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1. 发明公开

KR1020140100934A X-선 광전자 및 저 에너지 X-선 형광 분광법에 의해 필름을 특성화하기 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：用X射线光电子和低能量X射线荧光光谱表征薄膜的系统和方法
公开(公告)号：KR1020140100934A
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020147011292
申请日：2012-09-21
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 쉴러브루노더블유 , 리드데이비드에이 , 팬턴제프리토마스 , 스메트로드니
IPC分类号： G01N23/223 , G01N23/225
CPC分类号： G21K1/06 , G01N23/223 , G01N23/2273 , G01N2223/61 , G21K2201/062 , G21K2201/064
摘要： X-선 광전자 분광법 (XPS) 에 의해 필름들을 특성화하기 위한 시스템들 및 방법들이 개시되어 있다. 예를 들어, 필름을 특성화하기 위한 시스템은 실리콘의 k-에지 미만인 에너지를 갖는 X-선 빔을 발생시키기 위한 X-선 소스를 포함할 수도 있다. 샘플을 X-선 빔의 경로에 위치시키기 위한 샘플 홀더가 포함될 수도 있다. X-선 빔으로 샘플에 충격을 가함으로써 발생된 XPS 신호를 수집하기 위한 제 1 검출기가 포함될 수도 있다. X-선 빔으로 샘플에 충격을 가함으로써 발생된 X-선 형광 (XRF) 신호를 수집하기 위한 제 2 검출기가 포함될 수도 있다. 분석 부위에서의 1 차 X-선 플럭스의 모니터링/추정은 분석 부위 근처 및 분석 부위에서의 X-선 플럭스 검출기들에 의해 제공될 수도 있다. 신호 강도 비율들을 채용할 필요 없이 필름 두께 또는 도우즈 측정을 가능하게 하기 위하여, XRF 및 XPS 신호들이 (추정된) 1 차 X-선 플럭스에 대해 정규화될 수도 있다.

2. 发明公开

KR1020070115894A 반도체 기판 처리 방법 无效
标题翻译：半导体基板处理方法
公开(公告)号：KR1020070115894A
公开(公告)日：2007-12-06
申请号：KR1020077018933
申请日：2005-11-28
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 파이크알저씨
IPC分类号： H01L21/68 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67259 , H01L21/67242 , H01L21/67253 , H01L21/681
摘要： According to one aspect of the invention, a semiconductor substrate processing apparatus and a method for processing semiconductor substrates are provided. The method may include providing a semiconductor substrate having a surface and a plurality of features on the surface, each feature being positioned on the surface at a first respective point in a first coordinate system, plotting the position of each feature at a second respective point in a second coordinate system; and generating a translation between the first and the second coordinate systems. The generating of the translation may include calculating an offset between the first and the second coordinate systems. The calculating of the offset may include calculating an offset distance between a reference point of the first coordinate system and a reference point of the second coordinate system and calculating an offset angle between an axis of the first coordinate system and an axis of the second coordinate system.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供半导体衬底处理装置和半导体衬底的处理方法。该方法可以包括提供在表面上具有表面和多个特征的半导体衬底，每个特征位于第一坐标系中的第一相应点处的表面上，绘制每个特征在第二个相应点处的位置第二坐标系; 以及产生第一和第二坐标系之间的平移。平移的产生可以包括计算第一和第二坐标系之间的偏移。偏移的计算可以包括计算第一坐标系的参考点和第二坐标系的参考点之间的偏移距离，并计算第一坐标系的轴与第二坐标系的轴之间的偏移角。

3. 发明公开

KR1020080064844A 광전자 분광 장치 및 그 사용 방법 有权
标题翻译：一种光电子能谱仪及其使用方法
公开(公告)号：KR1020080064844A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：KR1020087010109
申请日：2006-09-08
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 쉴러브루노더블유 , 리드데이비드에이
IPC分类号： G01J3/42 , H01L21/66
CPC分类号： G01N23/2273 , G01N2223/085 , G01N2223/6116 , H01J2235/08
摘要： According to one aspect of the present invention, a substrate processing system is provided. The system may include a chamber wall enclosing a chamber, a substrate support positioned within the chamber to support a substrate, an electromagnetic radiation source to emit electromagnetic radiation onto the substrate on the substrate support, the electromagnetic radiation causing photoelectrons to be emitted from a material on the substrate, an analyzer to capture the photoelectrons emitted from the substrate, and a magnetic field generator to generate a magnetic field within the chamber and guide the photoelectrons from the substrate to the analyzer.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种基板处理系统。该系统可以包括封闭室的室壁，位于腔室内以支撑衬底的衬底支撑件，用于向衬底支撑件上的衬底上发射电磁辐射的电磁辐射源，引起光电子从材料发射的电磁辐射在基板上，分析器捕获从基板发射的光电子，以及磁场发生器，以在室内产生磁场，并将光电子从基板引导到分析器。

