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1. 发明授权

KR101544055B1 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치 有权
标题翻译：制造薄膜晶体管的薄膜晶体管方法和使用该薄膜晶体管的显示器件
公开(公告)号：KR101544055B1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020090012691
申请日：2009-02-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 황태형 , 김현재 , 김도경 , 정웅희
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
摘要： 박막트랜지스터, 이의제조방법및 이를이용한액정표시장치에서, 박막트랜지스터는베이스기판, 게이트전극, 게이트절연막, 다결정실리콘층, 촉매층, 오믹콘택층, 소오스전극및 드레인전극을포함한다. 다결정실리콘층은촉매층을통과한방사열에의해서촉매층의하부영역이결정화되고, 따라서마스크를사용하지않고도미세패턴의결정화가가능하여비용을절감할수 있다.

2. 发明公开

KR1020150054040A 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板和有机发光显示装置
公开(公告)号：KR1020150054040A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130135474
申请日：2013-11-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강동한 , 김선광 , 김재식 , 김현식 , 정웅희 , 최천기
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50
CPC分类号： H01L29/06 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/0657 , H01L29/0684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/50
摘要： 유기발광표시장치는복수의화소영역을갖는기판상에게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 및산화물반도체층를포함하는박막트랜지스터를포함하며, 상기산화물반도체층은평면상에서볼 때, 일단의폭과타단의폭이다르게형성될수 있다.
摘要翻译：有机发光显示装置包括在具有多个像素区域的基板上包括栅电极，源电极，漏电极和氧化物半导体层的薄膜晶体管。氧化物半导体层的一侧和另一侧的宽度在平面上是不同的。

3. 发明公开

KR1020170053780A 박막트랜지스터 기판 및 이를 구비한 표시 장치 无效
标题翻译：薄膜晶体管基板及具有该基板的显示装置
公开(公告)号：KR1020170053780A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150155792
申请日：2015-11-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 포항공과대학교 산학협력단
发明人： 이정수 , 강윤호 , 정웅희 , 김성지 , 오현관 , 이준영 , 이호준
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32
摘要： 본발명의일 실시예는기판과, 기판위에위치하며, 채널영역채널영역의양측에각각위치하는소스영역및 드레인영역을포함하는반도체층과, 반도체층위에위치하며채널영역과중첩되는게이트전극과, 소스영역과전기적으로연결된소스전극, 및드레인영역과전기적으로연결된드레인전극을포함하며, 반도체층의채널영역은채널영역을관통하는복수의제1홀들을포함하며, 게이트전극은복수의제1홀들각각에인입되는인입부를포함하는박막트랜지스터기판을개시한다.
摘要翻译：本发明的基材的一个实施例和位于衬底上，包括一个源极区和分别位于所述沟道区的两侧上的沟道区域，并且位于半导体层的上方，并与所述沟道区重叠，且栅电极的漏区的半导体层源电极，电连接到所述源区，以及漏电极，电连接到所述漏区，所述半导体层的所述沟道区包括穿过所述沟道区的多个第一孔，所述栅电极包括多个第一公开了包括插入每个孔中的插入部分的薄膜晶体管基板。

4. 发明公开

KR1020160135077A 박막 반도체 장치의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：显示装置薄膜半导体器件方法的方法
公开(公告)号：KR1020160135077A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：KR1020150068311
申请日：2015-05-15
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 오쿠무라히로시 , 강윤호 , 권민성 , 신영기 , 이경원 , 정웅희
IPC分类号： H01L27/32 , H01L21/02
摘要： 본발명은기판을준비하는단계; 상기기판상에제1 버퍼층을형성하는단계; 상기제1 버퍼층상에, 상기제1 버퍼층의압축응력보다큰 압축응력을갖거나, 상기제1 버퍼층의인장응력보다작은인장응력을갖거나, 상기제1 버퍼층의압축응력보다작은인장응력을갖거나, 상기제1 버퍼층의인장응력과반대방향으로작용하는압축응력을갖는제2 버퍼층을형성하는단계; 및상기제2 버퍼층상에반도체패턴을형성하는단계;를포함하는반도체장치의제조방법을개시한다.

