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1. 发明公开

KR1020180085901A 연마 시스템 및 이를 이용한 평탄화 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180085901A
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020170009549
申请日：2017-01-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 강현구 , 임성진 , 송기철 , 김성민 , 장수진
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/31051 , B24B37/04 , B24B37/22 , B24B37/26 , B24B57/02 , H01L21/02065 , H01L21/3212
摘要： 연마시스템및 이를이용한평탄화방법에관한기술이다. 본실시예의연마시스템은고단차영역, 단차에지영역및 저단차영역을가지며층간절연막및 패시베이션막이순차적으로적층된반도체기판을평탄화시키기위한연마시스템으로서, 제 1 압력하에서, 상기반도체기판의고단차영역상의패시베이션막을제거하기위한제 1 연마패드, 및상기제 1 압력보다높은제 2 압력하에서, 상기고단차영역의상기층간절연막을제거하기위한제 2 연마패드를포함한다. 이때, 상기제 1 연마패드와상기제 2 연마패드는서로상이한물질로구성되며, 상기제 2 연마패드는제 1 비다공층, 및상기제 1 비다공층상에형성되며상기반도체기판과대응하는면에복수의마이크로홀 또는복수의그루브가형성된제 2 비다공층을포함한다.

2. 发明授权

KR101884238B1 연마 시스템 및 이를 이용한 평탄화 방법 有权
公开(公告)号：KR101884238B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020170009549
申请日：2017-01-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 강현구 , 임성진 , 송기철 , 김성민 , 장수진
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/321
摘要： 연마시스템및 이를이용한평탄화방법에관한기술이다. 본실시예의연마시스템은고단차영역, 단차에지영역및 저단차영역을가지며층간절연막및 패시베이션막이순차적으로적층된반도체기판을평탄화시키기위한연마시스템으로서, 제 1 압력하에서, 상기반도체기판의고단차영역상의패시베이션막을제거하기위한제 1 연마패드, 및상기제 1 압력보다높은제 2 압력하에서, 상기고단차영역의상기층간절연막을제거하기위한제 2 연마패드를포함한다. 이때, 상기제 1 연마패드와상기제 2 연마패드는서로상이한물질로구성되며, 상기제 2 연마패드는제 1 비다공층, 및상기제 1 비다공층상에형성되며상기반도체기판과대응하는면에복수의마이크로홀 또는복수의그루브가형성된제 2 비다공층을포함한다.

3. 发明授权

KR101916119B1 화학적 기계 연마용 연마패드 有权
公开(公告)号：KR101916119B1
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：KR1020170016244
申请日：2017-02-06
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 송기철 , 김성민 , 장수진
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/306

4. 实用新型

KR2019980010205U 웨이퍼 이송장치 无效
标题翻译：晶片传送装置
公开(公告)号：KR2019980010205U
公开(公告)日：1998-05-15
申请号：KR2019960023561
申请日：1996-08-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송기철
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본고안은표면에다 수의진공홀이형성되는진공척과, 진공홀과독립적으로연결되는두개이상의진공라인과, 진공라인들과연결되는하나의진공소오스와, 각각의진공라인에설치되어, 진공라인내의압력이측정되어전기적인신호로써출력되는두개이상의게이지를포함하여이루어지는웨이퍼이송장치에관한것이다.
摘要翻译：两个真空EDA表面编号内部纸是真空孔的真空卡盘，分别连接到真空孔和独立地形成在所述线和设置在所述真空源中的一个和，它与真空管线连接的真空管线，在真空管线中的压力测量涉及一种晶片转移装置包括输出作为电信号的至少两个量规。

