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1. 发明公开

KR1020160084556A 포지티브형 감광성 실록산 수지 조성물 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：正性感光性硅氧烷树脂组合物和包含其的显示装置
公开(公告)号：KR1020160084556A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：KR1020150000726
申请日：2015-01-05
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 심승보 , 김정원 , 우준혁 , 주진호 , 박광우 , 김병욱 , 여태훈 , 윤혁민 , 이상훈
IPC分类号： G03F7/075 , G03F7/022 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/039 , C08K5/23 , C08K5/42 , G03F7/0233 , G03F7/038 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/0043 , H01L51/0094 , C08L83/04 , G03F7/0757 , G03F7/0223 , G03F7/0392
摘要： 본발명의일 실시예에따른포지티브형감광성실록산수지조성물은 a) ⅰ) 하기화학식 1로표시되는반응성실란 1종이상, 및ⅱ) 하기화학식 2로표시되는 4관능반응성실란 1종이상을촉매하에가수분해및 축합중합하여얻어진폴리스티렌환산중량평균분자량(Mw)이 1,000 내지 20,000인실록산계공중합체; b) 1,2-퀴논디아지드화합물; 및 c) 용매를포함한다. (R)nSi(R)[화학식 1] Si(R)[화학식 2] 상기 R은서로독립적으로탄소수 1 내지10의알킬기, 탄소수 6 내지15의아릴기중어느하나이며, 상기 R는탄소수 1 내지4의알콕시기, 페녹시, 또는아세톡시이며, 상기 R는서로독립적으로탄소수 1 내지 4의알콕시기, 페녹시, 또는아세톡시기중어느하나이며, n은 1 내지 3의자연수이다.
摘要翻译：在本发明的一个实施方案中，正型光敏硅氧烷树脂组合物包含：a）在催化剂存在下，通过水解和缩聚获得的聚苯乙烯换算的平均分子量（Mw）为1,000-20,000的硅氧烷共聚物 i）由化学式1表示的一种或多种反应性硅烷物质和ii）由化学式2表示的一种或多种四官能反应性硅烷物质; b）1,2-醌二叠氮化合物; 和c）溶剂。 R_1独立地为具有1-10个碳原子的烷基或具有6-15个碳原子的芳基; R_2是具有1-4个碳原子的烷氧基，或苯氧基或乙酰氧基; R 3独立地为具有1-4个碳原子的烷氧基，或苯氧基或乙酰氧基; n为1-3的自然数。根据本发明的正型感光性硅氧烷树脂组合物具有优异的灵敏度，分辨率，粘合性和透射率，并且还可以抑制气体的排放。

2. 发明授权

KR101596911B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR101596911B1
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020090005522
申请日：2009-01-22
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 신재호 , 김동민 , 이원영 , 이기만 , 김승기 , 제갈은 , 최기식 , 김정원 , 변철기 , 변자훈
IPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039
摘要： 본발명은액정표시장치회로, 반도체집적회로등의미세회로제조에사용되는포토레지스트조성물에관한것으로서, 보다상세하게는노볼락수지, 디아지드계감광성화합물, 특정구조의광산발생제와멜라민수지, 및유기용매를포함하는내열성이우수한포지-네가형포토레지스트조성물을제공한다.

3. 发明公开

KR1020150101511A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光电组合物及使用其制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020150101511A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020140022523
申请日：2014-02-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김정원 , 주진호 , 김동민 , 김승기 , 박광우 , 함선미
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/008 , H01L21/027 , G03F7/26 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/127 , G03F7/0236 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 개시된 포토레지스트 조성물은, 포토레지스트 조성물은, 노볼락 수지, 디아지드계 감광제 및 용매를 포함한다. 상기 노볼락 수지는, 크레졸 혼합물, 자일레놀 및 살리실알데하이드(salicylaldehyde)를 포함하는 모노머 혼합물의 축합 반응을 통하여 얻어진다.
상기 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 패턴의 내열성을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 포토레지스트 패턴은 하드베이크 공정 또는 드라이 에칭 공정과 같은 고온 환경에서 프로파일을 유지할 수 있으므로, 포토리소그라피 공정의 신뢰성을 개선할 수 있다. 또한, 상기 포토레지스트 조성물이 터널상 공동을 갖는 표시 기판의 희생층 형성에 이용될 경우, 화소 주변 영역에서의 액정 텍스처 불량을 개선할 수 있다.
摘要翻译：公开了包含酚醛清漆树脂，二叠氮基光敏剂和溶剂的光致抗蚀剂组合物，其中酚醛清漆树脂可以由包括甲酚混合物，二甲酚和水杨醛的单体化合物的缩合反应获得，其中光致抗蚀剂组合物可以增加热量抗蚀剂图案的电阻。因此，由于在Hardbake工艺或干蚀刻工艺中保持高温下的型材，所以光致抗蚀剂图案可以提高光刻工艺的可靠性。此外，当光致抗蚀剂组合物用于形成在隧道中具有空腔的显示基板的牺牲层时，可以提高像素周边区域中的液晶纹理缺陷。

