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1. 发明授权

KR101199562B1 다결정 실리콘 잉곳 제조장치 失效
标题翻译：多晶硅制造设备
公开(公告)号：KR101199562B1
公开(公告)日：2012-11-12
申请号：KR1020090086116
申请日：2009-09-11
申请人： 주식회사 인솔텍
发明人： 김영조
IPC分类号： C30B21/02
摘要： 본 발명은 다결정 실리콘 잉곳 제조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 대형 실리콘 잉곳 제조장치에서도 실리콘 원료의 가열 시 균일한 용융이 가능하고, 냉각 시 열충격을 최소화하여 원활한 결정립의 생성이 가능한 다결정 실리콘 잉곳 제조장치의 하부 구조에 관한 것이다. 이를 위하여, 실리콘 원료를 용융하기 위한 도가니와 상기 도가니를 가열하기 위해 둘러싼 히터부와 상기 히터부의 단열을 위해 히터부를 둘러싼 단열부와 상기 도가니의 냉각을 위해 하부에 위치한 냉각부를 포함하여 이루어진 다결정 실리콘 잉곳 제조장치에 있어서, 도가니와, 상기 도가니를 감싸 받치는 도가니 서포터와, 상기 히터부 중에 상기 도가니 서포터의 하부에 위치한 히터와, 상기 히터의 하부에 위치하고 상부에 상기 히터를 수용하는 수용공간이 형성된 열전도 내열 블록과, 상기 단열부 중에 상기 열전도 내열 블록의 하부에 위치한 단열판과, 상기 단열판의 하부에 위치한 냉각판이 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

2. 发明公开

KR1020110025431A 실리콘 정제장치 无效
标题翻译：硅精炼设备
公开(公告)号：KR1020110025431A
公开(公告)日：2011-03-10
申请号：KR1020090083498
申请日：2009-09-04
申请人： 주식회사 메르디안솔라앤디스플레이
发明人： 박장순
IPC分类号： C30B21/02 , C30B35/00
摘要： PURPOSE: A silicon purifier is provided to minimize the thermal loss by hardening the silicon from one direction in the hardening chamber. CONSTITUTION: A refinery(110) includes the melting furnace which fuses the silicon. A plurality of hardening chambers(130) is arranged around the refinery. The plurality of hardening chambers contains the crucible inside. The refinery rotates in order to transfer the fused silicon to one hardening chamber which is selected out of the plurality of hardening chambers.
摘要翻译：目的：提供硅纯化器，以通过在硬化室中从一个方向硬化硅来最小化热损失。构成：炼厂（110）包括熔化硅的熔化炉。在炼油厂周围布置有多个硬化室（130）。多个硬化室内装有坩埚。炼油厂旋转以将熔融硅转移到从多个硬化室中选出的一个硬化室。

3. 发明公开

KR1020030095388A 벌크 단결정 갈륨함유 질화물을 얻기 위한 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于获得大块单晶含镓氮化物的方法和设备
公开(公告)号：KR1020030095388A
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020037001726
申请日：2002-05-17
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 , 암모노 에스피. 제트오. 오.
发明人： 듀이린스키로버트토마즈 , 도라진스키로만마렉 , 시에르즈토브스키레젝피오트르 , 가르친스키저지 , 간바라야스오
IPC分类号： C30B21/02
CPC分类号： C30B29/406 , C30B7/00 , C30B7/10 , C30B29/403 , H01S5/0281 , H01S5/32341 , Y10T117/10 , Y10T117/102 , Y10T117/1024
摘要： 본 발명은 갈륨함유 질화물 결정을 제조하는 암모노염기성 방법에 관한 것으로, 갈륨함유 공급원료는 알칼리금속함유 성분이 있는 초임계 질소함유 용매내에 적어도 하나의 결정화 시드 상에 결정화된다. 본 방법은 고품질의 단결정의 갈륨함유 질화물 결정을 제공할 수 있다.

