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1. 发明授权

KR101773117B1 ＰＥＣＶＤ 장치 및 프로세스 有权
公开(公告)号：KR101773117B1
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020157010795
申请日：2013-10-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라자고파란,나가라잔 , 한,신하이 , 트시앙,마이클 , 오가타,마사키 , 지앙,치준 , 로차-앨버레즈,주안카를로스 , 노왁,토마스 , 초우,지안후아 , 산카락리쉬난,람프라카쉬 , 발라수브라마니안,가네쉬 , 반살,아미트 , 이,정민 , 이간,토드 , 부디알토,에드워드 , 파나스유크,드미트리 , 리,테런스와이. , 첸,지안 , 야유브,모하매드 , 파크,헤웅랙 , 라일리,패트릭 , 샤이크,샤히드 , 김,복헌 , 스타릭,세르게이
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/66 , G01B11/06
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要： PECVD 프로세스에따라기판을프로세싱하는장치및 방법이설명된다. 기판에걸친증착레이트프로파일을변화시키기위해, 기판의온도프로파일이조정된다. 기판에걸친증착레이트프로파일을변화시키기위해, 플라즈마밀도프로파일이조정된다. 챔버표면들상의저품질증착들의형성을감소시키고, 플라즈마밀도균일성을개선하기위해, 플라즈마에노출된챔버표면들이가열된다. 증착프로세스의진행을모니터링하고, 기판온도프로파일, 플라즈마밀도프로파일, 압력, 온도, 및반응물들의유동을수반하는제어액션(action)들을트리거링(trigger)하기위해, 인시튜(in situ) 계측이사용될수 있다.

2. 发明公开

KR1020150074008A ＰＥＣＶＤ 장치 및 프로세스 有权
标题翻译： PECVD装置和工艺
公开(公告)号：KR1020150074008A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020157010795
申请日：2013-10-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라자고파란,나가라잔 , 한,신하이 , 트시앙,마이클 , 오가타,마사키 , 지앙,치준 , 로차-앨버레즈,주안카를로스 , 노왁,토마스 , 초우,지안후아 , 산카락리쉬난,람프라카쉬 , 발라수브라마니안,가네쉬 , 반살,아미트 , 이,정민 , 이간,토드 , 부디알토,에드워드 , 파나스유크,드미트리 , 리,테런스와이. , 첸,지안 , 야유브,모하매드 , 파크,헤웅랙 , 라일리,패트릭 , 샤이크,샤히드 , 김,복헌 , 스타릭,세르게이
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/66 , G01B11/06
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5096 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01N21/55 , G01N21/658 , G01N2201/1222 , H01L21/00 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/687
摘要： PECVD 프로세스에따라기판을프로세싱하는장치및 방법이설명된다. 기판에걸친증착레이트프로파일을변화시키기위해, 기판의온도프로파일이조정된다. 기판에걸친증착레이트프로파일을변화시키기위해, 플라즈마밀도프로파일이조정된다. 챔버표면들상의저품질증착들의형성을감소시키고, 플라즈마밀도균일성을개선하기위해, 플라즈마에노출된챔버표면들이가열된다. 기판온도프로파일, 플라즈마밀도프로파일, 압력, 온도, 및반응물들의유동을수반하는트리거제어액션(action)들, 및증착프로세스의진행을모니터링하기위해, 인시튜(in situ) 계측이사용될수 있다.

3. 发明授权

KR101357181B1 플라즈마-강화 화학적 기상 증착(ＰＥＣＶＤ)에 의해 등각성 비정질 탄소막을 증착하기 위한 방법 有权
标题翻译：通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD）沉积合适的无定形碳膜的方法
公开(公告)号：KR101357181B1
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020117010924
申请日：2009-10-12
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 이,광덕더글라스 , 모리,타카시 , 스즈키,요이치 , 라티,수드하 , 시몬스,마틴제이 , 파디,디네쉬 , 김,복헌 , 파간가난,신시아
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/26 , C23C16/45523 , C23C16/5096 , H01L21/3141
摘要： 기판상에 비정질 탄소층을 증착하기 위한 방법들 및 장치들이 제공된다. 일 실시예에서, 증착 프로세스는 기판 프로세싱 챔버에 기판을 위치시키는 단계; 프로세싱 챔버에 1:2 보다 큰 탄소 대 수소 원자 비를 가지는 탄화수소 소스를 유입시키는 단계; 프로세싱 챔버에 수소, 헬륨, 아르곤, 질소 및 이들의 조합들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 플라즈마 개시 가스(plasma initiating gas)를 유입시키는 단계 ― 탄화수소 소스의 체적 유량(volumetric flow rate) 대 플라즈마 개시 가스의 체적 유량의 비는 1:2 또는 그 초과임 ―; 및 프로세싱 챔버에 플라즈마를 생성하는 단계; 및 기판 상에 등각성 비정질 탄소층을 형성하는 단계를 포함한다.

