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1. 发明授权

KR100193731B1 화학용액 관리센서의 하우징 失效
标题翻译：化学溶液管理传感器的外壳
公开(公告)号：KR100193731B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019960025818
申请日：1996-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 길준잉 , 김미현
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 화학용액 관리센서의 정확도를 향상시키는 하우징에 관한 것으로, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 화학용액 관리센서 하우징은, 화학용액이 유입되는 유입구와, 유입된 화학용액을 배출하는 배출구와, 상기 유입구와 배출구를 배관과 연결시키는 너트부와, 상기 유입구와 배출구가 연통하되 상기 배관의 직경보다 작은 직경을 가는 유체통로와, 상기 유체통로상에 pH를 측정하는 센서의 검출부가 위치할 수 있도록 형성된 센서삽입구와, 상기 센서삽입구에 상기 센서를 고정시키는 결합수단을 포함하는 구조를 가지므로서, pH측정시 정확도가 향상되고, 손쉽게 설치함은 물론 화학용액에 의한 부식을 예방할 수 있는 효과가 있다.

2. 发明授权

KR102223036B1 나노구조 반도체 발광소자 有权
公开(公告)号：KR102223036B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020140106794
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심성현 , 유건욱 , 김미현 , 이동훈 , 이진복 , 김제원 , 노혜석 , 이동국
IPC分类号： H01L33/20
摘要： 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 및상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극을포함하며, 상기제1 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극이배치되지않는부분을가지며, 상기제2 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극으로덮히므로, 나노발광구조물의상단에위치한활성층영역에서발생되는누설전류에대한영향을방지할수 있으며, 나노발광구조물의동작전압이상승하는것을방지할수 있다.

3. 发明公开

KR1020170141308A 질화물 반도체 기판 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造氮化物半导体衬底的方法
公开(公告)号：KR1020170141308A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160073871
申请日：2016-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 탁영조 , 강삼묵 , 김미현 , 김준연 , 박영수
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/02513 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/304 , H01L21/30604
摘要： 본발명의일 실시예는, 서로대향하는제1 면과제2 면을갖는실리콘기판을마련하는단계와, 제1 성장챔버에서상기실리콘기판의제1 면에질화물템플릿을성장시키는단계 - 상기질화물템플릿의성장과정에서상기실리콘기판의제2 면에실리콘화합물층이형성됨 - 와, 상기실리콘기판의제2 면으로부터상기실리콘화합물층을제거하는단계와, 제2 성장챔버에서상기질화물템플릿상에Ⅲ족질화물단결정을성장시키는단계와, 상기제2 성장챔버에서상기실리콘기판을제거하는단계를포함하는질화물반도체기판제조방법을제공한다.
摘要翻译：一个实施例中，第一表面的分配方法包括：提供具有第二表面的硅衬底，和在彼此面对本发明的第一个生长室中在氮化物模板生长到硅衬底的第一表面的第二步骤，其中所述氮化物模板在周围去除从硅衬底，在生长室中的第二ⅲ族氮化物单晶在氮化物模板的第二表面的硅化合物层形成在硅衬底的第二表面上该硅化合物层，和城堡的部分本发明还提供了一种制造氮化物半导体衬底的方法。

4. 发明公开

KR1020170029678A 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：半导体衬底及使用其的半导体发光器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020170029678A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126184
申请日：2015-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 탁영조 , 강삼묵 , 김미현 , 김준연 , 박영수 , 타케우치미사이치
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0075 , H01L21/02005 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/7806 , H01L33/0066 , H01L33/0079
摘要： 본발명의실시예에따른반도체기판의제조방법은, 성장기판상에제1 반도체층을형성하는단계, 상기제1 반도체층상에, 복수의트렌치들을갖는제2 반도체층을형성하는단계, 상기복수의트렌치들을통해서제1 반도체층에복수의보이드들을형성하는단계, 상기제2 반도체층으로부터성장되며, 상기복수의트렌치들을덮고상기제2 반도체층의상부로연장되는제3 반도체층을형성하는단계, 상기제2 및제3 반도체층이상기성장기판으로부터분리되는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造半导体衬底的方法包括以下步骤：在生长衬底上形成第一半导体层;在第一半导体层上形成具有多个沟槽的第二半导体层; 通过沟槽在第一半导体层中形成多个空隙;形成从第二半导体层生长并覆盖多个沟槽并在第二半导体层上延伸的第三半导体层; 并将第二和第三半导体层与理想基板分离。