4. 发明授权

KR101954785B1 다중결정 실리콘 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101954785B1
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：KR1020177018795
申请日：2016-01-29
申请人： 와커 헤미 아게
发明人： 헤세카를 , 도른베르거에리히 , 라이만크리스티안
IPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00 , C30B29/12 , C30B21/02 , H01L31/0368

5. 发明授权

KR101813794B1 회전원판 결정화 기기를 이용하는 결정 제조 방법 有权
标题翻译：使用旋转圆盘结晶器的结晶制造方法
公开(公告)号：KR101813794B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020160069480
申请日：2016-06-03
申请人： 경희대학교 산학협력단
发明人： 김우식 , 이준화 , 유태경
IPC分类号： C30B15/30 , C30B29/00 , C30B21/02
摘要： 본발명은결정화대상물질을회전원판기기가구비된반응기에유입시키는단계; 및회전속도및 결정화대상물질의과포화도를조절하여, 상기회전원판기기를회전시키는단계를포함하는결정제조방법에관한것으로서, 보다빠른시간내에안정적인결정을고순도로형성하는효과를갖는다.
摘要翻译：结晶靶材的制造方法技术领域本发明涉及结晶靶材的制造方法，并调整待结晶物质的转速和过饱和度，从而使转盘装置转动，本发明具有在较短时间内形成高纯度稳定晶体的效果。

6. 发明公开

KR1020170137987A 회전원판 결정화 기기를 이용하는 결정 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR1020170137987A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020160069480
申请日：2016-06-03
申请人： 경희대학교 산학협력단
发明人： 김우식 , 이준화 , 유태경
IPC分类号： C30B15/30 , C30B29/00 , C30B21/02
摘要： 본발명은결정화대상물질을회전원판기기가구비된반응기에유입시키는단계; 및회전속도및 결정화대상물질의과포화도를조절하여, 상기회전원판기기를회전시키는단계를포함하는결정제조방법에관한것으로서, 보다빠른시간내에안정적인결정을고순도로형성하는효과를갖는다.

7. 发明公开

KR1020170094317A 다중결정 실리콘 제조방법 审中-实审
标题翻译：多晶硅制造方法
公开(公告)号：KR1020170094317A
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：KR1020177018795
申请日：2016-01-29
申请人： 와커 헤미 아게
发明人： 헤세카를 , 도른베르거에리히 , 라이만크리스티안
IPC分类号： C30B29/06 , C30B11/00 , C30B29/12 , C30B21/02 , H01L31/0368
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/002 , C30B21/02 , C30B29/12 , H01L31/0368
摘要： 다중결정실리콘(multicrystalline silicon)의제조방법으로서, -실리콘용융물을수용하기위한도가니로서, 하부및 내부표면을가지며, 적어도상기도가니의하부가 SiN, 산화된 SiN,및 SiO로구성되는그룹에서선택되는하나이상의화합물을포함하는코팅을가지는, 도가니를제공하는단계, -상기도가니의하부의코팅과접촉하도록, 상기도가니에실리콘층을배열하는단계, -상기실리콘층과접촉하도록, 다결정실리콘(polycrystalline silicon)을상기도가니에배열하는단계, -실리콘용융물을얻기위해, 상기다결정실리콘및 상기실리콘층이완전히용융될때까지상기도가니를가열하는단계, -다중결정실리콘블록(block)을형성하도록, 상기실리콘용융물을일방향으로응고(directionally solidifying)시키는단계를 포함하고, 상기실리콘층은, 상기도가니를가열하는동안및/또는상기실리콘층을용융하는동안, 환원제를방출하는, 다중결정실리콘의제조방법.
摘要翻译：一种制造多晶硅（多晶硅），的方法： - 用于接收一个硅熔体的坩埚，具有下部部分和内表面，至少在炉子的从由SiN构成的组中，被氧化的SiN和SiO选择的下部包括以下步骤：提供具有包含至少一种化合物，与所述硅层接触的多晶硅的涂层的坩埚（多晶硅 - 布置在炉的硅层，以接触所述坩埚的底部涂层， - 加热坩埚直到多晶硅和硅层完全熔化以获得硅熔体， - 形成硅熔体定向固化硅层，同时加热坩埚和/或通过熔化硅层，一种用于制造多晶硅，其释放出的还原剂的方法。