5. 发明公开

KR1020100093647A 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치 有权
标题翻译：薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和使用其的显示器件
公开(公告)号：KR1020100093647A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020090012691
申请日：2009-02-17
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 황태형 , 김현재 , 김도경 , 정웅희
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： H01L29/78678 , G02F1/1368 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66765
摘要： PURPOSE: A thin film transistor, its manufacturing method and liquid crystal display using the same are provided to realize the crystallization of a fine pattern and to reduce cost even a mask is not used, by only crystallizing an amorphous silicon layer of an oxide silicon layer lower part based on due to the radiant heat passing through the oxide silicon layer. CONSTITUTION: A gate electrode(120) is formed on a base substrate(110). A gate insulating layer(130) is located on the base substrate and on the gate electrode. A polycrystalline silicon layer(140) is located to cope with the gate electrode on the gate insulating layer. A catalyst layer(150) is located on the polycrystalline silicon layer. An ohmic contact layer(160) is connected to the polycrystalline silicon layer. A source electrode(170) is connected to the ohmic contact corresponding to the first contact hole.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法和使用其的液晶显示器，以实现精细图案的结晶化，并且即使不使用掩模也能降低成本，只需将氧化物硅层的非晶硅层基于通过氧化硅层的辐射热，下部分。构成：在基底（110）上形成栅电极（120）。栅极绝缘层（130）位于基底衬底和栅电极上。多晶硅层（140）被定位成与栅极绝缘层上的栅极电极对应。催化剂层（150）位于多晶硅层上。欧姆接触层（160）连接到多晶硅层。源电极（170）连接到对应于第一接触孔的欧姆接触。

6. 发明公开

KR1020100039608A 반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법 有权
标题翻译：结晶装置，其制造方法和使用该方法的结晶方法
公开(公告)号：KR1020100039608A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：KR1020080098644
申请日：2008-10-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 황태형 , 김현재 , 김도경 , 정태훈 , 정웅희 , 이충희
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/13
CPC分类号： C30B29/06 , B32B2457/202 , C30B1/023 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1285
摘要： PURPOSE: A crystallization apparatus, a manufacturing method thereof, and the method for crystallization using the same are provided to crystallize amorphous silicon by locally supplying heat to the amorphous silicon on a soft substrate. CONSTITUTION: A crystallization apparatus comprises a heater(20), a supporting part(30), and a roller(40). The heater receives a heat generating source from the outside of the crystallization apparatus. The supporting part supports the heater. The supporting part offers the heat generating source to the heater. The heater is included inside the heater. Multiple opening portions(45) is included in the roller. The roller offers the heat to a target object.
摘要翻译：目的：提供一种结晶装置及其制造方法以及使用该结晶装置的结晶方法，通过在软质基板上向非晶硅局部供热来使非晶硅结晶。结构：结晶装置包括加热器（20），支撑部分（30）和辊（40）。加热器从结晶装置的外部接收发热源。支撑部件支撑加热器。支撑部件为加热器提供发热源。加热器包含在加热器内。多个开口部分（45）包括在辊中。滚筒为目标物体提供热量。

7. 发明公开

KR1020160063515A 트랜지스터, 이를 구비한 유기발광 표시장치, 및 유기발광 표시장치 제조방법 审中-实审
标题翻译：晶体管，有机发光显示器及有机发光显示器的制造方法
公开(公告)号：KR1020160063515A
公开(公告)日：2016-06-07
申请号：KR1020140166650
申请日：2014-11-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이경원 , 강윤호 , 차명근 , 신영기 , 정웅희
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/56
CPC分类号： H01L27/3262 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , H01L27/3265 , H01L29/6675 , H01L29/78645 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/56 , Y02B20/36
摘要： 유기발광표시장치는유기발광소자를제어하기위한트랜지스터를포함한다. 상기트랜지스터에는폴리실리콘층이배치되어있으며, 폴리실리콘층은다수의그래인(Grain)을포함한다. 그래인(Grain)의크기는폴리실리콘층의중심부분에서가장자리부분으로갈수록작아진다.
摘要翻译：有机发光显示装置包括用于控制有机发光器件的晶体管。多晶硅层设置在晶体管上，多晶硅层包括多个晶粒。晶粒尺寸从多晶硅层的中心部朝向多晶硅层的边缘部分变小。有机发光显示装置包括：设置在基底基板上并且包括沟道区的多晶硅层，以及其间具有沟道区的第一离子掺杂区和第二离子掺杂区; 与沟道区域重叠的第一栅极电极与沟道区域绝缘; 与所述第一栅电极绝缘并与所述沟道区重叠的第二栅电极; 设置在所述第二栅电极上的层间绝缘层; 源极，设置在所述层间绝缘层上并连接到所述第一离子掺杂区; 以及设置在层间绝缘层上并连接到第二离子掺杂区的漏电极。