4. 发明授权

KR101174317B1 광전자 분광 장치 및 그 사용 방법 有权
标题翻译：一种光电子能谱仪及其使用方法
公开(公告)号：KR101174317B1
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020087010109
申请日：2006-09-08
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 쉴러브루노더블유 , 리드데이비드에이
IPC分类号： G01J3/42 , H01L21/66
CPC分类号： G01N23/2273 , G01N2223/085 , G01N2223/6116 , H01J2235/08
摘要： 본발명의일 양태에따르면, 기판처리시스템이제공된다. 이시스템은챔버를둘러싸는챔버벽, 기판을지지하기위해챔버내에위치된기판지지체, 기판상의재료로부터광전자가방출되도록하는전자기방사선을기판지지체상의기판상으로방출시키기위한전자기방사선소스, 기판으로부터방출된광전자를포착하는분석기, 및챔버내에자계를발생시키고기판으로부터분석기로광전자를안내하는자계발생기를포함할수도있다.

5. 发明公开

KR1020080029960A 기구에 의해 생성된 데이터 분석 기술 无效
标题翻译：用于分析仪器生成数据的技术
公开(公告)号：KR1020080029960A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020077027805
申请日：2006-04-19
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 오록제임스 , 라르슨토마스씨 , 쉴러브루노 , 보트로렌스 , 퀴글리제임스 , 규레르에미르
IPC分类号： G01N23/06 , G06F19/00
CPC分类号： G01N23/2273
摘要： According to one embodiment of the invention, a method for analyzing data from an instrument is disclosed. The raw data generated by the instrument, along with configuration data generated by a user, is packaged into a calling model. The raw data may include, for example, counts having a certain kinetic energy when analyzing photoelectron spectroscopy data. The configuration data may include several parameters selected by the user based on the composition and configuration of the structure being measured. The calling model may serve as an interface between the instrument and an engine for generating an algorithm for returning desired results to the user. The engine then generates the algorithm as well as the results specified by the user, and the calling model returns the results to the user. This allows a specific algorithm and results for a specific measured sample or structure to be generated using known algorithms and functions.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，公开了一种用于分析来自仪器的数据的方法。由仪器生成的原始数据以及用户生成的配置数据被打包成一个调用模型。原始数据可以包括例如在分析光电子能谱数据时具有一定动能的计数。配置数据可以包括基于所测量结构的组成和配置的用户选择的几个参数。呼叫模型可以用作仪器和引擎之间的接口，用于生成用于将期望结果返回给用户的算法。然后，引擎生成算法以及用户指定的结果，调用模型将结果返回给用户。这允许使用已知的算法和功能来生成特定的测量样本或结构的特定算法和结果。

6. 发明公开

KR1020070051252A 측정된 기초 스펙트럼을 사용하거나 및/또는 획득된스펙트럼에 기초한 박막의 비파괴적 특성화 有权
标题翻译：使用测量的基准光谱和/或基于获得的光谱的薄膜的非结晶特征
公开(公告)号：KR1020070051252A
公开(公告)日：2007-05-17
申请号：KR1020057012492
申请日：2003-12-23
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 라슨,폴,이 , 와트슨,데이비드,지 , 모울더,존,에프
IPC分类号： G01B11/06 , G01B21/08 , G01N21/25 , B82Y35/00
CPC分类号： G01B11/06 , G01B15/02 , G01N23/227
摘要： 본 발명은 (비선형 최소 제곱 조정 알고리즘을 사용하여) 수집된 스펙트럼 데이터에 대한 요소 및/또는 화학 종에 대한 측정된 피크 형상 (예를 들어, 모니터되는 특정한 프로세스에 대해 이전에 측정된 Si 피크 형상) 을 비교하기 위해 비교 프로세스 (예를 들어, 조정 프로세스) 를 사용하는 막의 특성화 (예를 들어, 실리콘 옥시니트라이드 막에 대한 두께 결정) 를 제공한다. 또한, 본 발명은 수집된 스펙트럼 데이터를 사용하는 막의 특성화 (예를 들어, 실리콘 옥시니트라이드막에 대한 두께 결정) 를 제공한다. 예를 들어, 획득된 스펙트럼은 누적 통합될 수도 있고 통합된 스펙트럼의 기하학적 특성이 성분 농도 정보를 결정하기 위해 사용될 수도 있다. 막에 대한 두께 측정은 성분 농도 정보에 기초하여 제공될 수도 있다.
통합된 스펙트럼, 획득된 스펙트럼

