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1. 发明授权

KR101396623B1 워크피스 전달 어셈블리 및 워크피스의 조작 방법 有权
标题翻译：工作转移装置及其操作方法
公开(公告)号：KR101396623B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020087007131
申请日：2006-08-31
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 구엘러리차드
IPC分类号： B25J15/00 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68707
摘要： 반도체 웨이퍼들과 같은 하나 이상의 워크피스를 처리하는 워크피스 전달 어셈블리는 워크피스의 외부 지름에 대응하는 하나 이상의 궁형 부분을 포함하는 다수의 협력 암을 포함한다. 궁형 부분은 워크피스의 외부 모서리와 맞물리는 워크피스 맞물림 표면을 갖는다. 적어도 하나의 협력 암은 워크피스 맞물림 표면으로부터 워크피스의 외부 모서리에 압력을 가하는 것에 응답하여 워크피스 모서리로부터 먼 방향으로 워크피스 맞물림 표면의 변형을 허용하는 플렉처 어셈블리를 포함한다.
워크피스, 플렉처 어셈블리, 협력 암, 고정 암, 가요성 핑거

2. 发明授权

KR101275907B1 기체의 도입을 통한 이온 주입 공정 중에 오염을 완화하여표면 특성을 수정하는 시스템 및 방법 有权
标题翻译：通过引入气体减少离子注入过程中的污染来改变表面特性的系统和方法
公开(公告)号：KR101275907B1
公开(公告)日：2013-06-14
申请号：KR1020087012922
申请日：2006-11-10
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 리스로널드 , 콘드라텐코서구엘 , 라그룸주 , 웨인라이트루이스 , 카이개리
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/265 , H01J37/317
摘要： 이온 주입 공정을 위한 오염 완화 "또는 표면 수정 시스템은 기체원, 제어기, 밸브 및 처리실을 포함한다. 기체원은, 대기 또는 반응 기체인 기체를 밸브로 전달하고, 제어기에 의해 제어된다. 밸브는 처리실 상에나 주변에 위치되고, 처리실로의 기체의 흐름 속도 및/또는 조성물을 제어 가능하게 조절한다. 처리실은 타겟 웨이퍼와 같은 타겟 장치를 보유하고, 이 기체를 이온 빔과 상호 작용시켜, 타겟 웨이퍼의 오염을 완화하고, 및/또는 처리 환경의 기존의 성질 및/또는 타겟 장치를 수정하여 그의 물리적 또는 화학적 상태 또는 특성을 변화시킨다. 제어기는 이온 빔 내에 존재하는 오염물, 또는 오염물의 없음, 또한 전체 또는 부분 압력 분석에 따라 기체의 조성물 및 흐름 속도를 선택하여 조절한다.
이온 주입 시스템, 이온원, 빔 라인 조립체, 기체 삽입 시스템
摘要翻译：用于离子注入工艺的“污染缓解”或表面改性系统包括气源，控制器，阀门和处理室。气源将大气或反应气体的气体输送到阀门并由控制器控制。该阀位于处理室上或其附近，并可控制地调节进入处理室的气体的流量和/或组成。处理室可具有目标装置，例如目标晶片，其与离子束相互作用以减轻目标晶片的污染和/或修改处理环境的现有特性和/ 改变化学状态或性质。控制器根据离子束中存在的污染物或污染物的存在以及全部或部分压力分析来选择和调整气体组成和流量。

3. 发明授权

KR101236563B1 하전된 빔 덤프 및 입자 어트랙터 有权
标题翻译：充电梁和颗粒吸引器
公开(公告)号：KR101236563B1
公开(公告)日：2013-02-22
申请号：KR1020077030938
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트존 , 후앙용장
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： 이온 주입 동안 오염을 완화시키는 시스템, 방법 및 장치가 제공된다. 이온 소스, 최종 스테이션, 및 상기 이온 소스와 최종 스테이션 사이에 배치된 질량 분석기가 제공되며, 여기서 이온 빔은 이온 소스로부터 형성되고 질량 분석기를 통하여 최종 스테이션으로 이동한다. 집진기, 입자 어트랙터, 및 차폐물을 포함하는 이온 빔 덤프 어셈블리는 질량 분석기와 관련되며, 상기 입자 어트랙터의 전위는 오염 입자를 끌어당겨서 집진기 내에서 제한하도록 동작 가능하며, 상기 차폐물은 질량 분석기 내의 이온 빔의 전위로부터 입자 어트랙터의 전위를 차폐하도록 동작 가능하다.
이온 주입 시스템, 이온 소스, 최종 스테이션, 집진기, 입자 어트랙터.