4. 发明公开

KR1020140037665A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：光刻胶组合物和形成金属图案的方法
公开(公告)号：KR1020140037665A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020120104102
申请日：2012-09-19
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김정원 , 강민 , 김봉연 , 주진호 , 김동민 , 김태균 , 박주경 , 박철원 , 우준혁 , 이원영 , 이현주 , 제갈은
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/022 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/022 , B05D3/107 , B21B27/10 , B21B45/02 , G03F7/00 , G03F7/0045 , G03F7/40 , G03F7/0047 , G03F7/20 , G03F7/26
摘要： According to the disclosed method for forming a metal pattern, a metal layer is formed on the base substrate. A coating layer is formed by coating a photoresist composition comprising binder resin, photosensitizer, mercaptopropionic acid compound, and solvent, on the metal layer. The coating layer is light-exposed. A photoresist pattern is formed by partially removing the coating layer. The photoresist pattern is used as a mask to have patterning at the metal layer. The photoresist composition can improve the adhesion to the metal layer.
摘要翻译：根据所公开的形成金属图案的方法，在基底基板上形成金属层。通过在金属层上涂布包含粘合剂树脂，光敏剂，巯基丙酸化合物和溶剂的光致抗蚀剂组合物来形成涂层。涂层被曝光。通过部分去除涂层形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案用作掩模以在金属层上具有图案化。光致抗蚀剂组合物可以改善与金属层的粘合性。

5. 发明授权

KR100741296B1 포토레지스트 조성물 失效
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR100741296B1
公开(公告)日：2007-07-20
申请号：KR1020050091764
申请日：2005-09-30
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김봉기 , 박찬석 , 김동민 , 김주혁 , 최기식 , 김정원
IPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004
摘要： 본 발명은 포토레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 a) 유리전이온도가 150 ℃ 이하인 아크릴레이트계 수지 및 노볼락 수지를 함유하는 고분자 수지 10 내지 27 중량%; b) 디아지드계 감광성 화합물 3 내지 8 중량%; 및 c) 잔량의 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트에 관한 것이다.
본 발명의 포토레지스트 조성물은 고분자 수지로서 저유리전이온도의 용해속도가 빠른 아크릴레이트계 수지를 포함하여 드라이필름 형태로의 사용 가능하며, 우수한 패턴형성능력과, 저유리전이점을 갖는 아크릴레이트로 인한 유연성 증가로 플라스틱 기판에 대한 접착력이 매우 우수하여 디스플레이의 투명전극의 형성에 특히 적합하다.
포토레지스트

6. 发明公开

KR1020150051478A 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光电子组合物及使用其制造薄膜晶体管基板的方法
公开(公告)号：KR1020150051478A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020130132996
申请日：2013-11-04
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김정원 , 조기현 , 박광우 , 박철원 , 주진호 , 김동민 , 제갈은
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/26 , H01L29/786
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0048 , G03F7/022 , G03F7/0233 , G03F7/0236 , G03F7/039 , G03F7/0757 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/42 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/32133 , H01L21/32139 , H01L27/1288
摘要： 본발명의일 실시예에따르면, 노볼락수지; 디아지드계감광성화합물; 하기화학식 1로표시되는계면활성제; 및용매;를포함하는포토레지스트조성물을제공하며, 하기식에서 R1 및 R2는수소또는알킬기이다. [화학식 1]
摘要翻译：在本发明的一个实施方案中，提供了包含酚醛清漆树脂的光致抗蚀剂组合物; 二叠氮基光敏化合物; 由化学式1表示的表面活性剂; 和其中化学式中的R 1和R 2为氢或烷基的溶剂。

7. 发明公开

KR1020100050303A 패턴 형성방법 无效
标题翻译：图案的准备方法
公开(公告)号：KR1020100050303A
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080109528
申请日：2008-11-05
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 이원영 , 이기만 , 김승기 , 최기식 , 제갈은 , 김정원 , 변철기 , 신재호 , 변자훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0272 , G03F7/0392 , G03F7/095
摘要： PURPOSE: A method for forming a pattern is provided to easily form a profile with an undercut shape by increasing a fill speed using a polymer chemical compound of a specific structure when forming a multilayer photoresist layer. CONSTITUTION: A first photoresist layer(20) is formed on a substrate. A second photoresist layer(30) is formed on the first photoresist layer. A resist pattern with an undercut shape is formed by exposing and developing the first photoresist layer and the second photoresist layer. The fill speed of the second photoresist layer is slower than the fill speed of the first photoresist layer.
摘要翻译：目的：提供形成图案的方法，以便在形成多层光致抗蚀剂层时，通过使用特定结构的聚合物化合物增加填充速度，从而容易地形成具有底切形状的轮廓。构成：在基板上形成第一光致抗蚀剂层（20）。在第一光致抗蚀剂层上形成第二光刻胶层（30）。通过曝光和显影第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层来形成具有底切形状的抗蚀剂图案。第二光致抗蚀剂层的填充速度比第一光致抗蚀剂层的填充速度慢。

