专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR100887245B1 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 有权
标题翻译：激光加工设备和使用光束分割的方法
公开(公告)号：KR100887245B1
公开(公告)日：2009-03-06
申请号：KR1020060075585
申请日：2006-08-10
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 유태경 , 이학용 , 정원철 , 서기홍 , 김태현 , 이동준 , 홍은정
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/064
摘要： 웨이퍼 상에 형성된 저유전(low-k) 물질을 효과적으로 제거하기 위한 레이저 가공 장치 및 방법을 제시한다.
본 발명의 레이저 가공 장치는 레이저 빔을 방출하는 레이저 발생 수단, 레이저 발생 수단에서 출사되는 레이저 빔을 2분할하되, 2분할된 레이저 빔의 간격이 제거 대상 영역 저유전 물질의 두 에지 간의 간격이 되도록 분할하여 미러로 입사시키는 빔 분할 수단 및 미러로부터 반사되는 분할된 레이저 빔을 대상물로 주사하는 광학계를 포함하고, 본 발명의 레이저 가공 방법은 제거 대상 영역 저유전 물질의 에지 부분의 위치 및 에지 간의 간격, 레이저 빔의 출력 전력을 포함하는 가공 파라미터를 설정하는 단계, 레이저를 방출하고 2분할하는 단계, 2분할된 레이저 빔을 제거 대상 영역 저유전 물질의 두 에지 부분으로 각각 조사하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면, 저유전 물질을 효과적이고 간단하게 제거할 수 있어 가공 속도 및 품질을 개선할 수 있다.
저유전 물질, 레이저, 에지

2. 发明公开

KR1020080079828A 레이저 가공 장치 및 방법 无效
标题翻译：激光加工设备和方法
公开(公告)号：KR1020080079828A
公开(公告)日：2008-09-02
申请号：KR1020070020329
申请日：2007-02-28
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 홍은정 , 정원철 , 김태현 , 이학용 , 이동준 , 유태경 , 임재관
IPC分类号： B23K26/08 , B23K26/067 , B23K26/00
CPC分类号： B23K26/067 , B23K26/0652 , B23K26/066 , B23K26/0676 , B23K26/0736 , B23K26/082 , B23K26/0821 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50
摘要： A laser machining apparatus and a laser machining method are provided to improve machining quality of the workpiece and machining efficiency of the workpiece by machining a workpiece after splitting a laser beam projected in into at least two laser beams and moving a stage in the direction opposite to the irradiation direction of the laser beams. A laser machining apparatus comprises: a control part(101) for controlling the overall operation of the apparatus; a laser generating unit(103) for outputting a laser beam with a designated caliber; a beam splitting unit(105) for splitting a laser beam projected from the laser generating unit into at least two laser beams; a driver(107) for driving the beam scanner; an input part(109) for inputting control parameters and control instructions; an output part(111) for displaying information of an operating state, etc.; a storage part(113) for storing data; a beam scanner(115) enabling laser beams projected from the beam splitting unit to be scanned straightly and repeatedly in a designated section of a machining position on a workpiece; an optical system(117) for condensing laser beams reflected from the beam scanner to irradiate the condensed laser beam onto the workpiece; and a stage transfer unit(123) for transferring at least once a stage(121) having the workpiece placed thereon in the direction opposite to the irradiation direction of the laser beam while machining the workpiece.
摘要翻译：提供激光加工装置和激光加工方法以通过在将投影到至少两个激光束中的激光束分裂之后加工工件来加工工件的加工质量和加工效率，并且沿相反方向移动台阶激光束的照射方向。一种激光加工设备，包括：用于控制设备的整体操作的控制部分（101）用于输出具有指定口径的激光束的激光产生单元（103）分束单元，用于将从激光产生单元投影的激光束分成至少两个激光束; 用于驱动光束扫描器的驱动器（107）; 用于输入控制参数和控制指令的输入部分（109）; 用于显示操作状态信息的输出部分（111）等。存储部件（113），用于存储数据; 光束扫描器（115），使得能够在分割单元投影的激光束在工件上的加工位置的指定部分中被直线地重复扫描; 用于会聚从光束扫描器反射的激光束照射到工件上的聚光激光束的光学系统（117）以及用于在加工所述工件的同时在与激光束的照射方向相反的方向上放置其上放置有工件的台阶（121）至少一次传送的台转移单元（123）。

