专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020140046617A 산화아연 전구체 및 이를 이용한 산화아연계 박막 증착방법 无效
标题翻译：氧化锌前驱体和使用其形成基于氧化锌的薄膜的方法
公开(公告)号：KR1020140046617A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020120111674
申请日：2012-10-09
申请人： 코닝정밀소재 주식회사 , (주)디엔에프
发明人： 박수호 , 박종세 , 유영조 , 이주영 , 김서현 , 윤근상 , 김명운 , 신형수 , 유승호 , 이상도 , 이상익 , 임상준
IPC分类号： C01G9/02 , C07F3/06 , C23C16/18
CPC分类号： H01B1/08 , C03C17/245 , C03C2217/216 , C23C16/407 , C23C16/448 , H01L21/02554 , H01L21/0262 , H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： The present invention relates to a zinc oxide precursor and a method of depositing a zinc oxide thin film using the same and, more specifically, to a zinc oxide precursor which can deposit high-purity and high-quality zinc oxide thin film and a method of depositing zinc oxide thin film using the same. To achieve this, the present invention provides a zinc oxide precursor comprising: a mixed solvent comprised of at least two kinds of organic solvent mixture; and a raw substance composed of diethyl zinc or dimethyl zinc diluted in the mixed solvent, and a method of depositing a zinc oxide thin film using the same. [Reference numerals] (AA) Heptane; (BB) Octane; (CC) Nucleic acid; (DD) Pentane; (EE) Diethyl zinc
摘要翻译：本发明涉及一种氧化锌前体和使用该氧化锌前体的氧化锌薄膜的沉积方法，更具体地说，涉及一种能够沉积高纯度和高质量氧化锌薄膜的氧化锌前体及其制备方法使用其沉积氧化锌薄膜。为了实现这一点，本发明提供一种氧化锌前体，其包含：由至少两种有机溶剂混合物组成的混合溶剂; 以及在混合溶剂中稀释的由二乙基锌或二甲基锌组成的原料，以及使用其制备氧化锌薄膜的方法。（标号）（AA）庚烷; （BB）辛烷; （CC）核酸; （DD）戊烷; （EE）二乙基锌

2. 发明授权

KR101267981B1 단결정 성장장치 및 그 성장방법 有权
标题翻译：单晶生长装置
公开(公告)号：KR101267981B1
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020110052979
申请日：2011-06-01
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이동용 , 박종세 , 장봉희 , 김동운
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/20 , H01L31/00
摘要： 본발명은단결정성장장치에관한것으로서더욱상세하게는 HDC법에의한단결정성장시 온도구배의안정화를통해고품질의대형사파이어단결정을성장시킬수 있는단결정성장장치및 그성장방법에관한것이다. 이를위해본 발명은, 내부에히트존이구획되어있는단결정성장장치에있어서, 원재료및 단결정종자를수용하고상기히트존에장입또는취출가능하게형성되는도가니; 및상기히트존에설치되고상기원재료및 상기단결정종자를가열하여부분용융시켜용융물을생성시키는히터를포함하고, 상기용융물에대한응고가진행되면, 상기용융물의고-액계면에가해지는열을점진적으로감소시키는것을특징으로하는단결정성장장치및 그성장방법을제공한다.

3. 发明公开

KR1020130024482A 수직형 발광 다이오드용 기판 无效
标题翻译：垂直发光二极管基板
公开(公告)号：KR1020130024482A
公开(公告)日：2013-03-08
申请号：KR1020110087954
申请日：2011-08-31
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김경준 , 김민주 , 장봉희 , 이보현 , 김동현 , 박종세
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/20
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L33/405
摘要： PURPOSE: A substrate for a vertical light emitting diode is provided to reduce manufacturing costs by not using an additional substrate. CONSTITUTION: A material(100) has conductivity and reflectivity. An N-type gallium nitride(GaN) layer(200) is formed on the material. The material forms a single layer. A reflection layer is formed on a conductive layer. A bonding layer is interposed between the conductive layer and the reflection layer.
摘要翻译：目的：提供用于垂直发光二极管的基板，以通过不使用附加基板来降低制造成本。构成：材料（100）具有导电性和反射率。在该材料上形成N型氮化镓（GaN）层（200）。材料形成单层。在导电层上形成反射层。在导电层和反射层之间插入接合层。

