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1. 发明授权

KR101906458B1 반도체 제조물 有权
公开(公告)号：KR101906458B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020137015770
申请日：2011-11-16
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 딕스그레고리
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/4824 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/41758 , H01L29/4238 , H01L29/7816 , H01L2224/05554 , H01L2224/16245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49173 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 반도체파워칩은그 기판에제조된파워디바이스를구비하는반도체다이(102)를포함할수 있으며, 상기파워디바이스는상기반도체다이에배치된적어도하나의제1 접촉요소(110,G), 복수의제2 접촉요소들(S), 복수의제3 접촉요소들(D); 상기복수의제2 접촉요소들과상기복수의제3 접촉요소들각각에배치된복수의볼 범프들(106, 108) 또는로프범프; 및상기적어도하나의제1 접촉요소에있는적어도하나의볼 범프(104) 또는로프를갖는다.

2. 发明授权

KR101888176B1 파워/접지 레이아웃을 구비한 칩 有权
公开(公告)号：KR101888176B1
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：KR1020137012788
申请日：2011-10-20
申请人： 마벨 월드 트레이드 리미티드
发明人： 수타르드자세하트 , 한충청 , 리웨이단 , 유슈화 , 쳉추앙-쳉 , 우알버트
IPC分类号： H01L23/52
CPC分类号： H01L21/76885 , H01L23/3107 , H01L23/5226 , H01L23/5286 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/16 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/85 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/061 , H01L2224/16145 , H01L2224/16245 , H01L2224/45111 , H01L2224/45116 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48824 , H01L2224/48847 , H01L2224/731 , H01L2224/85 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의실시예는제 1 반도체다이위에형성되는베이스금속층과, 상기베이스금속층위에형성되는제 1 금속층을포함하는칩을제공한다. 상기제 1 금속층은 (i) 접지신호또는 (ii) 파워신호중 적어도하나를칩 내에서라우팅시키도록구성되는복수의아일랜드를포함한다. 상기칩은상기제 1 금속층위에형성되는제 2 금속층을더 포함한다. 상기제 2 금속층은 (i) 접지신호또는 (ii) 파워신호중 적어도하나를상기칩 내에서라우팅시키도록구성되는복수의아일랜드를포함한다.

3. 发明授权

KR101881066B1 반도체 발광 소자 有权
公开(公告)号：KR101881066B1
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：KR1020160015233
申请日：2016-02-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차남구 , 임완태 , 김용일 , 노혜석 , 신은주 , 심성현 , 유하늘
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/22 , H01L33/36 , H01L33/50 , H01L33/00 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/16245 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의기술적사상의일 실시예는, 서로반대에위치한제1 및제2 면을가지며, 각각상기제1 및제2 면을제공하는제1 및제2 도전형반도체층과그 사이에배치된활성층을포함하며, 상기제2 면을향해상기제1 도전형반도체층의일 영역이개방되며상기제1 면상에형성된요철을갖는반도체적층체와, 상기제1 도전형반도체층의상기일 영역과상기제2 도전형반도체층의일 영역에각각배치된제1 및제2 전극과, 상기반도체적층체의제1 면에배치된투광성지지기판과, 상기반도체적층체의제1 면과상기투광성지지기판사이에배치되며, 상기제1 도전형반도체층의굴절률과상기투광성지지기판의굴절률사이의굴절률을갖는투광성접합층을포함하는반도체발광소자를제공한다.