4. 发明授权

KR101098632B1 비정질 탄소 막의 ＣＶＤ 증착용 액체 전구체 有权
标题翻译：非晶碳膜的CVD前体液体前体
公开(公告)号：KR101098632B1
公开(公告)日：2011-12-26
申请号：KR1020067020494
申请日：2005-02-24
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 씨몬스,마틴제이 , 예,웬디,에이치. , 라띠,서드하에스.알. , 파디히,디니쉬 , 루안,앤디신치아오 , 탕,썸-이베티 , 쿨카르니,프리야 , 시바라마크리쉬난,비스웨스워렌 , 김,복헌 , 엠'사드,히쳄 , 왕,유시앙메이 , 관,마이클치우
IPC分类号： C23C16/26 , C23C16/505
摘要： 비정질 탄소 재료를 증착하는 방법이 제공된다. 일 양상에서, 본 발명은 처리 챔버 내에 상기 기판을 위치시키는 단계, 상기 처리 챔버 내측으로 처리 가스를 유입시키는 단계, 이중 주파수 RF 소오스로부터 전력을 인가함으로써 상기 처리 가스의 플라즈마를 발생시키는 단계, 및 상기 기판 상에 비정질 탄소 층을 증착시키는 단계를 포함하며, 상기 처리 가스는 캐리어 가스, 수소 및 하나 이상의 전구체 화합물을 포함한다.
摘要翻译：提供了一种沉积无定形碳材料的方法。在一个方面中，本发明的步骤是通过从所述阶段中，双频RF源用于引入所述衬底，所述处理气体引入所述处理室中定位到处理室的步骤施加功率以产生处理气体的等离子体，并且在衬底上沉积无定形碳层，其中工艺气体包含载气，氢气和至少一种前体化合物。

5. 发明公开

KR1020070118968A 비정질 탄소 층의 저온 증착을 위한 방법 无效
标题翻译：非晶碳层低温沉积方法
公开(公告)号：KR1020070118968A
公开(公告)日：2007-12-18
申请号：KR1020070057161
申请日：2007-06-12
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 탕,섬-예 , 루안,힌챠오 , 이,광덕더글라스 , 김,복헌
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/509
摘要： A method for low temperature deposition of an amorphous carbon layer is provided to improve uniformity and conformality of the amorphous carbon layer deposited on a surface and a sidewall of a substrate. A substrate supplying process is performed to supply a substrate to an inside of a process chamber(202). A transferring process is performed to transfer a gas mixture including a hydrocarbon compound and an inert gas to the inside of the process chamber(204). A temperature maintaining process is performed to maintain the temperature of the substrate at the temperature of 450 °C or lower(206). A deposition process is performed to deposit an amorphous carbon film on the substrate(208). The hydrocarbon compound includes five and more carbon atoms. The hydrocarbon compound includes one or more elements of toluene, benzene, and hexane.
摘要翻译：提供了一种用于低温沉积无定形碳层的方法，以改善沉积在基底的表面和侧壁上的无定形碳层的均匀性和共形性。执行基板供给处理以将基板供应到处理室（202）的内部。进行转移处理以将包含烃化合物和惰性气体的气体混合物转移到处理室（204）的内部。进行温度保持处理以将基板的温度维持在450℃以下的温度（206℃）。进行沉积工艺以在基板（208）上沉积无定形碳膜。烃化合物包括五个或更多个碳原子。烃化合物包括甲苯，苯和己烷的一种或多种元素。