5. 发明公开

KR1020010053893A 반도체 소자의 패드 형성방법 失效
标题翻译：用于形成半导体器件的焊盘的方法
公开(公告)号：KR1020010053893A
公开(公告)日：2001-07-02
申请号：KR1019990054447
申请日：1999-12-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송기철
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
摘要： PURPOSE: A method for forming a pad of a semiconductor device is provided to prevent damage or peeling off of interlayer dielectric layers underneath the pad owing to an external wire bonding onto the pad. CONSTITUTION: The method includes forming metal layers(23,25) for interconnection extended under the pad(27). In the method, after an oxide layer(22) is formed on a semiconductor substrate(21), the first metal layer(23) is formed thereon and etched to form the first interconnection layer. Next, the first interlayer dielectric layer(24) is formed thereon and etched to expose a portion of the first metal layer(23). The second metal layer(25) is then formed over a resultant structure and etched to form the second interconnection layer. Next, the second interlayer dielectric layer(26) is formed on the first interlayer dielectric layer(24) and the second metal layer(25), and then etched to expose a portion of the second metal layer(25). Thereafter, a metal layer for the pad(27) is formed over a resultant structure and etched to form the pad(27). Next, a passivation layer(28) is formed thereon and etched to expose the pad(27). The first and second metal layers(23,25) under the pad(27) not only support the pad(27) but also provide electrical connection between the interconnection layers and the pad(27).
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的焊盘的方法，以防止由于焊盘上的外部引线接合而在焊盘下面的层间电介质层的损坏或剥离。构成：该方法包括形成用于在垫（27）下延伸的互连的金属层（23,25）。在该方法中，在半导体衬底（21）上形成氧化物层（22）之后，在其上形成第一金属层（23）并形成第一互连层。接下来，在其上形成第一层间介质层（24）并进行蚀刻以暴露第一金属层（23）的一部分。然后在所得结构上形成第二金属层（25）并进行蚀刻以形成第二互连层。接下来，在第一层间电介质层（24）和第二金属层（25）上形成第二层间电介质层（26），然后蚀刻以暴露第二金属层（25）的一部分。此后，在所得结构上形成用于焊盘（27）的金属层，并蚀刻以形成焊盘（27）。接下来，在其上形成钝化层（28）并进行蚀刻以露出焊盘（27）。衬垫（27）下面的第一和第二金属层（23,25）不仅支撑焊盘（27），而且还提供互连层和焊盘（27）之间的电连接。

6. 发明授权

KR100351988B1 반도체 제조용 코팅액의 디스펜스 장치 失效
标题翻译：用于在半导体制造中涂层的分散装置
公开(公告)号：KR100351988B1
公开(公告)日：2002-09-12
申请号：KR1019990068252
申请日：1999-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송기철
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 본발명은반도체제조용코팅액의디스펜스장치에관한것으로서, 본발명은웨이퍼를에스오지(SOG) 코팅시키기위해상기웨이퍼를향해에스오지용액을공급하는공급노즐(51)과, 상기공급노즐(51)을에스오지코팅위치와린스위치로이동시키는노즐암(Nozzle Arm)과, 상기공급노즐(51)이린스위치로이동되는경우공급노즐(51)의하측에위치되어상기공급노즐(51)을세척시키는리시브캡(Receive Cap)(53)으로구성됨으로써기존의노즐헤드가삭제되고공급노즐(51)의세척방식이변경되어에스오지용액의응고화에따른이물발생이억제되고, 이에따라이물질에의한웨이퍼의결함이방지되어반도체의품질및 수율이향상되도록한 것이다.