4. 发明授权

KR101867106B1 LED용 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 LED용 수지 부착 리드 프레임의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101867106B1
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：KR1020127025663
申请日：2011-03-30
申请人： 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 오다카즈노리 , 사카모토아키라 , 무라타요시노리 , 카와이켄자부로 , 스즈키코이치 , 오이시메구미
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L33/62
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/97 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48599 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48669 , H01L2224/73265 , H01L2224/83 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85469 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/078 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
摘要： LED용리드프레임또는기판(10)은, LED 소자(21)를적재하는적재면(11a)을갖는본체부(11)를구비하고있다. 본체부(11)의적재면(11a)에는, LED 소자(21)로부터의광을반사하기위한반사층으로서기능하는반사용금속층(12)이형성되어있다. 반사용금속층(12)은, 백금과은의합금또는금과은의합금을포함한다. 반사용금속층(12)에의해, LED 소자(21)로부터의광을효율적으로반사함과함께, 가스에의한부식을억제해서 LED 소자(21)로부터의광의반사특성을유지하는것이가능하다.

5. 发明授权

KR101825278B1 전도성 언더필 물질을 포함하는 반도체 장치들과 패키지들, 및 관련 방법들 有权
标题翻译：半导体器件和封装，包括导电底层材料和相关方法
公开(公告)号：KR101825278B1
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：KR1020157027536
申请日：2014-03-25
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 간디,재스프리트에스. , 잉글랜드,루크지. , 페이,오웬알.
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/00 , H01L21/56 , H01L23/367 , H01L23/48
CPC分类号： H01L24/81 , H01L21/563 , H01L23/367 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/08225 , H01L2224/11822 , H01L2224/13023 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/14131 , H01L2224/14134 , H01L2224/1601 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/16505 , H01L2224/1701 , H01L2224/17181 , H01L2224/175 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29309 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29499 , H01L2224/3201 , H01L2224/32054 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/3301 , H01L2224/33505 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81125 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/81901 , H01L2224/81948 , H01L2224/83102 , H01L2224/83104 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/07811 , H01L2924/1461 , H01L2924/3841 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/00012
摘要： 반도체장치들및 장치패키지들은복수의전도성구조물을통해기판에전기적으로연결된적어도하나의반도체다이를포함한다. 적어도하나의반도체다이는복수의메모리다이일수 있고, 기판은논리다이일수 있다. 적어도하나의반도체다이와기판사이에배치된언더필물질은열 전도성물질을포함할수 있다. 복수의전도성구조물과언더필물질사이에전기절연물질이배치될수 있다. 반도체장치패키지들을형성하기위한방법과같은, 반도체다이를기판에부착하는방법들은, 전도성구조물들의적어도외측표면을피복또는코팅하는단계, 전기절연물질로반도체다이를기판에전기적으로연결하는단계, 및반도체다이와기판사이에열 전도성물질을배치하는단계를포함한다.
摘要翻译：半导体器件和器件封装包括通过多个导电结构电耦合到衬底的至少一个半导体管芯。所述至少一个半导体管芯可以是多个存储芯片，并且所述衬底可以是逻辑管芯。设置在至少一个半导体管芯和衬底之间的底部填充材料可以包括导热材料。电绝缘材料设置在多个导电结构与底部填充材料之间。例如用于形成半导体器件封装的将半导体管芯附接到衬底的方法包括覆盖或涂覆导电结构的至少外侧表面，用电绝缘材料将半导体管芯电耦合到衬底，并且将热在半导体管芯和衬底之间的导电材料。

6. 发明授权

KR101764129B1 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101764129B1
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：KR1020160119236
申请日：2016-09-19
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/02 , H01L21/78 , H01L33/54
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/49107 , H01L2224/97
摘要： 본개시는제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지며, 제1 면측으로부터제2 면측으로향하는제1 홈및 제2 홈을가지고, 제1 홈및 제2 홈각각에도전부가형성되어열팽창시제1 홈및 제2 홈이각각의도전부의열팽창을제한할수 있는제1 기판을준비하는단계; 제1 면측에서결합층을통해제1 기판에제2 기판을결합하는단계; 그리고, 성장기판, 성장기판에성장되는복수의반도체층, 그리고제1 반도체층과제2 반도체층각각에전기적으로연결되는제1 전극및 제2 전극을가지는반도체발광소자칩을제2 면측에서제1 기판에고정하는단계;로서, 제1 전극및 제2 전극각각을제1 홈의도전부와제2 홈의도전부에고정하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제조하는방법및 이러한방법으로제조된반도체발광소자에관한것이다.

