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1. 发明授权

KR101130411B1 가속/감속 갭 편향 有权
标题翻译：偏差加速/减速差
公开(公告)号：KR101130411B1
公开(公告)日：2012-03-27
申请号：KR1020057015463
申请日：2004-02-20
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 라트멜로버트 , 반데르베르그보
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1472
摘要： 이온 빔의 이온을 가속/감속하는 가속 구조 및 관련 방법이 개시되어 있다. 이 구조 및 관련된 방법은 웨이퍼의 에어리어를 선택적으로 도핑하기 위하여 반도체 제조 중에 작업재 또는 웨이퍼로 이온을 선택적으로 주입 사용하는데 적합하다. 이온을 가속 및/또는 감속하는 것 이외에, 본 발명의 양상은 이온 빔의 이온을 포커싱할 뿐만 아니라 편향시키는 역할을 한다. 이는 전위가 생성되는 전극을 통해서 이온 빔을 루팅으로써 성취된다. 이온 빔은 또한, 전기적으로 중성인 오염물이 전위에 영향받지 않고 이온 빔의 원래 경로를 따라서 이동을 계속하기 때문에 오염이 제거된다. 전극은 또한 빔이 이동하는 거리를 최소화하는 방식으로 배열됨으로써, 빔이 블로우 업될 가능성을 완화시킨다.
전자 제어 장치, 질량 분석기, 플라즈마 소스, 타겟 주사 시스템, 엔드 스테이션

2. 发明公开

KR1020060007002A 가속/감속 갭 편향 有权
标题翻译：偏差加速/减速差
公开(公告)号：KR1020060007002A
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020057015463
申请日：2004-02-20
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 라트멜로버트 , 반데르베르그보
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1472
摘要： An accelerating structure and related method for accelerating/decelerating ions of an ion beam are disclosed. The structure and related method are suitable for use in selectively implanting ions into a workpiece or wafer during semiconductor fabrication to selectively dope areas of the wafer. In addition to accelerating and/or decelerating ions, aspects of the present invention serve to focus as well as to deflect ions of an ion beam. This is accomplished by routing the ion beam through electrodes having potentials developed thereacross. The ion beam is also decontaminated as electrically neutral contaminants within the beam are not affected by the potentials and continue on generally traveling along an original path of the ion beam. The electrodes are also arranged in such a fashion so as to minimize the distance the beam has to travel, thereby mitigating the opportunity for beam blow up.
摘要翻译：公开了一种用于离子束离子加速/减速的加速结构和相关方法。该结构和相关方法适用于在半导体制造期间选择性地将离子注入到工件或晶片中以选择性地掺杂晶片的区域。除了加速和/或减速离子之外，本发明的方面还用于聚焦以及偏转离子束的离子。这是通过将离子束穿过具有在其上形成的电位的电极来实现的。离子束也被净化，因为光束内的电中性污染物不受电位的影响，并且通常沿着离子束的原始路径继续行进。电极也以这样的方式布置，以便使束必须行进的距离最小化，从而减轻了射束的机会。

3. 发明授权

KR101225804B1 이온 주입 균일도를 개선하는 이온 빔 주사 시스템 및 방법 有权
标题翻译：离子束扫描系统和改进离子植入均匀性的方法
公开(公告)号：KR101225804B1
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：KR1020077000614
申请日：2005-06-06
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반데르베르그보 , 레이앤드류 , 웬젤케빈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/21
摘要： 집속 조정 장치가 제공되는 이온 주입 시스템 및 그에 대한 주사 시스템은 스캐너의 하나 이상의 시변 집속 특성을 보상하도록 이온 빔의 집속 특성을 동적으로 조정한다. 주사된 이온 빔을 공작물에 제공하는 방법은, 이온 빔의 집속 특성을 동적으로 조정하는 단계, 이온 빔을 주사하여 주사된 이온 빔을 생성하는 단계 및, 주사된 이온 빔을 공작물로 지향시키는 단계를 포함한다.
이온 주입 시스템, 공작물, 이온원, 질량 분석기, 집속 조정 장치, 스캐너

4. 发明公开

KR1020070032318A 이온 주입 균일도를 개선하는 이온 빔 주사 시스템 및 방법 有权
标题翻译：离子束扫描系统和改进离子植入均匀性的方法
公开(公告)号：KR1020070032318A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：KR1020077000614
申请日：2005-06-06
申请人： 액셀리스 테크놀로지스, 인크.
发明人： 반데르베르그보 , 레이앤드류 , 웬젤케빈
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J2237/21
摘要： 집속 조정 장치가 제공되는 이온 주입 시스템 및 그에 대한 주사 시스템은 스캐너의 하나 이상의 시변 집속 특성을 보상하도록 이온 빔의 집속 특성을 동적으로 조정한다. 주사된 이온 빔을 공작물에 제공하는 방법은, 이온 빔의 집속 특성을 동적으로 조정하는 단계, 이온 빔을 주사하여 주사된 이온 빔을 생성하는 단계 및, 주사된 이온 빔을 공작물로 지향시키는 단계를 포함한다.
이온 주입 시스템, 공작물, 이온원, 질량 분석기, 집속 조정 장치, 스캐너

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