8. 发明授权

KR101217458B1 회전형 도어 개폐장치가 구비된 다결정 실리콘 주괴 제조장치 失效
标题翻译：用于制造具有可旋转的门打开/关闭装置的聚晶硅锭的装置
公开(公告)号：KR101217458B1
公开(公告)日：2013-01-07
申请号：KR1020090090382
申请日：2009-09-24
申请人： 주식회사 글로실
发明人： 김한성
IPC分类号： C30B21/02 , C30B35/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B11/003 , C30B11/006 , C30B35/00
摘要： 본발명은회전형도어개폐장치가구비된다결정실리콘주괴제조장치에관한것으로, 소정크기의진공챔버와, 상기진공챔버내에구비되어실리콘원 소재를수용하는도가니와, 상기도가니내의실리콘원 소재를용융시키기위해열을가하는히터와, 상기도가니하측으로구비되는써셉터, 상기도가니내에용융된실리콘을성장시키기위해열을방출시키는냉각판과, 상기도가니와냉각판사이에구비되어실리콘용융또는성장시키기위해열방출을구속하는도어개폐장치와, 상기도가니의온도를측정하는온도센서및 상기온도센서의출력값을받아도가니내의실리콘의용융및 균일한성장이이루어지도록도가니내의온도를제어하는제어부를포함하는다결정실리콘주괴제조장치에있어서, 상기도어개폐장치는소정간격을두고개방부가형성된제 1도어와제 2도어로구성되고, 상기제 1도어와제 2도어간에상대회전을통해개방부를선택적으로개폐하는구동부를포함하여구성되는것을특징으로한다.

9. 发明公开

KR1020120077341A 수평식 일방향성 응고를 통해 잉곳을 생산하는 도가니 失效
标题翻译：可以使用水平方向固化产品
公开(公告)号：KR1020120077341A
公开(公告)日：2012-07-10
申请号：KR1020100139268
申请日：2010-12-30
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 장봉희 , 박종세 , 김동운 , 이동용
IPC分类号： C30B21/02 , H01L21/02 , C30B29/20 , C30B29/38
摘要： PURPOSE: A crucible is provided to enhance ingot utilization by changing the size and shape of an ingot, thereby enhancing productivity of a board process. CONSTITUTION: A seed for smoothly inducing the initial growth of an ingot is mounted in a seed mounting unit(311). A plurality of ingot growing units(312) is connected with the seed mounting unit in order to have a predetermined angle. The plurality of ingot growing units is formed into a lozenge form. Raw material of melting state coagulates in a same direction as the seed mounted on the seed mounting unit. The ingot which is grown in the plurality of ingot growing units is sapphire. A crucible is composed of molybdenum and the upper side of the crucible is opened in order to be filled with the raw material.
摘要翻译：目的：通过改变锭的尺寸和形状来提供坩埚以提高锭的利用率，从而提高板工艺的生产率。构成：用于平滑地诱导锭的初始生长的种子安装在种子安装单元（311）中。多个锭生长单元（312）与种子安装单元连接以便具有预定的角度。多个锭生长单元形成为菱形。熔化状态的原料与安装在种子安装单元上的种子相同的方向凝结。在多个锭生长单元中生长的锭是蓝宝石。坩埚由钼组成，打开坩埚的上侧以填充原料。

10. 发明公开

KR20100132792A Manufacturing method for silicon ingot 有权
标题翻译：硅胶制造方法
公开(公告)号：KR20100132792A
公开(公告)日：2010-12-20
申请号：KR20090051566
申请日：2009-06-10
申请人： KOREA INST CERAMIC ENG & TECH
发明人： CHOI KYOON , EUM JUNG HYUN , HWANG KWANG TAEK , KIM KYUNG JA
IPC分类号： C30B21/02 , C30B29/06
摘要： PURPOSE: A method for easily manufacturing a silicon ingot is provided to remove dopant impurity from silicon powder and a molded product through a plasma process. CONSTITUTION: A metallic silicon lump is ground to silicon powder(S10). The silicon powder is dipped in an acid solution and remove impurity material from the silicon powder(S20). The silicon powder is formed as a silicon molding product through acid processing(S30). The silicon molding product is plasma-processed(S40).
摘要翻译：目的：提供一种用于容易地制造硅锭的方法，以通过等离子体工艺从硅粉末和模制产品中除去掺杂剂杂质。构成：将金属硅团磨成硅粉（S10）。将硅粉浸入酸溶液中，从硅粉中除去杂质物质（S20）。通过酸处理将硅粉形成为硅成型体（S30）。硅成型产品经等离子体处理（S40）。

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