7. 发明公开

KR1020170052546A 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법 无效
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170052546A
公开(公告)日：2017-05-12
申请号：KR1020170054064
申请日：2017-04-27
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/36 , H01L33/02 , H01L21/78 , H01L33/54
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/16245 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/97
摘要： 본개시는제1 면및 제1 면에대향하는제2 면을가지며, 제1 면측으로부터제2 면측으로향하는제1 홈및 제2 홈을가지고, 제1 홈및 제2 홈각각에도전부가형성되어열팽창시제1 홈및 제2 홈이각각의도전부의열팽창을제한할수 있는제1 기판을준비하는단계; 제1 면측에서결합층을통해제1 기판에제2 기판을결합하는단계; 그리고, 성장기판, 성장기판에성장되는복수의반도체층, 그리고제1 반도체층과제2 반도체층각각에전기적으로연결되는제1 전극및 제2 전극을가지는반도체발광소자칩을제2 면측에서제1 기판에고정하는단계;로서, 제1 전극및 제2 전극각각을제1 홈의도전부와제2 홈의도전부에고정하는단계;를포함하는것을특징으로하는반도체발광소자를제조하는방법및 이러한방법으로제조된반도체발광소자에관한것이다.
摘要翻译：本公开具有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽具有第一表面和与第一表面相对并且从第一表面侧指向第二表面侧的第二表面，制备能够限制热膨胀沟槽1和第二沟槽的每个导电部分的热膨胀的第一衬底; 通过第一侧上的结合层将第二衬底耦合到第一衬底; 然后，具有生长衬底，在生长衬底上生长的多个半导体层以及与第一半导体层和第二半导体层中的每一个电连接的第一电极和第二电极的半导体发光器件芯片，并且将第一电极和第二电极分别固定到第一凹槽的导电部分和第二凹槽的导电部分; 以及通过这种方法制造的半导体发光器件。

8. 发明授权

KR101712928B1 반도체 패키지 有权
标题翻译：半导体封装
公开(公告)号：KR101712928B1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020140157411
申请日：2014-11-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 차승용 , 김경범 , 김용훈 , 문현종 , 이희석
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/00 , H01L23/498
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/3677 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/50 , H01L24/17 , H01L25/105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16245 , H01L2224/16265 , H01L2224/1713 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041
摘要： 본발명의실시예에따른반도체패키지는제 1 영역을포함하는패키지기판, 상기패키지기판의상기제 1 영역을관통하며, 상기패키지기판의상부면및 하부면에노출된열 기둥, 상기패키지기판상에배치된반도체칩, 및제 1 방향으로배열되고상기제 1 방향에수직인제 2 방향으로나열되어상기패키지기판과상기반도체칩 사이에개재되고, 상기열 기둥과접촉하는제 1 범프들을포함하는범프들, 및상기제 1 방향으로배열되고상기제 2 방향으로나열되어상기패키지기판의하부면에배치되고, 상기열 기둥과접촉하는제 1 단자들을포함하는단자들을포함하되, 상기열 기둥은전원통로및 접지통로중 어느하나일수 있다.
摘要翻译：半导体封装包括：封装基板，包括第一区域，穿透第一区域并在封装基板的顶表面和底表面处露出的热块;封装基板上的半导体芯片;设置在封装基板和半导体芯片之间的凸块;以及包括与热块接触的第一凸起，以及设置在封装基板的底表面上并包括与热块接触的第一端子的端子。热块是功率路径和接地路径之一。