4. 发明授权

KR101169114B1 자외선 및/또는 진공 자외선 복사 에너지를 방출하는무전극 램프 有权
标题翻译：用于发射超紫外线和/或真空紫外线辐射的无电极灯
公开(公告)号：KR101169114B1
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020077008132
申请日：2005-09-08
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 재노스알랜 , 팩말콤 , 카마레히모하마드 , 콜손미카엘
IPC分类号： H01J65/04 , H01J61/30 , H01J65/00
CPC分类号： H01J65/044 , C03C3/06 , C03C4/0085 , C03C2201/11 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , H01J61/302
摘要： 무전극 램프 및 자외선 및/또는 진공 자외선 복사 에너지를 방출하는 프로세스는 초고순도 및/또는 저결함 석영 물질 및 인벨롭의 내부 영역에 배치된 자외선 및/또는 진공 자외선 방출 물질로 형성된 인벨롭을 포함한다. 초고순도 및/또는 저결함 석영 물질로 형성된 무전극 램프는 사용 동안의 열화를 최소화시킨다.
무전극 전구, 석영 물질, 인벨롭

5. 发明授权

KR101130411B1 가속/감속 갭 편향 有权
标题翻译：偏差加速/减速差
公开(公告)号：KR101130411B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020057015463
申请日：2004-02-20
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 라트멜로버트 , 반데르베르그보
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1472
摘要： 이온 빔의 이온을 가속/감속하는 가속 구조 및 관련 방법이 개시되어 있다. 이 구조 및 관련된 방법은 웨이퍼의 에어리어를 선택적으로 도핑하기 위하여 반도체 제조 중에 작업재 또는 웨이퍼로 이온을 선택적으로 주입 사용하는데 적합하다. 이온을 가속 및/또는 감속하는 것 이외에, 본 발명의 양상은 이온 빔의 이온을 포커싱할 뿐만 아니라 편향시키는 역할을 한다. 이는 전위가 생성되는 전극을 통해서 이온 빔을 루팅으로써 성취된다. 이온 빔은 또한, 전기적으로 중성인 오염물이 전위에 영향받지 않고 이온 빔의 원래 경로를 따라서 이동을 계속하기 때문에 오염이 제거된다. 전극은 또한 빔이 이동하는 거리를 최소화하는 방식으로 배열됨으로써, 빔이 블로우 업될 가능성을 완화시킨다.
전자 제어 장치, 질량 분석기, 플라즈마 소스, 타겟 주사 시스템, 엔드 스테이션

6. 发明授权

KR101099943B1 하전된 빔 전송을 위한 유니폴라 정전기 4극 렌즈 및스위칭 방법 有权
标题翻译：用于充电光束传输的UNIPOLAR静电四边形透镜和开关方法
公开(公告)号：KR101099943B1
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：KR1020067004443
申请日：2004-09-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 다이버질리오윌리엄 , 황영장
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/12 , H01J37/153 , H01J37/3171 , H01J2237/04735 , H01J2237/04737 , H01J2237/04924
摘要： 본 발명은 특히 저 에너지 이온 빔 전송에 대한 빔 전류의 손실을 완화시킨다. 본 발명은 내부의 빔 전류 손실을 감소시키는 선형 가속기 내의 빔 포커싱 요소로서 종래의 이중 양 및 음 전위(바이폴라) 4극 렌즈 대신에 유니폴라 정전기 4극 렌즈를 사용한다. 게다가, 본 발명은 또한 바이폴라 와이어링 및 유니폴라 와이어링 사이의 스위칭을 위한 시스템 및 방법을 포함한다.
선형 가속 시스템, 정전기 4극 렌즈, 이온 주입 시스템, 빔 전류, 포커싱 요소.

7. 发明授权

KR101018259B1 일정 온도 척을 사용하여 가변 온도 프로세스로 기판을 가열하는 방법 失效
标题翻译：使用固定温度调节器在可变温度过程中加热基板的方法
公开(公告)号：KR101018259B1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：KR1020057004134
申请日：2003-09-10
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 콕스,제럴드
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67109 , G03F7/427 , H01L21/67103
摘要： 본 발명은 가열된 척을 사용하여 프로세스 챔버 내에서 기판을 가열하는 방법을 제공한다. 이 방법에 따르면, 기판이 척 상으로 하강하여 척의 온도보다 낮은 제 1 온도로 가열된다. 그 후, 기판은 척으로부터 멀리 상승하고, 기판이 척 위쪽에서 지지되면서 기판에 대해 프로세스가 실행된다. 그 후, 기판은 다시 척으로 하강하여, 기판의 추가의 처리를 위해 제 1 온도보다 높은 제 2 온도로 가열된다.