8. 发明授权

KR101324646B1 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光刻胶组成
公开(公告)号：KR101324646B1
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR1020060041090
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： 본 발명은 액정표시장치 회로, 반도체 집적회로 등의 미세회로 제조에 사용되는 포토레지스트(photoresist) 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 a) 메타-크레졸, 파라-크레졸, 레조시놀 및 살리실릭 알데히드를 2 내지 5: 2 내지 5: 0.5 내지 3: 0.5 내지 3의 중량비로 사용하여 축합 중합된 것으로, 2,000 내지 10,000의 중량평균분자량을 갖는 노볼락 수지, b) 디아지드계 감광성 화합물, 및 c) 유기용매를 포함하는 포토레지스트 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 메타-크레졸(
m -cresol), 파라-크레졸(
p -cresol), 레조시놀(resorcinol) 및 살리실릭 알데히드(salicylic aldehyde)를 축합중합하여 제조한 노볼락 수지를 사용함에 따라 포토레지스트의 내열성 및 패턴 균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
포토레지스트, 레조시놀, 살리실릭 알데히드, 내열성, 패턴 균일도
摘要翻译：本发明涉及一种液晶显示装置，电路，光致抗蚀剂（光致抗蚀剂）在微电路，例如半导体集成电路，更具体地涉及一种）间甲酚，对甲酚，间苯二酚和水杨酸盐西里奇醛的制造中使用的组合物 2至5：2至5：0.5至3：通过使用具有2000〜10000的重均分子量的酚醛清漆树脂，b）二叠氮类感光化合物0.5至3重量比聚合的冷凝，以及c）和包含有机溶剂的光刻胶组合物。

9. 发明公开

KR1020100086251A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020100086251A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020090005522
申请日：2009-01-22
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 신재호 , 김동민 , 이원영 , 이기만 , 김승기 , 제갈은 , 최기식 , 김정원 , 변철기 , 변자훈
IPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039
摘要： PURPOSE: A photoresist composition is provided to obtain excellent a photosensitive speed before second exposure, residual film rate, development contrast, adhesive force with a substrate, 4-mask property, and uniformity of a circuit wire width and to remarkably improve heat resistance after the second exposure. CONSTITUTION: A photoresist composition includes a novolak resin, a diazide-based photosensitive compound, a photoacid generator of a chemical formula 1 or a chemical formula 2, a melamine resin of a chemical formula 3, and an organic solvent. In the chemical formula 1, R1 is an aromatic compound having a carbon number of 10-20 and R2 and R3 are halogen elements. In the chemical formula 2, R1 is an alkyl group which has a carbon number of 1-10 and is substituted with the halogen element.
摘要翻译：目的：提供光致抗蚀剂组合物，以在第二曝光之前获得优异的感光速度，残留膜率，显影对比度，与基板的粘合力，4掩模性能和电路线宽度的均匀性，并且显着提高后的耐热性第二次曝光构成：光致抗蚀剂组合物包括酚醛清漆树脂，二叠氮基感光性化合物，化学式1的光酸产生剂或化学式2，化学式3的三聚氰胺树脂和有机溶剂。在化学式1中，R 1为碳数为10〜20的芳香族化合物，R 2，R 3为卤素元素。在化学式2中，R 1是碳数为1-10并被卤素元素取代的烷基。

10. 发明公开

KR1020070108715A 포토레지스트 조성물 有权
标题翻译：光电组合物
公开(公告)号：KR1020070108715A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020060041090
申请日：2006-05-08
申请人： 주식회사 동진쎄미켐
发明人： 김동민 , 김병욱 , 박대연 , 김주혁 , 최기식 , 김정원 , 이기범 , 변철기 , 김문수 , 김병후 , 변자훈 , 신재호
IPC分类号： G03F7/008
摘要： A photoresist composition is provided to improve resolution and heat resistance after a hard baking step, and to ensure excellent pattern uniformity, residual film ratio, adhesion to a wafer, and CD uniformity. A photoresist composition comprises: (a) a novolac resin represented by the following formula 1; (b) a diazide-based photosensitive compound; and (c) an organic solvent. In formula 1, R is H, OH or -CH6, and n is an integer of 3-20. The novolac resin is polymerized from metacresol, paracresol, resorcinol and salicylic aldehyde in a weight ratio of 2-5:2-5:0.5-3:0.5-3, and has a molecular weight of 2,000-10,000.
摘要翻译：提供光致抗蚀剂组合物以在硬烘烤步骤之后提高分辨率和耐热性，并且确保优异的图案均匀性，残留膜比率，与晶片的粘附性和CD均匀性。光致抗蚀剂组合物包含：（a）由下式1表示的酚醛清漆树脂; （b）二叠氮基光敏化合物; 和（c）有机溶剂。在式1中，R是H，OH或-CH 6，n是3-20的整数。酚醛清漆树脂以2-5：2-5：0.5-3：0.5-3的重量比从甲酚，对甲酚，间苯二酚和水杨醛聚合，分子量为2,000-10,000。

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