锡的铬基材料。包含硬掩模膜（2）的锡的铬基材料具有对不含锡的铬基材料的耐腐蚀性等于或大于氟化物的干蚀刻条件的耐蚀刻性，同时具有有意义的高蚀刻速度在氯基蚀刻条件下不含锡的铬基材料膜。结果，氯基蚀刻干燥时间缩短，抗蚀剂图案的损伤降低，从而能够以固定密度进行贴图转印。

8. 发明公开

KR1020130123380A 가열 장치 有权
标题翻译：加热装置
公开(公告)号：KR1020130123380A
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020137008953
申请日：2011-10-11
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 곤도노부유키 , 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942
摘要： 가열 장치(1A)는, 반도체(W)를 가열하는 가열면(9a)을 갖는 서셉터부(9A)와, 가열면(9a)의 외측에 설치되어 있는 링 형상부(6A)를 구비한다. 링 형상부(6A)가 마그네슘, 알루미늄, 산소 및 질소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로 이루어지고, 이 세라믹스 재료는, CuKα선을 이용했을 때의 XRD 피크가 적어도 2θ=47˚∼50˚에 나타나는 마그네슘-알루미늄 산질화물상을 주상으로 한다.
摘要翻译：加热装置1A包括具有用于加热半导体W的加热表面9a的基座部分9A和设置在加热表面9a外部的环形部分6A。环状部分（6A）主要的镁，铝，氧和氮组成的陶瓷材料形成，使用出现在至少2θ=47˚〜50˚了CuKα线的时候，陶瓷材料是镁的XRD峰 - 氧氮化铝相是柱状相。

9. 发明公开

KR1020120092002A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020120092002A
公开(公告)日：2012-08-20
申请号：KR1020110143446
申请日：2011-12-27
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1225 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , G11C13/0004 , G11C16/0433 , H01L27/11551 , H01L27/1156
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to sufficiently reduce power consumption by decreasing the number of refresh operations. CONSTITUTION: A device isolation insulation layer(106) is formed on a substrate(100). A first transistor is formed on an insulation layer(130) and a gate electrode(110a). A second transistor is formed on the insulation layer and a gate electrode(110b). The second transistor includes an oxide semiconductor layer(143), a gate insulation layer(146), and a gate electrode(148b).
摘要翻译：目的：提供半导体器件，通过减少刷新次数来充分降低功耗。构成：在基板（100）上形成器件隔离绝缘层（106）。第一晶体管形成在绝缘层（130）和栅电极（110a）上。第二晶体管形成在绝缘层和栅电极（110b）上。第二晶体管包括氧化物半导体层（143），栅极绝缘层（146）和栅电极（148b）。

10. 发明公开

KR1020120075423A 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020120075423A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020110143425
申请日：2011-12-27
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/1225 , C04B35/58 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , H01L27/1255 , H01L29/78648
摘要： PURPOSE: A semiconductor device and a driving method thereof are provided to increase capacitance per unit area by using an oxide semiconductor material as a dielectric of a capacitive element. CONSTITUTION: A gate electrode(148a) is formed on an insulating layer(140). A gate insulating layer(146) covers the gate electrode. A first oxide semiconductor layer(144a) is overlapped with the gate electrode on the gate insulating layer. The gate insulating layer is placed between the gate electrode and the first oxide semiconductor layer. A transistor(160) has a source electrode and a drain electrode connected with the first oxide semiconductor layer. A second electrode is electrically connected with either the source electrode or the drain electrode. A capacitive element(164) comprises a second oxide semiconductor layer(144b) which is placed between a first electrode and the second electrode.
摘要翻译：目的：提供半导体器件及其驱动方法，以通过使用氧化物半导体材料作为电容元件的电介质来增加每单位面积的电容。构成：在绝缘层（140）上形成栅电极（148a）。栅极绝缘层（146）覆盖栅电极。第一氧化物半导体层（144a）与栅极绝缘层上的栅电极重叠。栅极绝缘层位于栅电极和第一氧化物半导体层之间。晶体管（160）具有与第一氧化物半导体层连接的源电极和漏电极。第二电极与源电极或漏电极电连接。电容元件（164）包括放置在第一电极和第二电极之间的第二氧化物半导体层（144b）。

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