8. 发明公开

KR1020100017134A 이온 빔 프로파일링을 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：离子光谱分析方法与系统
公开(公告)号：KR1020100017134A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：KR1020097024092
申请日：2008-04-03
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 그라프마이클 , 예존 , 반더버그보 , 크리스토포로마이클 , 후앙영장
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24405 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30477
摘要： One embodiment of the invention relates to an apparatus for profiling an ion beam. The apparatus includes a current measuring device having a measurement region, wherein a cross-sectional area of the ion beam enters the measurement region. The apparatus also includes a controller configured to periodically take beam current measurements of the ion beam and to determine a two dimensional profile of the ion beam by relating the beam current measurements to sub-regions within the current measuring device. Other apparatus and methods are also disclosed.
摘要翻译：本发明的一个实施例涉及一种用于对离子束进行成像的装置。该装置包括具有测量区域的电流测量装置，其中离子束的横截面面积进入测量区域。该装置还包括控制器，其被配置为周期性地对离子束进行束电流测量并且通过将束电流测量值与当前测量装置内的子区域相关联来确定离子束的二维轮廓。还公开了其它装置和方法。

9. 发明公开

KR1020090012305A 기판 손실 없이 표면 층을 제거하기 위한 중간 압력플라즈마 시스템 无效
标题翻译：用于移除表面层损失的表面层的中压等离子体系统
公开(公告)号：KR1020090012305A
公开(公告)日：2009-02-03
申请号：KR1020087016509
申请日：2005-12-07
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크. , 유니버시티 오브 휴스턴 시스템
发明人： 울프존 , 스리바스타바어심 , 베리이반 , 삭시벨파라니
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , G03F7/427 , H01J37/32752
摘要： A system and method for removing photoresist or other organic compounds from semiconductor wafers is provided. Non-fluorinated reactant gases (O2, H2, H2O, N2 etc.) are activated in a quartz tube by a medium pressure surface wave discharge. As the plasma jet impinges on a substrate, volatile reaction products (H2O, CO2, or low molecular weight hydrocarbons) selectively remove the photoresist from the surface. The medium pressure also enables high gas temperatures that provide an effective source of heat in the reactive zone on the wafer that enhances etch rates and provides a practical means of removing ion implanted photoresist.
摘要翻译：提供了一种用于从半导体晶片去除光致抗蚀剂或其它有机化合物的系统和方法。非氟化反应气体（O 2，H 2，H 2 O，N 2等）通过中压表面波放电在石英管中活化。当等离子体射流冲击基板时，挥发性反应产物（H 2 O，CO 2或低分子量烃）从表面选择性地除去光致抗蚀剂。介质压力还使得可以在晶片上的反应性区域中提供有效的热源的高气体温度提高了蚀刻速率，并提供了去除离子注入的光致抗蚀剂的实际手段。

10. 发明公开

KR1020080031226A 이온 주입에서의 미립자 방지 无效
标题翻译：离子注入中的颗粒预防
公开(公告)号：KR1020080031226A
公开(公告)日：2008-04-08
申请号：KR1020077030942
申请日：2006-06-02
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반더포트 , 베리안도날드
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/30 , H01J37/244 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/244 , H01J37/045 , H01J37/09 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/026 , H01J2237/028 , H01J2237/30433 , H01J2237/31705
摘要： A system and method for mitigating contamination in an ion implantation system is provided. The system comprises an ion source (200), a power supply (216) operable to supply power to a filament (214) and mirror electrode (218) of the ion source, a workpiece handling system, and a controller (228), wherein the ion source is selectively tunable via the controller to provide rapid control of a formation of an ion beam. The controller is operable to selectively rapidly control power to the ion source, therein modulating a power of the ion beam between an implantation power and a minimal power in less than approximately 20 microseconds based, at least in part, to a signal associated with a workpiece position. Control of the ion source therefore mitigates particle contamination in the ion implantation system by minimizing an amount of time at which the ion beam is at the implantation current.
摘要翻译：提供了一种减轻离子注入系统污染的系统和方法。该系统包括离子源（200），可操作以向离子源的细丝（214）和镜电极（218）供电的电源（216），工件处理系统和控制器（228），其中离子源可以经由控制器选择性地调节，以提供对离子束形成的快速控制。控制器可操作以选择性地快速地控制离子源的功率，其中至少部分地基于与工件相关联的信号，在小于约20微秒内在注入功率和最小功率之间调制离子束的功率位置。因此，离子源的控制因此通过使离子束处于注入电流的时间量最小化来减轻离子注入系统中的颗粒污染。

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