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1. 发明授权

KR101289541B1 Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의 형성 방법 有权
标题翻译：用于P型氮化物发光装置的超薄氧化物接触和形成方法
公开(公告)号：KR101289541B1
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020127000395
申请日：2005-07-27
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 라페토마크 , 바라탄자예쉬 , 하버런케빈 , 버그만마이클 , 에머슨데이비드 , 이벳슨제임스 , 리팅
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/32 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 반도체계 발광 소자(LED)는 P 형 질화물층 및 상기 P 형 질화물층 상의 금속 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 상기 금속 오믹 콘택은 약 25 Å 미만의 평균 두께 및 10
-3 ohm-㎝
2 미만의 특정 콘택 비저항을 가질 수 있다.

2. 发明公开

KR1020110106347A 고반사율 복합층 有权
标题翻译：复合高反射层
公开(公告)号：KR1020110106347A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020117015872
申请日：2009-12-07
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 이베스톤제임스 , 리팅 , 한센모니카
IPC分类号： H01L33/46 , G02B5/08
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , G02B5/08 , H01L2924/00014
摘要： 방출 효율을 향상시키기 위해 LED에 통합되는 고반사율 복합층(62)을 갖는 고효율 발광 다이오드를 개시한다. 발광 다이오드 칩의 일실시예는, LED와, 활성 영역(54)으로부터 방출된 광을 반사하기 위해 LED에 통합되는 고반사율 복합층(62)을 포함한다. 복합층은, 제1 층(66)과, 제1 층(66) 상의 서로 교번하는 복수의 제2 층(68) 및 제 3층(70)과, 복수의 제2 층 및 제3 층의 최상부 상의 반사층(71, 126)을 포함한다. 제2 층과 제3 층은 상이한 굴절률을 가지며, 제1 층의 두께는 제2 층과 제3 층 중의 가장 두꺼운 층의 두께의 3배 이상이다. LED에 통합되는 복합층의 경우, 복합층을 관통하는 도전성 비아(128)가 포함되어, 전기 신호를 복합층을 통과하여 LED에 보낼 수 있다.
摘要翻译：一种具有与所述LED集成的复合高反射层的高效率发光二极管，以提高发射效率。发光二极管（LED）芯片的一个实施例包括LED和与LED成一体的复合高反射层，以反射从有源区发射的光。所述复合层包括第一层和在第一层上交替的多个第二和第三层，以及在所述多个第二层和第三层的最上层的反射层。第二层和第三层具有不同的折射率，并且第一层比第二层和第三层中最厚的层厚至少三倍。对于LED芯片内部的复合层，可以通过复合层包括导电通孔，以允许电信号通过复合层到达LED。

3. 发明授权

KR101335760B1 Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의형성 방법 有权
标题翻译：用于P型氮化物发光器件的超薄欧姆接触和形成方法
公开(公告)号：KR101335760B1
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：KR1020077001556
申请日：2005-07-27
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 라페토마크 , 바라탄자예쉬 , 하버런케빈 , 버그만마이클 , 에머슨데이비드 , 이벳슨제임스 , 리팅
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/32 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 반도체계 발광 소자(LED)는 P 형 질화물층 및 상기 P 형 질화물층 상의 금속 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 상기 금속 오믹 콘택은 약 25 Å 미만의 평균 두께 및 10
-3 ohm-㎝
2 미만의 특정 콘택 비저항을 가질 수 있다.
질화물 발광 소자, 오믹 콘택, 투과도

4. 发明公开

KR1020070042976A Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의형성 방법 有权
标题翻译：用于P型氮化物发光装置的超薄氧化物接触和形成方法
公开(公告)号：KR1020070042976A
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020077001556
申请日：2005-07-27
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 라페토마크 , 바라탄자예쉬 , 하버런케빈 , 버그만마이클 , 에머슨데이비드 , 이벳슨제임스 , 리팅
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/32 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 반도체 발광 소자(LED)는 P 형 질화물층 및 상기 P 형 질화물층 상의 금속 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 상기 금속 오믹 콘택은 약 25 Å 미만의 평균 두께 및 10
-3 ohm-㎝
2 미만의 콘택 비저항을 가질 수 있다.
질화물 발광 소자, 오믹 콘택, 투과도