4. 发明公开

KR1020120140535A 단결정 성장장치 및 그 성장방법 无效
标题翻译：单晶生长装置
公开(公告)号：KR1020120140535A
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020110060338
申请日：2011-06-21
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김동운 , 박종세 , 장봉희 , 이동용
IPC分类号： C30B29/20 , C30B11/00 , C30B15/10 , C30B15/20
摘要： PURPOSE: An apparatus and method for growing a single crystal are provided to reduce power consumption by shortening a cycle of a single crystal growing process. CONSTITUTION: A preheating unit(110) preheats a single crystal seed and raw materials inputted to a crucible and receives the crucible. A growing unit(120) receives the crucible from the preheating unit and grows a single crystal by horizontally moving the crucible for solidification after the raw materials and the single crystal seed are partially melt. An annealing unit(130) anneals the single crystal by receiving the crucible from the growing unit. A cooling unit(140) cools the single crystal by receiving the crucible from the annealing unit.
摘要翻译：目的：提供用于生长单晶的装置和方法，以通过缩短单晶生长过程的循环来降低功耗。构成：预热单元（110）预热单晶种子和输入坩埚的原料并接收坩埚。生长单元（120）从预热单元接收坩埚，并且在原料和单晶种子部分熔融之后，通过水平移动坩埚进行固化，生长单晶。退火单元（130）通过从生长单元接收坩埚来退火单晶。冷却单元（140）通过从退火单元接收坩埚来冷却单晶。

5. 发明公开

KR1020120077341A 수평식 일방향성 응고를 통해 잉곳을 생산하는 도가니 失效
标题翻译：可以使用水平方向固化产品
公开(公告)号：KR1020120077341A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100139268
申请日：2010-12-30
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 장봉희 , 박종세 , 김동운 , 이동용
IPC分类号： C30B21/02 , H01L21/02 , C30B29/20 , C30B29/38
摘要： PURPOSE: A crucible is provided to enhance ingot utilization by changing the size and shape of an ingot, thereby enhancing productivity of a board process. CONSTITUTION: A seed for smoothly inducing the initial growth of an ingot is mounted in a seed mounting unit(311). A plurality of ingot growing units(312) is connected with the seed mounting unit in order to have a predetermined angle. The plurality of ingot growing units is formed into a lozenge form. Raw material of melting state coagulates in a same direction as the seed mounted on the seed mounting unit. The ingot which is grown in the plurality of ingot growing units is sapphire. A crucible is composed of molybdenum and the upper side of the crucible is opened in order to be filled with the raw material.
摘要翻译：目的：通过改变锭的尺寸和形状来提供坩埚以提高锭的利用率，从而提高板工艺的生产率。构成：用于平滑地诱导锭的初始生长的种子安装在种子安装单元（311）中。多个锭生长单元（312）与种子安装单元连接以便具有预定的角度。多个锭生长单元形成为菱形。熔化状态的原料与安装在种子安装单元上的种子相同的方向凝结。在多个锭生长单元中生长的锭是蓝宝石。坩埚由钼组成，打开坩埚的上侧以填充原料。

6. 发明公开

KR1020140131632A 화학 기상 증착 장치 无效
标题翻译：化学蒸气沉积装置
公开(公告)号：KR1020140131632A
公开(公告)日：2014-11-14
申请号：KR1020130050405
申请日：2013-05-06
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 서중원 , 권지민 , 박종세
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/46
摘要： 본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 시드에 증착막을 성장시킬 수 있는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 원료 가스의 화학 반응이 진행되는 반응관; 상기 반응관 하부에 형성되어 원료 가스를 주입하는 가스 주입부; 상기 반응관 상부에 형성되어 시드(seed)에 증착되지 않은 클러스터(cluster) 및 원료 가스를 배출하는 가스 배출부; 상기 반응관 내에 설치되어 상기 시드를 고정하는 시드 홀더; 상기 반응관의 외주면을 따라 설치되는 제 1 가열부; 및 상기 반응관의 외주면을 따라 설치되되, 상기 반응관의 높이 방향을 따라 상·하 이동 가능한 제 2 가열부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치를 제공한다.
摘要翻译：化学气相沉积装置技术领域本发明涉及一种化学气相沉积装置，更具体地说，涉及能够在种子上生长沉积膜的化学气相沉积装置。本发明提供了一种化学气相沉积装置，包括：用于进行源气体的化学反应的反应管; 气体注入部，形成在反应管的下部，以喷射源气体; 在反应管的上部形成气体排出部分，以排出源气体和未沉积在种子上的簇; 种子保持器安装在反应管内以固定种子; 沿着反应管的外周面安装的第一加热部; 以及沿反应管的外周面安装的第二加热部，能够沿着反应管的高度方向垂直移动。