6. 发明授权

KR102243959B1 ＰＥＣＶＤ 장치 및 프로세스 有权
公开(公告)号：KR102243959B1
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：KR1020207024338
申请日：2013-10-23
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라자고파란,나가라잔 , 한,신하이 , 트시앙,마이클 , 오가타,마사키 , 지앙,치준 , 로차-앨버레즈,주안카를로스 , 노왁,토마스 , 초우,지안후아 , 산카락리쉬난,람프라카쉬 , 발라수브라마니안,가네쉬 , 반살,아미트 , 이,정민 , 이간,토드 , 부디알토,에드워드 , 파나스유크,드미트리 , 리,테런스와이. , 첸,지안 , 야유브,모하매드 , 파크,헤웅랙 , 라일리,패트릭 , 샤이크,샤히드 , 김,복헌 , 스타릭,세르게이
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/66 , G01B11/06
摘要： PECVD 프로세스에따라기판을프로세싱하는장치및 방법이설명된다. 기판에걸친증착레이트프로파일을변화시키기위해, 기판의온도프로파일이조정된다. 기판에걸친증착레이트프로파일을변화시키기위해, 플라즈마밀도프로파일이조정된다. 챔버표면들상의저품질증착들의형성을감소시키고, 플라즈마밀도균일성을개선하기위해, 플라즈마에노출된챔버표면들이가열된다. 증착프로세스의진행을모니터링하고, 기판온도프로파일, 플라즈마밀도프로파일, 압력, 온도, 및반응물들의유동을수반하는제어액션(action)들을트리거링(trigger)하기위해, 인시튜(in situ) 계측이사용될수 있다.

9. 发明公开

KR1020150007287A 높은 필름 밀도 및 높은 에칭 선택비를 갖는 비정질 탄소 층의 증착 审中-实审
标题翻译：具有高膜密度和高选择性的非晶碳层沉积
公开(公告)号：KR1020150007287A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020147029221
申请日：2013-04-09
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 라일리,패트릭 , 샤이크,샤히드 , 숨맨,터셈 , 패드히,디네쉬 , 바루자,산지브 , 로차-앨바레즈,주안카를로스 , 노왁,토마스 , 김,복헌 , 위티,데렉알.
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/48 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/02527 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/02348 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/31144
摘要： 여기에서 설명된 실시예들은 기판을 프로세싱하기 위한 방법에 관한 것이다. 일 실시예에서, 방법은 탄화수소 가스 및 희석 가스를 포함하는 가스 혼합물을 프로세싱 시스템 내에 로케이팅된 증착 챔버 내로 도입하는 단계, 기판 상에 저-수소 함량 비정질 탄소 층을 형성하기 위해서 약 200 ℃ 내지 약 700 ℃의 온도에서 증착 챔버에서 가스 혼합물로부터 플라즈마를 생성하는 단계, 진공을 파괴하지 않고 기판을 프로세싱 시스템 내에 로케이팅된 경화 챔버 내로 이송하는 단계, 및 약 200 ℃ 이상의 경화 온도에서 경화 챔버 내에서 UV 복사선에 기판을 노출시키는 단계를 포함한다.

10. 发明公开

KR1020140115353A 스페이서 및 스페이서 보호 적용예들을 위한 등각적인 비정질 탄소 审中-实审
标题翻译：适用于间隙和间隔保护应用的不规则碳
公开(公告)号：KR1020140115353A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020147022970
申请日：2013-01-16
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 김,성진 , 파드히,디네쉬 , 홍,성현 , 김,복헌 , 위티,데릭알.
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0337 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/0332 , H01L21/0338 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L21/0274
摘要： 프로세싱 챔버 내에서 기판 상에 질소-도핑된 비정질 탄소 층(nitrogen-doped amorphous carbon layer)을 형성하는 방법이 제공된다. 방법은 일반적으로, 기판 위에 미리결정된 두께의 희생 유전체 층을 증착하는 단계; 기판의 상부 표면(upper surface)을 노출시키기 위해 희생 유전체 층의 부분들을 제거함으로써, 기판 상에 패터닝된 피쳐들을 형성하는 단계; 기판의 노출된 상부 표면 및 패터닝된 피쳐들 상에 미리 결정된 두께의 질소-도핑된 비정질 탄소 층을 등각적으로(conformally) 증착하는 단계; 질소-도핑된 비정질 탄소 층으로부터 형성되는 측벽 스페이서들 내에 채워지는 패터닝된 피쳐들을 제공하기 위해, 이방성 식각 프로세스를 이용하여 기판의 상부 표면 및 패터닝된 피쳐들의 상부 표면으로부터 질소-도핑된 비정질 탄소 층을 선택적으로 제거하는 단계; 및 기판으로부터 패터닝된 피쳐들을 제거하는 단계를 포함한다.

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