5. 发明公开

KR1020160021921A 나노구조 반도체 발광소자 审中-实审
标题翻译：纳米扫描半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020160021921A
公开(公告)日：2016-02-29
申请号：KR1020140106794
申请日：2014-08-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심성현 , 유건욱 , 김미현 , 이동훈 , 이진복 , 김제원 , 노혜석 , 이동국
IPC分类号： H01L33/20
CPC分类号： H01L33/24 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L33/08 , H01L33/38
摘要： 본발명은제1 영역과제2 영역을가지며제1 도전형반도체로이루어진베이스층; 상기베이스층의상면에배치되며, 제1 도전형반도체로이루어진복수의나노코어, 상기복수의나노코어상에순차적으로배치된활성층및 제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물; 및상기복수의나노발광구조물의표면에배치된콘택전극을포함하며, 상기제1 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극이배치되지않는부분을가지며, 상기제2 영역에배치된나노발광구조물의상단은, 상기콘택전극으로덮히므로, 나노발광구조물의상단에위치한활성층영역에서발생되는누설전류에대한영향을방지할수 있으며, 나노발광구조물의동작전압이상승하는것을방지할수 있다.
摘要翻译：本发明的纳米结构半导体发光器件包括：具有第一和第二区域并由第一导电半导体材料形成的基极层; 多个发光纳米结构，其设置在所述基底层的上表面上，每一个包括由所述第一导电半导体材料形成的纳米孔，以及依次设置在所述纳米孔上的有源层和第二导电半导体层; 以及设置在所述多个发光纳米结构上的接触电极，其中设置在第一区域中的所述多个发光纳米结构的末端部分具有未布置所述接触电极的部分，并且所述多个发光纳米结构的末端部分设置在第二区域被接触电极覆盖，从而防止了对位于发光纳米结构的顶端部分上的有源层产生的漏电流的影响和发光纳米结构的工作电压的增加。

6. 外观设计

KR3007115750000S 有权
公开(公告)号：KR3007115750000S
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：KR3020120041315
申请日：2012-08-28
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 김미현 , 김애련 , 김장원 , 김다정 , 김현수

7. 发明公开

KR1020160141355A 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 성장용 기판 审中-实审
标题翻译：制造半导体基板和半导体生长基板的方法
公开(公告)号：KR1020160141355A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：KR1020150169791
申请日：2015-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박영환 , 강삼묵 , 김준연 , 김미현 , 김주성 , 탁영조
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/00 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/3213
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의실시예에따른반도체기판의제조방법은, 성장기판상에버퍼층을형성하는단계, 버퍼층에버퍼층을관통하며서로이격되어배치되는복수의개구부들을형성하는단계, 성장기판에복수의개구부들의하부에배치되는복수의캐비티들을형성하는단계, 버퍼층으로부터성장되며, 복수의개구부들을채우고버퍼층의상부로연장되는반도체층을형성하는단계, 및복수의캐비티들에작용하는응력에의해, 버퍼층및 반도체층이성장기판으로부터분리되는단계를포함한다. 성장기판과버퍼층의경계에서, 복수의개구부들의지름은복수의캐비티들의지름보다작다.

8. 外观设计

KR3007139910000S 有权
公开(公告)号：KR3007139910000S
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：KR3020120055395
申请日：2012-11-20
申请人： 삼성전자주식회사
设计人： 김미현 , 김다정 , 김애련 , 김장원 , 김현수

9. 发明公开

KR1019980005762A 화학용액 관리센서의 하우징 失效
公开(公告)号：KR1019980005762A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960025818
申请日：1996-06-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 길준잉 , 김미현
IPC分类号： H01L21/304

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