7. 发明授权

KR100313530B1 반도체 소자의 패드 형성방법 失效
标题翻译：用于半导体器件的PAD形成方法
公开(公告)号：KR100313530B1
公开(公告)日：2001-11-07
申请号：KR1019990054447
申请日：1999-12-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송기철
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/05556
摘要： 본발명은반도체소자의패드형성방법에관한것으로, 에치백이없는스핀온글라스공정으로형성되는스핀온글라층이포함된층간절연막상부에패드가형성됨으로써외부와전기적연결을위해상기패드에외부금속선을본딩할경우그 밀도가소하고강도가약한스핀온글라스가파손되면서벗겨지는문제점이있었다. 따라서, 본발명은소자가형성된반도체기판상에산화막을증착하고, 그상부에제 1금속층을형성한후 이를식각하여배선을형성하는제 1공정과; 상기형성한산화막및 제 1금속층상부전면에제 1층간절연막을형성하고, 상기제 1금속층이대부분드러나도록식각한후 이구조물상부전면에제 2금속층을형성하고, 이를식각하여배선을형성하는제 2공정과; 상기형성한제 1층간절연막및 제 2금속층상부전면에제 2층간절연막을형성하고, 패드가형성될부위의제 2금속층이드러나도록식각한다음, 그구조물상부전면에패드금속층을형성하고패드크기에맞추어식각하는제 3공정과; 상기형성한구조물상부에패시베이션층을형성하고패드가형성될부분의패드금속층이드러나도록이를식각하는제 4공정으로이루어지는것 반도체소자의패드형성방법을통해금속층을식각하여배선을형성하는각 식각마스크의수정만으로패드의하부를강도가약한스핀온글라스를포함하는층간절연막대신금속층으로구성하도록함으로써외부의기계적인충격에도패드하부가파손되지않도록함과아울러상기패드와배선의연결을위해서컨택을형성할필요없이패드의하부를이루는각 금속층에배선을연결하도록하여공정을단순화할 수있는효과가있다.

8. 实用新型

KR2020000020310U 반도체 에스 오 지 코팅장비의 노즐헤드구조 无效
标题翻译：用于半导体SOG涂层的喷嘴结构
公开(公告)号：KR2020000020310U
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR2019990007362
申请日：1999-05-03
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송기철
IPC分类号： H01L21/31
摘要： 본고안반도체에스오 지코팅장비의노즐헤드구조는몸체(11)의내측에케미컬분사관(12)이삽설하고, 그케미컬분사관(12)의양측에린스액라인(13)(13')을형성하여린스작업시케미컬분사관의양측에서린스액이공급되도록함으로서, 케미컬분사관에잔류케미컬이남지않는다.

9. 发明公开

KR1020010060129A 반도체 제조용 코팅액의 디스펜스 장치 失效
标题翻译：半导体制造涂料流体的制造装置
公开(公告)号：KR1020010060129A
公开(公告)日：2001-07-06
申请号：KR1019990068252
申请日：1999-12-31
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송기철
IPC分类号： H01L21/316
摘要： PURPOSE: A dispense device is to suppress generation of foreign matters caused by solidification of an SOG(spin on glass) solution by removing a nozzle head and changing a cleaning manner of a supplying nozzle. CONSTITUTION: A supplying nozzle(51) supplies an SOG solution to a wafer to apply an SOG coating to the wafer. The supplying nozzle is moved to an SOG coating position and a rinse position by a nozzle arm. A receive cap(53) is located below the supplying nozzle to clean the supplying nozzle when it is moved to the rinse position. A cleaning fluid supplying tube(55) located at the receive cap injects a cleaning fluid towards the supplying nozzle to remove the SOG solution smeared at an end of the supplying nozzle when the nozzle is moved to the rinse position. At least two cleaning fluid supplying tubes are formed at a circumference of the receive cap. A drain port(57) is formed at the receive cap to discharge the cleaning fluid being dropped after being injected through the cleaning fluid supplying tube to clean the supplying nozzle. An assistant supplying tube(59) is formed between the cleaning fluid supplying tube and the drain port to flow additional cleaning fluid to the drain port.
摘要翻译：目的：分配装置是通过除去喷嘴头和改变供应喷嘴的清洁方式来抑制由SOG（旋转玻璃）溶液固化引起的异物的产生。构成：供应喷嘴（51）将SOG溶液供应到晶片以将SOG涂层施加到晶片。供应喷嘴通过喷嘴臂移动到SOG涂覆位置和冲洗位置。接收帽（53）位于供应喷嘴下方，以便当其被移动到冲洗位置时清洁供应喷嘴。位于接收帽处的清洗液供给管（55）向喷嘴喷射清洗流体，以在喷嘴移动到冲洗位置时去除涂在喷嘴端部的SOG溶液。在接收帽的圆周处形成至少两个清洁液供给管。排出口（57）形成在接收帽处，以便在通过清洁流体供应管被注入以清洁供应喷嘴之后排出被滴落的清洗流体。辅助供给管（59）形成在清洗流体供给管和排出口之间，以将额外的清洁流体流向排出口。

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