7. 发明公开

KR1020140022220A 단결정 성장 방법 및 이를 위한 단결정 성장 장치 无效
标题翻译：用于生长单晶和其设备的方法
公开(公告)号：KR1020140022220A
公开(公告)日：2014-02-24
申请号：KR1020120088535
申请日：2012-08-13
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 서중원 , 박종세 , 우광제
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/36 , H01L21/205
摘要： The present invention relates to a method and apparatus for growing single crystal, more specifically to a method and apparatus for growing single crystal by a sublimation-recrystallization method. Accordingly, the method for growing single crystal grows single crystal by sputtering the raw material on seed by sublimating. The method comprises the steps of: charging the raw material in a crucible and attaching the seed on a seed holder; and growing the single crystal in the seed by heating the crucible. In the step of growing the single crystal, a constant distance between the growing side of the single crystal and the surface of the raw material is kept. [Reference numerals] (S100) Charging raw material in a crucible and attaching seed on a seed holder; (S200) Growing single crystal by heating the crucible
摘要翻译：本发明涉及用于生长单晶的方法和装置，更具体地涉及通过升华 - 再结晶法生长单晶的方法和装置。因此，生长单晶的方法通过升华将原料溅射在种子上而生长单晶。该方法包括以下步骤：将原料装入坩埚中并将种子连接在种子保持器上; 并通过加热坩埚来种植种子中的单晶。在生长单晶的步骤中，保持单晶生长侧与原料表面之间恒定的距离。（附图标记）（S100）将坩埚中的原料充电并将种子附着在种子保持器上; （S200）通过加热坩埚生长单晶

8. 发明授权

KR101274437B1 잉곳 제조 장치 失效
标题翻译：用于制造单晶的装置
公开(公告)号：KR101274437B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020100139269
申请日：2010-12-30
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김동운 , 박종세 , 장봉희 , 이동용
IPC分类号： C30B21/02 , H01L21/02 , C30B29/20 , C30B29/38
摘要： 본 발명의 수평식 일방향성 응고를 통해 잉곳을 제조하는 잉곳 제조 장치는, 초기 잉곳 성장을 유도하는 씨드(seed)가 장착되는 씨드 장착부와 용융 상태의 원료가 씨드 장착부에 장착된 씨드(seed)와 동일한 결정방향으로 응고되어 잉곳 성장하는 잉곳성장부를 포함하는 도가니, 도가니에 충진된 원료를 융용시키며 도가니 잉곳성장부의 외부를 둘러싸는 발열체를 포함하는 존 멜팅 장치, 도가니와 존 멜팅 장치가 내부에 장착되는 챔버, 챔버 내부에 설치되며 도가니에 고체 상태의 원료를 공급하는 원료 공급부 및, 챔버 외부에 설치되며 원료 공급부와 존 멜팅 장치의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.

9. 发明授权

KR101274436B1 수평식 일방향성 응고를 통해 잉곳을 생산하는 도가니 失效
标题翻译：使用水平定向凝固的产品锭可靠
公开(公告)号：KR101274436B1
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020100139268
申请日：2010-12-30
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 장봉희 , 박종세 , 김동운 , 이동용
IPC分类号： C30B21/02 , H01L21/02 , C30B29/20 , C30B29/38
摘要： 본 발명의 수평식 일방향성 응고를 통해 잉곳을 생산하는 도가니는, 초기 잉곳 성장을 원활하게 유도하기 위한 씨드(seed)가 장착되는 씨드 장착부와, 씨드 장착부와 소정 각도를 갖도록 연결되며, 용융 상태의 물질이 씨드 장착부에 장착된 씨드(seed)와 동일한 결정방향으로 응고되어 잉곳 성장하는 잉곳성장부를 포함하되, 잉곳 성장부는 중간부분의 폭이 가장 길고, 중간부분부터 끝부분으로 갈수록 폭이 작아지는 것을 특징으로 한다.

10. 发明授权

KR101245534B1 ＧａＮ 기판 제조용 성장로 失效
标题翻译：用于制造氮化铝基板的炉
公开(公告)号：KR101245534B1
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：KR1020110114535
申请日：2011-11-04
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이동용 , 박종세
IPC分类号： H01L21/20 , C30B29/38 , C30B25/00 , C30B35/00
CPC分类号： C30B25/12 , C30B25/10 , C30B29/406
摘要： PURPOSE: A chamber for manufacturing a GaN substrate is provided to improve the growth quality of a substrate by preventing cracks of the substrate. CONSTITUTION: A chamber(110) accommodates a substrate(5). The chamber has a gas inlet and a gas outlet. A heater is installed in the chamber. GaN is deposited on the substrate. The heater heats gas in the chamber.
摘要翻译：目的：提供用于制造GaN衬底的室，以通过防止衬底的裂纹来改善衬底的生长质量。构成：室（110）容纳衬底（5）。该室具有气体入口和气体出口。加热器安装在室内。 GaN沉积在衬底上。加热器加热室内的气体。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式