专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020140060161A 분산된 기공 구조를 갖는 ＣＭＰ패드 및 그 제조방법 有权
标题翻译： CMP PAD具有良好的钻孔结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140060161A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120126927
申请日：2012-11-09
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 김건 , 김성민 , 정재상 , 변재정 , 정헌경
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/461 , B24B37/24 , B24B37/26
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/30625 , H01L21/461
摘要： Provided in the present invention is a manufacturing method for a CMP pad, which comprises as follows: a step of mixing urethane prepolymer with a hardener into a reactor; a step of stirring the urethane prepolymer and the hardener inside the reactor for a fixed period of time at an atmospheric pressure condition; and a step of hardening the mixture. In addition, the manufacturing method for a CMP pad is characterized by forming a pore with a diameter of 20-200 micrometers and a porosity of 10-30% in the mixture. Therefore, the chemical and mechanical grinding pad can regulate pore formation by stirring in the reactor inside a polymer matrix, can maximize the grinding efficiency and the flatness of a wafer through consistent pores on a high hardness pad, and can solve the problems of the current highly-integrated and subdivided process such as a defect, dishing, and a low grinding speed through stable pore formation.
摘要翻译：本发明提供了一种用于CMP垫的制造方法，其包括如下步骤：将氨基甲酸酯预聚物与硬化剂混合到反应器中; 在大气压条件下搅拌反应器内的氨基甲酸酯预聚物和固化剂一段固定时间的步骤; 和硬化混合物的步骤。此外，CMP垫的制造方法的特征在于在混合物中形成直径为20-200微米，孔隙率为10-30％的孔。因此，化学和机械研磨垫可以通过在聚合物基体内的反应器中搅拌来调节孔的形成，可以通过高硬度垫上的一致的孔最大化研磨效率和平坦度，并且可以解决电流的问题通过稳定的孔形成，高度集成和细分的工艺，如缺陷，凹陷和低磨削速度。

2. 发明授权

KR101740748B1 분산된 기공 구조를 갖는 ＣＭＰ패드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：一种具有分散孔结构的CMP垫及其制造方法
公开(公告)号：KR101740748B1
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020120126927
申请日：2012-11-09
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 김건 , 김성민 , 정재상 , 변재정 , 정헌경
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/461 , B24B37/24 , B24B37/26
摘要： 우레탄프리폴리머및 경화제를반응기에혼입하는단계; 상기반응기내에서우레탄프리폴리머및 경화제를대기압조건에서소정시간동안교반하여혼합시키는단계; 및상기혼합된혼합물을경화시키는단계를포함하며, 상기교반에따라상기혼합물에는 20 내지 200㎛직경을가지며, 공극률이 10 내지 30%인기공이형성된것을특징으로하는 CMP 패드제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 화학적기계적연마패드에대한발명으로고분자매트릭스내에반응기교반에의한기공형성을조절하며, 고경도패드에서균일한기공으로연마효? 및웨이퍼의평탄도를극대화할 수있을뿐만아니라안정적인기공형성으로고집적화되고세분화된현재공정에서의문제로대두되는디펙(defect)과디싱(dishing), 그리고낮은연마속도문제등을해결할수 있다.
摘要翻译：将氨基甲酸酯预聚物和固化剂加入反应器中; 将氨基甲酸酯预聚物和固化剂在预定压力下在搅拌下在反应器中混合预定时间; 根据搅拌，通过流行的球将混合物的混合物固化，其中混合物的直径为20至200μm，孔隙率为10至30％。根据本发明，提供了一种用于化学机械抛光垫的发明，其通过在聚合物基体中通过反应器搅拌来控制孔的形成，并且其导致在硬质聚合物基体中的均匀孔中的孔被抛光，晶圆的平整度可以达到最大化，此外，可以解决目前工艺中高度集成和破碎的缺陷，凹陷和低抛光速率问题的稳定孔隙形成问题。