9. 发明授权

KR101699406B1 미소기전 시스템 마이크로폰 패키징 시스템 有权
标题翻译：微电子系统麦克风包装系统
公开(公告)号：KR101699406B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020100114684
申请日：2010-11-17
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 알렌하워드 , 잉글랜드루크 , 호크스더글라스알랜 , 리우용 , 마틴스티븐
IPC分类号： H04R31/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , H01L2224/16245 , H01L2924/10155 , H04R31/00 , H04R2201/003
摘要： 여기서는, 특히, 도전성프레임, 상기도전성프레임에연결되어있는실리콘다이, 및상기도전성프레임및 상기실리콘다이에고정되어있는절연체수단을포함하고, 상기실리콘다이는, 진동다이어프램(vibratory diaphragm)을포함하고, 또실리콘다이표면부와그 반대측의실리콘다이바닥부를가지며, 실리콘다이포트가상기실리콘다이를관통해서상기진동다이어프램까지연장되고, 실리콘다이단자가상기도전성프레임과전기적으로소통되어있으며, 상기절연체수단은, 상기도전성프레임내의간극(interstices)을통해상기도전성프레임의도전성프레임바닥부까지연장되어있고또 실리콘다이의외측부를둘러싸면서상기실리콘다이표면부까지연장되어있으며, 상기절연체수단은상기실리콘다이및 상기도전성프레임에물리적으로고정되어있고, 상기실리콘다이포트는노출되어있고, 도전성프레임단자가상기도전성프레임바닥부에배치되어있으면서상기실리콘다이단자와전기적으로소통되어있는장치에대해논의된다.
摘要翻译：本文件尤其涉及导电框架，耦合到导电框架的硅芯片，包括振动膜片的硅模具，模具具有与硅模底部相对的硅模顶部，硅模头端口延伸穿过硅芯片连接到振动膜片，其中硅晶片端子与导电框架电连通，并且绝缘体固定到导电框架和硅芯片上，绝缘体延伸穿过导电框架中的间隙到导电框架底部的导电框架，并且围绕硅晶片的外部到硅晶片顶部，其中绝缘体物理地固定到硅晶片和导电框架，硅晶片端口暴露，导电框架端子设置在导电框架底部与硅晶片端子进行电气通信。

10. 发明公开

KR1020160143571A 우선 방위를 갖는 형광체, 그 제조 방법, 및 그것을 활용하는 발광 엘리먼트 패키지 구조체 审中-实审
标题翻译：具有优选方向的磷化物制造方法及其发光元件包装结构
公开(公告)号：KR1020160143571A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：KR1020160069764
申请日：2016-06-03
申请人： 렉스타 일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 응우옌호앙두이 , 왕렌홍 , 수차오친 , 리우루쉬 , 첸칭이 , 리유천 , 츠사이쫑리앙
IPC分类号： C09K11/66 , C09K11/60 , C09K11/59 , C09K11/57 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/504 , C09K11/675 , H01L33/501 , H01L33/56 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , C09K11/66 , C09K11/57 , C09K11/59 , C09K11/60 , H01L33/38 , H01L33/48 , H01L2924/12041
摘要： 본발명은다음의식: A[MF]:Mn에의해표현되는우선방위를갖는형광체를제공하는데, 여기서 A는 Li, Na, K, Rb, Cs, 및 NH로구성되는그룹으로부터선택되고, M은 Ge, Si, Sn, Ti, 및 Zr로구성되는그룹으로부터선택된다. 우선방위는 (001)/(011) 우선방위이다. 본발명은또한상기형광체를제조하기위한방법을제공한다. 본발명은그 형광체를활용하는발광엘리먼트패키지구조체를추가로제공한다.
摘要翻译：本发明提供具有由下式表示的优选取向的荧光体：A 2 [MF 6]：Mn 4+，其中A选自Li，Na，K，Rb，Cs和NH 4， M选自Ge，Si，Sn，Ti和Zr组成的组。优选的取向是（001）/（011）优选的取向。本发明还提供了制造上述荧光体的方法。本发明还提供一种采用该结构的发光元件封装结构（200,300）。

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