5. 发明公开

KR1020060090813A 다공성 ＳｉＣ 기판을 갖는 발광 다이오드 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：具有多孔SIC基板的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060090813A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：KR1020067005898
申请日：2004-09-21
申请人： 크리, 인코포레이티드
发明人： 리팅 , 이벳슨제임스 , 캘러번드
IPC分类号： H01L33/16 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/20 , H01L21/3063 , H01L31/0236 , H01L33/16 , H01L2224/16245 , H01L2924/10158
摘要： A method and apparatus for forming a porous layer on the surface of a semiconductor material wherein an electrolyte is provided and is placed in contact with one or more surfaces of a layer of semiconductor material. The electrolyte is heated and a bias is introduced across said electrolyte and the semiconductor material causing current to flow between the electrolyte and the semiconductor material. The current forms a porous layer on the one or more surfaces of the semiconductor material in contact with the electrolyte. The semiconductor material with its porous layer can serve as a substrate for a light emitter. A semiconductor emission region can be formed on the substrate. The emission region is capable of emitting light omnidirectionally in response to a bias, with the porous layer enhancing extraction of the emitting region light passing through the substrate.
摘要翻译：一种用于在半导体材料的表面上形成多孔层的方法和装置，其中提供电解质并与半导体材料层的一个或多个表面接触。电解质被加热并且横跨所述电解质和半导体材料引入电流，导致电流在电解质和半导体材料之间流动。电流在与电解质接触的半导体材料的一个或多个表面上形成多孔层。具有多孔层的半导体材料可以用作发光体的基板。可以在衬底上形成半导体发射区域。发射区域能够响应于偏压而全向发光，多孔层增强了通过衬底的发射区域光的提取。

6. 发明授权

KR101677520B1 고반사율 복합층 有权
标题翻译：复合高反射层
公开(公告)号：KR101677520B1
公开(公告)日：2016-11-18
申请号：KR1020117015872
申请日：2009-12-07
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 이베스톤제임스 , 리팅 , 한센모니카
IPC分类号： H01L33/46 , G02B5/08
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： 방출효율을향상시키기위해 LED에통합되는고반사율복합층(62)을갖는고효율발광다이오드를개시한다. 발광다이오드칩의일실시예는, LED와, 활성영역(54)으로부터방출된광을반사하기위해 LED에통합되는고반사율복합층(62)을포함한다. 복합층은, 제1 층(66)과, 제1 층(66) 상의서로교번하는복수의제2 층(68) 및제 3층(70)과, 복수의제2 층및 제3 층의최상부상의반사층(71, 126)을포함한다. 제2 층과제3 층은상이한굴절률을가지며, 제1 층의두께는제2 층과제3 층중의가장두꺼운층의두께의 3배이상이다. LED에통합되는복합층의경우, 복합층을관통하는도전성비아(128)가포함되어, 전기신호를복합층을통과하여 LED에보낼수 있다.

7. 发明公开

KR1020120034796A Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의 형성 방법 有权
标题翻译：用于P型氮化物发光装置的超薄氧化物接触和形成方法
公开(公告)号：KR1020120034796A
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：KR1020127003994
申请日：2005-07-27
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 라페토마크 , 바라탄자예쉬 , 하버런케빈 , 버그만마이클 , 에머슨데이비드 , 이벳슨제임스 , 리팅
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/32 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 반도체계 발광 소자(LED)는 P 형 질화물층 및 상기 P 형 질화물층 상의 금속 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 상기 금속 오믹 콘택은 약 25 Å 미만의 평균 두께 및 10
-3 ohm-㎝
2 미만의 특정 콘택 비저항을 가질 수 있다.

8. 发明授权

KR101335168B1 Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의 형성 방법 有权
标题翻译：用于P型氮化物发光器件的超薄欧姆接触及其形成方法
公开(公告)号：KR101335168B1
公开(公告)日：2013-11-29
申请号：KR1020127003994
申请日：2005-07-27
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 라페토마크 , 바라탄자예쉬 , 하버런케빈 , 버그만마이클 , 에머슨데이비드 , 이벳슨제임스 , 리팅
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/32 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 반도체계 발광 소자(LED)는 P 형 질화물층 및 상기 P 형 질화물층 상의 금속 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 상기 금속 오믹 콘택은 약 25 Å 미만의 평균 두께 및 10
-3 ohm-㎝
2 미만의 특정 콘택 비저항을 가질 수 있다.
摘要翻译：半导体发光器件（LED）可以包括在P型氮化物层上的P型氮化物层和金属欧姆接触。其中金属欧姆接触的平均厚度小于约25埃，

9. 发明公开

KR1020120016172A Ｐ 형 질화물 발광 소자를 위한 초박형 오믹 콘택 및 그의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR1020120016172A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020127000395
申请日：2005-07-27
申请人： 크리 인코포레이티드
发明人： 라페토마크 , 바라탄자예쉬 , 하버런케빈 , 버그만마이클 , 에머슨데이비드 , 이벳슨제임스 , 리팅
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/32 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2224/48463 , H01L2224/73265 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/3011 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： 반도체계 발광 소자(LED)는 P 형 질화물층 및 상기 P 형 질화물층 상의 금속 오믹 콘택을 포함할 수 있다. 상기 금속 오믹 콘택은 약 25 Å 미만의 평균 두께 및 10
-3 ohm-㎝
2 미만의 특정 콘택 비저항을 가질 수 있다.

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