3. 发明公开

KR1020180085901A 연마 시스템 및 이를 이용한 평탄화 방법 有权
公开(公告)号：KR1020180085901A
公开(公告)日：2018-07-30
申请号：KR1020170009549
申请日：2017-01-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 강현구 , 임성진 , 송기철 , 김성민 , 장수진
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/31051 , B24B37/04 , B24B37/22 , B24B37/26 , B24B57/02 , H01L21/02065 , H01L21/3212
摘要： 연마시스템및 이를이용한평탄화방법에관한기술이다. 본실시예의연마시스템은고단차영역, 단차에지영역및 저단차영역을가지며층간절연막및 패시베이션막이순차적으로적층된반도체기판을평탄화시키기위한연마시스템으로서, 제 1 압력하에서, 상기반도체기판의고단차영역상의패시베이션막을제거하기위한제 1 연마패드, 및상기제 1 압력보다높은제 2 압력하에서, 상기고단차영역의상기층간절연막을제거하기위한제 2 연마패드를포함한다. 이때, 상기제 1 연마패드와상기제 2 연마패드는서로상이한물질로구성되며, 상기제 2 연마패드는제 1 비다공층, 및상기제 1 비다공층상에형성되며상기반도체기판과대응하는면에복수의마이크로홀 또는복수의그루브가형성된제 2 비다공층을포함한다.

4. 发明公开

KR1020140060160A 혼합 기공 구조를 갖는 ＣＭＰ패드 有权
标题翻译：具有混合孔结构的CMP PAD及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140060160A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120126926
申请日：2012-11-09
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 김건 , 김성민 , 정재상 , 변재정 , 정헌경
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/461 , B24B37/24 , B24B37/26
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/30625 , H01L21/461
摘要： The present invention provides a CMP pad comprising a first pore formed inside the pad and the surface thereof and a second pore formed on the surface of the pad, wherein the first pore has a diameter of 20 to 200 μm and a porosity of 10 to 30%, and the second pore has a diameter of 250 to 500 μm and an area of 10 to 40% with respect to the total area of the CMP pad.
摘要翻译：本发明提供一种CMP垫，其包括形成在垫内表面的第一孔和形成在垫表面上的第二孔，其中第一孔的直径为20-200μm，孔隙率为10-30 ％，第二孔相对于CMP垫的总面积为250〜500μm，面积为10〜40％。

5. 发明授权

KR101916119B1 화학적 기계 연마용 연마패드 有权
公开(公告)号：KR101916119B1
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：KR1020170016244
申请日：2017-02-06
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 송기철 , 김성민 , 장수진
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/04 , B24B57/02 , H01L21/306

6. 发明授权

KR101884238B1 연마 시스템 및 이를 이용한 평탄화 방법 有权
公开(公告)号：KR101884238B1
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：KR1020170009549
申请日：2017-01-20
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 강현구 , 임성진 , 송기철 , 김성민 , 장수진
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/321
摘要： 연마시스템및 이를이용한평탄화방법에관한기술이다. 본실시예의연마시스템은고단차영역, 단차에지영역및 저단차영역을가지며층간절연막및 패시베이션막이순차적으로적층된반도체기판을평탄화시키기위한연마시스템으로서, 제 1 압력하에서, 상기반도체기판의고단차영역상의패시베이션막을제거하기위한제 1 연마패드, 및상기제 1 압력보다높은제 2 압력하에서, 상기고단차영역의상기층간절연막을제거하기위한제 2 연마패드를포함한다. 이때, 상기제 1 연마패드와상기제 2 연마패드는서로상이한물질로구성되며, 상기제 2 연마패드는제 1 비다공층, 및상기제 1 비다공층상에형성되며상기반도체기판과대응하는면에복수의마이크로홀 또는복수의그루브가형성된제 2 비다공층을포함한다.

7. 发明授权

KR101744694B1 혼합 기공 구조를 갖는 ＣＭＰ패드 有权
标题翻译：具有混合孔结构的CMP垫
公开(公告)号：KR101744694B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020120126926
申请日：2012-11-09
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 김건 , 김성민 , 정재상 , 변재정 , 정헌경
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/461 , B24B37/24 , B24B37/26
摘要： CMP 패드로서, 상기패드의내부및 표면에형성된제 1 기공; 및상기패드의표면에개구되어형성된제 2 기공을포함하며, 여기에서상기제 1 기공의크기는 20 내지 200㎛직경, 공극률은 10 내지 30%이며, 상기제 2 기공은 250 내지 500㎛의직경을가지며, 상기제 2 기공의면적은상기 CMP 패드전체면적의 10 내지 40%인것을특징으로하는 CMP 패드가제공된다.
摘要翻译：一种CMP垫，包括：第一孔，形成在所述垫的表面中和表面上; 和第二孔是开放的垫的表面，在这里所述第一孔的尺寸为20〜200㎛直径，孔隙率是10％至30％，和250的第二孔径500㎛第二孔的面积为CMP垫总面积的10％至40％。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式