3. 发明公开

KR1020060082520A 패시베이션층이 형성된 대상물 가공 방법 有权
标题翻译：用于处理具有钝化层的对象的方法
公开(公告)号：KR1020060082520A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050002900
申请日：2005-01-12
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 한유희 , 홍은정 , 서종현 , 정원철 , 이학용 , 이동준
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31105 , B23K26/18 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L21/3086
摘要： 패시베이션층이 형성된 대상물 가공시 패시베이션층을 효과적으로 제거하여 가공 대상물의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 패시베이션층이 형성된 대상물 가공 방법을 제시한다.
본 발명의 대상물 가공 방법은 대상물을 가공 챔버내로 이동시킨 후 가공 방향으로 이송하는 단계, 비활성 물질이 포함된 상태에서 상기 대상물의 가공 부위에 레이저 빔을 조사하여, 상기 레이저 빔과 비활성 물질의 반응에 의해 패시베이션층 상의 가공 부위에 플라즈마를 생성하고, 플라즈마에 의해 패시베이션층이 제거되도록 하는 단계 및 레이저 빔에 의해 실리콘 기판을 가공하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 대상물 가공을 위한 광학 기구나 레이저 소스의 변경 없이 패시베이션층을 효율적으로 제거할 수 있다.
패시베이션층, 플라즈마, UV 레이저

4. 发明公开

KR1020080014935A 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 有权
标题翻译：激光加工设备和使用光束分离的方法
公开(公告)号：KR1020080014935A
公开(公告)日：2008-02-15
申请号：KR1020060075585
申请日：2006-08-10
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 유태경 , 이학용 , 정원철 , 서기홍 , 김태현 , 이동준 , 홍은정
IPC分类号： B23K26/06 , B23K26/064
摘要： An apparatus and a method for laser processing using laser beam split are provided to improve processing efficiency of the wafer by removing a low dielectric material remained between the edge parts after removing edge parts of a low dielectric material on a region to be removed of the wafer using laser beam when processing a wafer on which a dielectric material is formed. A laser processing apparatus includes: a control part(110) for controlling the entire operation of the apparatus; a laser generating unit(120) for outputting a laser beam with a designated aperture; a beam splitting unit(130) for splitting a laser beam projected from the laser generating unit into two laser beams; a mirror drive part(140) for driving the mirror; an input part(150) for inputting control parameters and control instructions; an output part(160) for indicating information such as an operating state; a storage part(170) for storing data; a mirror(10) for reflecting laser beams projected from the beam splitting unit onto a surface of a workpiece(14) having a low dielectric material formed on an upper portion thereof; and an optical system(12) for condensing the laser beams reflected from the mirror or converting shape of the condensed laser beam to irradiate split laser beams onto edge parts of the low dielectric material on a region to be removed of the workpiece. The workpiece having the low dielectric material formed thereon is placed on a stage(16), and the stage is moved in the designated direction by a transfer unit(18).
摘要翻译：提供使用激光束分割的激光加工的装置和方法，以通过在去除晶片的区域上去除低电介质材料的边缘部分之后去除留在边缘部分之间的低电介质材料来提高晶片的处理效率当处理其上形成有电介质材料的晶片时，使用激光束。一种激光加工设备，包括：控制部件，用于控制设备的整个操作; 用于输出具有指定孔径的激光束的激光产生单元（120）分束单元，用于将从激光产生单元投影的激光束分成两束激光束; 用于驱动反射镜的镜驱动部件（140）用于输入控制参数和控制指令的输入部分（150）用于指示诸如操作状态的信息的输出部分（160）用于存储数据的存储部分（170）; 用于将从分束单元投影的激光束反射到形成在其上部的具有低电介质材料的工件（14）的表面上的反射镜（10）以及用于会聚从反射镜反射的激光束或聚焦激光束的形状的光学系统（12），以将分离的激光束照射到要被去除的区域上的低介电材料的边缘部分上。形成在其上的具有低电介质材料的工件放置在台架（16）上，并且台架通过转印单元（18）在指定方向移动。

