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1. 发明授权

KR101903747B1 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101903747B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020110119545
申请日：2011-11-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박상호 , 신영기 , 강윤호 , 이주형 , 이형우 , 홍승훈
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L27/3274 , H01L51/0048 , H01L51/0558
摘要： 본발명은탄소나노튜브를포함하는박막트랜지스터가드레인-소스전압이높거나낮음에상관없이스위칭소자의특성을가질수 있도록하기위하여탄소나노튜브패턴을서로분리하고, 이를연결하는부유전극을포함하는박막트랜지스터및 이를포함하는표시장치를제공한다. 그결과표시장치와같이드레인-소스전압이높은경우에도탄소나노튜브를사용한박막트랜지스터가스위칭소자로서의역할을수행할수 있다.

2. 发明公开

KR1020130053857A 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管和包括其的显示器件
公开(公告)号：KR1020130053857A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119545
申请日：2011-11-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박상호 , 신영기 , 강윤호 , 이주형 , 이형우 , 홍승훈
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L27/3274 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , H01L2251/5369
摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a display device including the same are provided to easily form electrodes by using a switching element as the thin film transistor including carbon nanotubes. CONSTITUTION: A source electrode applies an input voltage. A drain electrode(175) applies an output voltage. Two or more carbon nanotube patterns(154) are separated from each other. The patterns are formed in a channel region. At least one floating gate electrode(174) connects the patterns.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置，通过使用开关元件作为包括碳纳米管的薄膜晶体管容易地形成电极。构成：源极施加输入电压。漏电极（175）施加输出电压。两个或多个碳纳米管图案（154）彼此分离。图案形成在通道区域中。至少一个浮栅电极（174）连接图案。

3. 发明公开

KR1020160135077A 박막 반도체 장치의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置薄膜半导体器件方法的方法
公开(公告)号：KR1020160135077A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020150068311
申请日：2015-05-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 오쿠무라히로시 , 강윤호 , 권민성 , 신영기 , 이경원 , 정웅희
IPC分类号： H01L27/32 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판을준비하는단계; 상기기판상에제1 버퍼층을형성하는단계; 상기제1 버퍼층상에, 상기제1 버퍼층의압축응력보다큰 압축응력을갖거나, 상기제1 버퍼층의인장응력보다작은인장응력을갖거나, 상기제1 버퍼층의압축응력보다작은인장응력을갖거나, 상기제1 버퍼층의인장응력과반대방향으로작용하는압축응력을갖는제2 버퍼층을형성하는단계; 및상기제2 버퍼층상에반도체패턴을형성하는단계;를포함하는반도체장치의제조방법을개시한다.

4. 发明公开

KR1020170026773A 표시 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170026773A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020150121092
申请日：2015-08-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이종찬 , 정웅희 , 김대호 , 신영기 , 강윤호 , 차명근
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/56 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78621 , G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2320/0214 , G09G2320/0233 , G09G2320/0238 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L2227/323
摘要： 본발명의일 실시예에따른표시장치는기판, 상기기판위에형성되어있는복수개의트랜지스터, 상기복수개의트랜지스터에연결되어있는발광소자를포함하고, 상기트랜지스터는게이트전극을포함하고, 상기복수개의트랜지스터는상기게이트전극의측벽경사각이서로다른제1 트랜지스터및 제2 트랜지스터를포함하고, 상기제1 트랜지스터는상기게이트전극의측벽위에형성된도핑제어부재를더 포함한다.
摘要翻译：根据本发明的示例性实施例的显示装置包括：基板; 形成在所述基板上的多个晶体管; 以及连接到所述多个晶体管的发光器件，其中所述晶体管包括栅电极，所述多个晶体管包括第一晶体管和栅电极的侧壁倾斜角彼此不同的第二晶体管，以及第一晶体管还包括形成在栅电极的侧壁上的掺杂控制构件。

5. 发明公开

KR1020160006335A 박막트랜지스터 기판, 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板，显示装置，制造薄膜晶体管基板的方法和制造显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020160006335A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140085365
申请日：2014-07-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정웅희 , 강윤호 , 김명화 , 신영기 , 이경원
IPC分类号： H01L51/56 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L27/1222 , H01L27/1274 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： 본발명은고이동도특성을가지면서도제조가용이한박막트랜지스터기판, 디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을위하여, 기판과, 상기기판상에배치된양극산화알루미늄층과, 상기양극산화알루미늄층을덮도록배치된다결정실리콘층과, 상기다결정실리콘층을덮는절연막을구비하는, 박막트랜지스터기판, 디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供薄膜晶体管基板，显示装置，薄膜晶体管基板的制造方法以及显示装置的制造方法。本发明提供一种薄膜晶体管基板，显示装置，薄膜晶体管基板的制造方法以及具有高迁移率特性并易于制造的显示装置的制造方法。本发明包括基板，设置在基板上的阳极氧化铝层，布置成覆盖阳极氧化铝层的多晶硅层和覆盖多晶硅层的绝缘层。