7. 发明公开

KR1020160147902A 결합된 XPS 및 XRF 기술을 사용하여 실리콘 게르마늄 두께 및 성분 결정 审中-实审
标题翻译： XPS XRF硅锗厚度和使用组合XPS和XRF技术的组合物测定
公开(公告)号：KR1020160147902A
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020167032758
申请日：2015-04-21
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 포이스,헬스에이. , 리,웨이티
IPC分类号： G01N23/22 , G01N15/02 , G01N23/223 , G01N23/227
CPC分类号： G01N23/2206 , G01B15/02 , G01N23/2208 , G01N23/223 , G01N23/2273 , G01N2223/61 , G01N2223/6116 , G01N15/02
摘要： 결합된 XPS 및 XRF 기술을사용하여실리콘게르마늄두께및 성분결정을위한시스템및 접근법이기술된다. 예시에서, 실리콘게르마늄필름을특징짓기위한방법은, X-선빔을생성하는단계를포함한다. 샘플은상기 X-선빔의경로에위치된다. 상기 X-선빔으로상기샘플에충격을가함에의해생성된 X-선광전자분광법(XPS) 신호가수집된다. 상기 X-선빔으로상기샘플에충격을가함에의해생성된 X-선형광(XRF) 신호도수집된다. 실리콘게르마늄필름의두께또는성분또는둘 다는 XRF 신호또는 XPS 신호또는둘다로부터결정된다.
摘要翻译：描述了使用组合XPS和XRF技术的硅锗厚度和成分测定的系统和方法。在一个示例中，用于表征硅锗膜的方法包括产生X射线束。样品位于所述X射线束的通路中。收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱（XPS）信号。还收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光（XRF）信号。硅锗膜的厚度或组成或两者均由XRF信号或XPS信号或两者确定。

8. 发明授权

KR101264457B1 광전자 분광법을 이용한 레이어 두께 결정 有权
标题翻译：使用光电子光谱测定层厚度
公开(公告)号：KR101264457B1
公开(公告)日：2013-05-14
申请号：KR1020077027804
申请日：2006-04-19
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 쉴러브루노
IPC分类号： H01J40/00 , H01J49/02
CPC分类号： G01B15/02 , H01J2237/2511 , H01J2237/2522 , H01J2237/2814
摘要： 본발명의일 실시형태에따라, 기판상의단일의또는멀티-레이어구조에서하나이상의레이어의두께를결정하기위해광전자분광법이이용된다. 이두께는, 광자와충돌한경우기판에의해방출된 2 개의광전자종 또는다른원자-특정특성전자종의강도를측정함으로써결정될수도있다. 레이어의두께에의존하는예측강도함수는각각의광전자종에대해결정된다. 2 개의예측강도함수의비가공식화되어, 구조중 레이어의두께를결정하기위해이 비가반복된다. 일실시형태에따라, 2 개의광전자종이단일의레이어로부터측정되어이 레이어의두께를결정할수도있다. 또다른실시형태에따라, 레이어의두께를결정하기위해상이한레이어로부터또는기판으로부터의 2 개의광전자종이측정될수도있다.

9. 发明公开

KR1020080050567A 막에서의 구성요소의 비-파괴 분포 프로파일링에 대한 방법및 시스템 无效
标题翻译：电影中元素的非破坏性分布分布的方法和系统
公开(公告)号：KR1020080050567A
公开(公告)日：2008-06-09
申请号：KR1020087003155
申请日：2006-06-23
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 데세코파올라 , 쉴러브루노 , 리드데이비드 , 콴마이클 , 밸런스데이비드에스
IPC分类号： H03F1/26 , G06F15/00
CPC分类号： G01N23/2273 , H01J37/26 , H01J2237/24585 , H03F1/26
摘要： A method to determine a distribution profile of an element in a film. The method comprises exciting an electron energy of an element deposited in a first film, obtaining a first spectrum associating with the electron energy, and removing a background spectrum from the first spectrum. Removing the background value generates a processed spectrum. The method further includes matching the processed spectrum to a simulated spectrum with a known simulated distribution profile for the element in a film comparable to the first film. A distribution profile is obtained for the element in the first film based on the matching of the processed spectrum to a simulated spectrum selected from the set of simulated spectra.
摘要翻译：确定胶片中元素的分布特征的方法。该方法包括激发沉积在第一膜中的元素的电子能量，获得与电子能量相关联的第一光谱，以及从第一光谱去除背景光谱。删除背景值会生成已处理的光谱。该方法还包括将经处理的光谱与具有与第一胶片相当的胶片中元素的已知模拟分布曲线进行匹配。基于所处理的光谱与从所述一组模拟光谱中选择的模拟光谱的匹配，为第一胶片中的元素获得分布曲线。

10. 发明授权

KR102042972B1 X-선 광전자 및 저 에너지 X-선 형광 분광법에 의해 필름을 특성화하기 위한 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102042972B1
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：KR1020147011292
申请日：2012-09-21
申请人： 리베라 인코퍼레이티드
发明人： 쉴러브루노더블유 , 리드데이비드에이 , 팬턴제프리토마스 , 스메트로드니
IPC分类号： G01N23/223 , G01N23/225

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