5. 发明授权

KR100601905B1 산소 차폐 장치와 이를 이용한 레이저 가공 장치 및 방법 有权
标题翻译：专利申请标题：OXYGEN SHIELDING APPARATUS
公开(公告)号：KR100601905B1
公开(公告)日：2006-07-18
申请号：KR1020050015082
申请日：2005-02-23
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 한유희 , 이동준 , 서종현 , 정원철 , 이학용 , 홍은정
IPC分类号： H01L21/02 , H01S3/10
摘要： 본 발명은 레이저 빔을 이용한 대상물 가공시 대상물로부터 분출되는 용융물과 산소의 결합을 방지하여 가공 효율을 향상시키기 위한 산소 차폐 장치와 이를 이용한 레이저 가공 장치 및 방법에 관한 것으로, 기둥 형상의 레이저 빔 입사부, 레이저 빔 입사부로부터 연장되는 기둥 형상을 가지며 대상물 표면에 기체를 분사하여 산소와 대상물의 용융물이 결합하는 것을 방지하기 위한 제 1 가스 유입부, 제 1 가스 유입부의 외주면에 제 1 가스 유입부와 독립적인 공간을 갖도록 제 1 가스 유입부의 둘레보다 큰 둘레의 기둥 형상으로 형성되며, 대상물 가공시 대상물 표면에 기체를 분사하여 산소와 대상물의 용융물이 결합하는 것을 방지하기 위한 제 2 가스 유입부, 레이저 빔 입사부로 유입되는 레이저 빔과 제 1 및 제 2 가스 유입부로 주입되는 기체를 각각 방출하기 위한 가스 및 레이저 빔 방출부 및 레이저 빔 입사부와 제 1 가스 유입부 사이에 형성되어 외부 장치와 결합되는 고정부재를 포함하는 산소 차폐 장치를 이용하여 대상물을 가공함으로써, 가공 효율을 증대시키고 다이 강도를 향상시킬 수 있다.
레이저 가공, 용융물 산화, 산소 차폐, 실리콘 웨이퍼 절단
摘要翻译：本发明涉及一种氧屏蔽装置和激光加工装置以及使用该改善通过防止使用激光束，所述柱接合部分的激光束加工物体时的熔体和氧气从对象喷出的结合的处理效率的方法第一气体入口，在所述外周面的气体入口部部分的第一气体入口具有从所述激光束入射部延伸，用于防止气体喷射到物体表面结合氧的熔融和物体的圆柱状独立并以具有空间大周长比周边气体入口部分的第一柱的形成，第2部分为气体的对象处理过程中喷射到物体表面上的进气口可以防止氧气和上述目的，激光的组合熔体引入束入射部分的激光束和注入第一和第二气体入口部分的气体通过在各气体和用于发射和激光束入射部和所述第1部分的气体入口，通过使用氧气屏蔽装置，包括经耦合以与外部设备的固定部件加工物体的激光束发射部分之间形成，从而增加了处理效率而且模具的强度可以提高。

6. 发明授权

KR100884629B1 레이저 가공 장치 및 방법 有权
标题翻译：激光加工设备及方法
公开(公告)号：KR100884629B1
公开(公告)日：2009-02-23
申请号：KR1020070078495
申请日：2007-08-06
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 이동준 , 이학용 , 정원철 , 김태현
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/78 , H01S3/10
摘要： 레이저를 이용한 대상물 가공시 다이 강도를 보장할 수 있는 레이저 가공 장치 및 방법을 제시한다.
본 발명의 레이저 가공 장치는 레이저 발생 수단에서 출사되는 레이저 빔을 제 1 내지 제 3 레이저 빔으로 3분할하여, 제 1 레이저 빔을 대상물의 가공 라인에 조사하고, 제 2 및 제 3 레이저 빔을 가공 라인으로부터 지정된 거리 이격된 위치에 조사하는 빔 분할 수단을 포함하여, 다이강도를 향상시킬 수 있고, 이에 따라 대상물의 가공 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
다이 강도, 2차 가공