6. 发明公开

KR1020150084256A 표시패널 审中-实审
标题翻译：显示面板
公开(公告)号：KR1020150084256A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004083
申请日：2014-01-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 강윤호 , 나현재 , 신영기 , 심동환
IPC分类号： G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/66969
摘要： 표시패널은베이스기판, 반도체층, 표시소자, 및적어도하나의박막트랜지스터를포함한다. 상기반도체층은상기베이스기판의일부분상에배치된다. 상기박막트랜지스터는입력전극, 출력전극, 및제어전극을포함한다. 상기반도체층은상기입력전극상에배치된제1 부분, 상기출력전극상에배치된제2 부분, 및상기제어전극에중첩하는제3 부분을포함한다. 상기제3 부분은상기제1 부분과상기제2 부분을연결하고, 상기박막트랜지스터의채널을정의한다.
摘要翻译：显示面板包括基底，半导体层，显示元件和至少一个薄膜晶体管。半导体层布置在基底基板的一部分上。薄膜晶体管包括输入电极，输出电极和控制电极。半导体层包括布置在输入电极上的第一部分，布置在输出电极上的第二部分和与控制电极重叠的第三部分。第三部分连接到第一部分和第二部分，并且限定薄膜晶体管的通道。

7. 发明公开

KR1020120058072A 미세 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：形成微细图案的方法和使用其形成显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020120058072A
公开(公告)日：2012-06-07
申请号：KR1020100119694
申请日：2010-11-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강윤호 , 유세환 , 강수형 , 차명근 , 신영기
IPC分类号： G02F1/1345
CPC分类号： G02F1/133516 , B32B2325/00
摘要： PURPOSE: A method for forming micro patterns and a method for manufacturing a display substrate using the same are provided to coat a polymer layer on a base substrate on which a photoresist pattern is formed to perform annealing, thereby generating micro patterns without additional processes. CONSTITUTION: A wiring unit(300) receives driving signals for driving a gate driving circuit from the outside. The wiring unit provides the driving signals to the gate driving circuit. A first wiring unit of the wiring unit comprises the following units. A power line(310) transfers a power signal. A first clock line(320) transfers a first clock signal. A second clock line(330) transfers a second clock signal. An initiation line(340) transfers a vertical initiation signal.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成微图案的方法和使用其形成显示基板的方法，以在其上形成光致抗蚀剂图案的基底基板上涂覆聚合物层以进行退火，从而在没有附加工艺的情况下产生微图案。构成：接线单元（300）从外部接收用于驱动门驱动电路的驱动信号。接线单元向门驱动电路提供驱动信号。布线单元的第一布线单元包括以下单元。电力线（310）传送电力信号。第一时钟线（320）传送第一时钟信号。第二时钟线（330）传送第二时钟信号。起始线（340）传送垂直起始信号。

8. 发明授权

KR102225594B1 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102225594B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020130109888
申请日：2013-09-12
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 신영기 , 심동환 , 강윤호 , 나현재
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
摘要： 박막트랜지스터는제1 반도체층, 상기제1 반도체층위에배치된제2 반도체층, 및상기제1 반도체층의양 옆으로불순물이도핑되어형성된한쌍의소스영역및 드레인영역을포함하고, 상기소스영역은상기제1 반도체층과동일평면상의제1 소스층및 상기제2 반도체층과동일평면상의제2 소스층을포함하고, 상기드레인영역은상기제1 반도체층과동일평면상의제1 드레인층및 상기제2 반도체층과동일평면상의제2 드레인층을포함하고, 상기제1 반도체층및 상기제2 반도체층중 어느하나만이채널층이된다. 박막트랜지스터의문턱전압의크기및 산포, 동작전류를감소시켜박막트랜지스터의특성을향상시키면서박막트랜지스터의시트저항및 접촉저항을감소시킬수 있다.

9. 发明授权

KR102110226B1 표시패널 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102110226B1
公开(公告)日：2020-05-14
申请号：KR1020130109224
申请日：2013-09-11
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 조승환 , 강윤호 , 김동조 , 신영기 , 심동환
IPC分类号： G09F9/00 , H01L51/52 , G02F1/13

10. 发明公开

KR1020160063515A 트랜지스터, 이를 구비한 유기발광 표시장치, 및 유기발광 표시장치 제조방법 审中-实审
标题翻译：晶体管，有机发光显示器及有机发光显示器的制造方法
公开(公告)号：KR1020160063515A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020140166650
申请日：2014-11-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이경원 , 강윤호 , 차명근 , 신영기 , 정웅희
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/56
CPC分类号： H01L27/3262 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , H01L27/3265 , H01L29/6675 , H01L29/78645 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/56 , Y02B20/36
摘要： 유기발광표시장치는유기발광소자를제어하기위한트랜지스터를포함한다. 상기트랜지스터에는폴리실리콘층이배치되어있으며, 폴리실리콘층은다수의그래인(Grain)을포함한다. 그래인(Grain)의크기는폴리실리콘층의중심부분에서가장자리부분으로갈수록작아진다.
摘要翻译：有机发光显示装置包括用于控制有机发光器件的晶体管。多晶硅层设置在晶体管上，多晶硅层包括多个晶粒。晶粒尺寸从多晶硅层的中心部朝向多晶硅层的边缘部分变小。有机发光显示装置包括：设置在基底基板上并且包括沟道区的多晶硅层，以及其间具有沟道区的第一离子掺杂区和第二离子掺杂区; 与沟道区域重叠的第一栅极电极与沟道区域绝缘; 与所述第一栅电极绝缘并与所述沟道区重叠的第二栅电极; 设置在所述第二栅电极上的层间绝缘层; 源极，设置在所述层间绝缘层上并连接到所述第一离子掺杂区; 以及设置在层间绝缘层上并连接到第二离子掺杂区的漏电极。

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