8. 发明公开

KR1020150101487A 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150101487A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020140022292
申请日：2014-02-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정웅희 , 김선광 , 김현식 , 안병두 , 최천기
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78696 , H01L29/78618
摘要： 본 발명의 실시예는 박막 트랜지스터, 그의 제조방법 및 그를 구비하는 평판표시장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극을 포함하는 기판 상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 전극을 포함하는 게이트 절연층 상에 형성되며 소스 영역, 채널 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층, 산화물 반도체층 상에 형성되며 산화물 반도체층보다 케리어 농도가 낮은 산화물 버퍼층, 산화물 버퍼층 및 게이트 절연층 상에 형성되며 소스 영역 및 드레인 영역의 산화물 버퍼층이 노출되도록 콘택홀이 형성된 보호층, 및 콘택홀을 통해 소스 영역 및 드레인 영역의 산화물 버퍼층과 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다.
摘要翻译：本发明的实施例涉及薄膜晶体管，其制造方法和包括该薄膜晶体管的平板显示装置。薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极; 栅极绝缘层，其形成在包括所述栅电极的所述基板上; 形成在包括栅电极的栅极绝缘层上并包括源极区，沟道区和漏极区的氧化物半导体层; 氧化物缓冲层，其形成在所述氧化物半导体层上，并且具有低于所述氧化物半导体层的载流子密度的载流子密度; 形成在所述氧化物缓冲层和所述栅极绝缘层上的保护层，并具有露出所述源极区域和所述漏极区域的氧化物缓冲层的接触孔; 以及源电极和漏电极，其通过接触孔与源极区域和漏极区域的氧化物缓冲层连接。

9. 发明公开

KR1020150061302A 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示基板，其制造方法和包括其的显示装置
公开(公告)号：KR1020150061302A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130145254
申请日：2013-11-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김선광 , 최천기 , 강동한 , 김재식 , 김현식 , 정웅희
IPC分类号： G09F9/30
CPC分类号： H01L27/3262 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 표시기판은베이스기판상에배치되는제1 게이트전극, 베이스기판상에배치되며제1 게이트전극과전기적으로연결된스캔라인, 베이스기판상에배치되어제1 게이트전극및 스캔라인을덮도록순차적으로적층되는게이트절연층, 식각저지층및 패시베이션층 및패시베이션층 상에배치되어스캔라인과적어도부분적으로중첩되는데이터라인을포함한다.
摘要翻译：显示基板包括布置在基底基板上的第一栅电极，布置在基底基板上并与第一栅电极电连接的扫描线，栅极绝缘层，蚀刻停止层和钝化层它们被布置在基底衬底上，并且被依次层叠以覆盖第一栅电极和扫描线，以及布置在钝化层上并与扫描线部分重叠的数据线。

10. 发明授权

KR101513245B1 반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법 有权
公开(公告)号：KR101513245B1
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：KR1020080098644
申请日：2008-10-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 연세대학교 산학협력단
发明人： 황태형 , 김현재 , 김도경 , 정태훈 , 정웅희 , 이충희
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/136 , G02F1/13
摘要： 비정질 실리콘의 국부적인 결정화가 가능한 결정화 장치를 개시한다. 결정화 장치는 외부로부터 발열 소스를 제공받아 열을 발산하는 발열부, 발열부를 지지하고, 발열 소스를 발열부로 제공하는 지지부, 및 발열부를 내부에 수납하고, 복수의 개구부가 형성되어 열을 대상물에 제공하는 롤러를 포함한다. 따라서, 기판의 손상없이 국부적으로 결정화를 할 수 있다.

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