7. 发明公开

KR1020090014498A 레이저 가공 장치 및 방법 有权
标题翻译：激光加工设备和方法
公开(公告)号：KR1020090014498A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070078495
申请日：2007-08-06
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 이동준 , 이학용 , 정원철 , 김태현
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/78 , H01S3/10
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/064 , B23K26/38
摘要： A laser processing apparatus and method is provided to improve die intensity by removing the part in which the thermal stress of the processing line surrounding is generated when processing a target with the laser beam. In a laser processing apparatus and method, an objects(160) is mounted on the stage(170). A control parameter is set up according to kind and processing purpose of the objects. A stage is transferred to the set speed by the stage transfer unit(180). The laser beam is divided to the first or third laser beam, and the first laser beam is irradiated on the objects after blocking a second and a third laser beam by shutter. The first or third laser beam is irradiated on the objects by opening a shutter.
摘要翻译：提供一种激光加工装置和方法，通过移除在用激光束处理目标物时产生周围处理线的热应力的部分来提高模具强度。在激光加工装置和方法中，物体（160）安装在台架（170）上。根据物体的种类和处理目的设置控制参数。舞台转移单元（180）将舞台转移到设定速度。激光束被分割为第一或第三激光束，并且通过快门阻挡第二和第三激光束之后，将第一激光束照射在物体上。通过打开快门将第一或第三激光束照射在物体上。

8. 发明授权

KR100747066B1 반도체 소자 코팅 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 가공방법 有权
标题翻译： 반도체소자코팅장치및이를이용한반도체소자가공방
公开(公告)号：KR100747066B1
公开(公告)日：2007-08-07
申请号：KR1020060083405
申请日：2006-08-31
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 홍은정 , 정원철 , 서기홍 , 김태현 , 이학용 , 이동준
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02
摘要： An apparatus for coating a semiconductor device and a method for processing the semiconductor device using the same are provided to prevent the damage and contamination of a semiconductor chip due to particles by forming a predetermined coating at sides of the semiconductor device as well as an upper surface using a coating agent supply unit, an auxiliary gas supply unit and a swingable nozzle. An apparatus for coating a semiconductor device includes a control unit(110) for controlling the operation of the apparatus, a coating agent supply unit(150), an auxiliary gas supply unit(160), a nozzle, and a support unit. The nozzle(170) is used for spraying simultaneously or sequentially a coating agent supplied from the coating agent supply unit and an auxiliary gas supplied from the auxiliary gas supply unit onto the semiconductor device. The nozzle is capable of being swung during the spraying process. The support unit(180) is used for loading stably the object body.
摘要翻译：提供了一种用于涂覆半导体器件的装置和使用该装置的半导体器件的处理方法，以通过在半导体器件的侧面形成预定的涂层以及防止由于颗粒造成的半导体芯片的上表面使用涂布剂供应单元，辅助气体供应单元和可摆动喷嘴。用于涂覆半导体器件的设备包括用于控制设备的操作的控制单元（110），涂层剂供应单元（150），辅助气体供应单元（160），喷嘴和支撑单元。喷嘴（170）用于同时或顺序地将由涂层剂供应单元供应的涂层剂和从辅助气体供应单元供应的辅助气体喷射到半导体器件上。喷嘴在喷涂过程中能够摆动。支撑单元（180）用于稳定地加载物体。

9. 发明授权

KR100689698B1 패시베이션층이 형성된 대상물 가공 방법 有权
标题翻译：处理具有钝化层的对象的方法
公开(公告)号：KR100689698B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050002900
申请日：2005-01-12
申请人： 주식회사 이오테크닉스
发明人： 한유희 , 홍은정 , 서종현 , 정원철 , 이학용 , 이동준
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/31105 , B23K26/18 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/50 , H01L21/3086
摘要： 패시베이션층이 형성된 대상물 가공시 패시베이션층을 효과적으로 제거하여 가공 대상물의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 패시베이션층이 형성된 대상물 가공 방법을 제시한다.
본 발명의 대상물 가공 방법은 대상물을 가공 챔버내로 이동시킨 후 가공 방향으로 이송하는 단계, 비활성 물질이 포함된 상태에서 상기 대상물의 가공 부위에 레이저 빔을 조사하여, 상기 레이저 빔과 비활성 물질의 반응에 의해 패시베이션층 상의 가공 부위에 플라즈마를 생성하고, 플라즈마에 의해 패시베이션층이 제거되도록 하는 단계 및 레이저 빔에 의해 실리콘 기판을 가공하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의하면 대상물 가공을 위한 광학 기구나 레이저 소스의 변경 없이 패시베이션층을 효율적으로 제거할 수 있다.
패시베이션층, 플라즈마, UV 레이저

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式