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1. 发明公开

KR1020150061256A 화소 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터를 포함하는 표시기판 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：包含像素TFT和驱动TFT的显示基板及其制备方法
公开(公告)号：KR1020150061256A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130145130
申请日：2013-11-27
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 카노 , 박상호 , 구소영 , 김명화 , 김연홍 , 노정훈 , 임준형 , 장상희
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/1225 , H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L51/50
摘要： 본발명은구조가상이한제 1 박막트랜지스터와제 2 박막트랜지스터가하나의기판에구비된표시장치및 상기표시장치의제조방법에대한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种显示装置，其中彼此不同的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管位于基板上，以及用于制造显示装置的方法。显示装置安装在基板上，具有安装在基板上并与驱动单元相邻的具有第二薄膜晶体管的第一薄膜晶体管和显示单元的驱动单元。

2. 发明公开

KR1020160120838A 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160120838A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：KR1020150049659
申请日：2015-04-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 문연건 , 카노마사타카 , 구소영 , 김명화 , 임준형
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , H01L27/0705 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78648 , H01L29/7869
摘要： 본발명에따른박막트랜지스터표시판은제1 절연기판; 상기제1 절연기판과제1 게이트절연막사이에위치하는제1 반도체; 상기제1 게이트절연막위에상기제1 반도체와중첩하여위치하는게이트전극; 상기게이트전극위에위치하는제2 게이트절연막; 제2 게이트절연막위에상기게이트전극과중첩하여위치하는제2 반도체; 상기제2 반도체위에위치하는층간절연막; 및상기층간절연막위에서서로이격되며, 상기제1 반도체및 상기제2 반도체와연결된소스전극과드레인전극을포함한다.

3. 发明公开

KR1020160066580A 표시 장치 审中-实审
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020160066580A
公开(公告)日：2016-06-13
申请号：KR1020140170204
申请日：2014-12-02
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 카노마사타카 , 문연건 , 노정훈 , 임준형 , 구소영 , 김명화
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , G02F1/1362 , G02F1/134309 , G02F1/136286
摘要： 표시장치가제공된다. 일례로, 표시장치는기판; 상기기판상에제1 방향을따라연장되는제1 게이트라인; 상기제1 게이트라인을덮도록상기기판상에형성되는게이트절연층; 상기게이트절연층상에상기제1 게이트라인과중첩하도록형성되고, 제1 영역과제2 영역을포함하는제1 반도체패턴; 상기게이트절연층상에상기제1 방향과수직인제2 방향을따라연장되며, 상기제1 반도체패턴의제1 영역과중첩하는소스전극영역을포함하는제1 데이터라인; 상기소스전극영역과이격되며상기제1 반도체패턴의제2 영역상에형성되는드레인전극; 및상기드레인전극상에형성되며, 상기드레인전극과전기적으로형성되는화소전극을포함하되, 상기제1 반도체패턴은상기제1 방향과상기제2 방향사이의제3 방향을따라배치된다.
摘要翻译：提供了一种显示装置。作为示例，显示装置包括基板，在基板上沿第一方向延伸的第一栅极线，形成在基板上以覆盖第一栅极线的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的第一半导体图案，与第一栅极线重叠，并且包括第一区域和第二区域，在与栅极绝缘层上的第一方向垂直的第二方向上延伸的第一数据线，并且包括与第一栅极线的第一区域重叠的源电极区域半导体图案，与源电极区间隔开并形成在第一半导体图案的第二区上的漏电极，以及形成在漏电极上并电连接到漏电极的像素电极。第一半导体图案在第一方向和第二方向之间沿第三方向排列。本发明是提供一种能够在实现高分辨率的同时提高像素的开口率的显示装置。

4. 发明授权

KR102239841B1 박막 트랜지스터, 이를 구비하는 디스플레이 장치, 박막 트랜지스터의 제조방법 및 디스플레이 장치의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102239841B1
公开(公告)日：2021-04-14
申请号：KR1020140101099
申请日：2014-08-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이종찬 , 강윤호 , 김명화 , 배준화 , 차명근
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 본발명은공정이단순화되어제조가용이한박막트랜지스터, 이를구비하는디스플레이장치, 박막트랜지스터의제조방법및 디스플레이장치의제조방법을위하여, 제1영역과상기제1영역일측의제2영역과상기제1영역타측의제3영역을갖는기판과, 상기기판상에배치되는폴리실리콘층과, 상기제1영역과상기제3영역에서상기폴리실리콘층상에위치하며상기폴리실리콘층근방에서메탈실리사이드층을갖는소스전극과드레인전극을구비하는, 박막트랜지스터, 이를구비하는디스플레이장치, 박막트랜지스터의제조방법및 디스플레이장치의제조방법을제공한다.

5. 发明公开

KR1020170015592A 블라인드형 표시 장치 审中-实审
标题翻译： BLIND显示设备
公开(公告)号：KR1020170015592A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150107109
申请日：2015-07-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이종찬 , 구소영 , 차명근 , 강윤호 , 김명화 , 정웅희
IPC分类号： G09F11/06 , G09F11/10 , G09F9/302 , G06K19/07
CPC分类号： G06F3/1446 , G09G3/20 , G09G2300/026 , G09G2310/0232 , G09G2320/0233
摘要： 블라인드형표시장치는제1 방향으로순차적으로위치하는평면표시영역, 곡면표시영역및 베젤영역으로각각구분되고, 제1 방향으로배열되는복수의곡면표시패널들, 곡면표시패널들의상단부및 하단부를지지하고, 곡면표시패널들의수평방향이동을가이드하는지지부재및 곡면표시패널들각각과지지부재를연결하고, 곡면표시패널들각각을좌우방향으로회전시키는회전축부재를포함한다.
摘要翻译：盲目显示装置包括多个弯曲显示面板，支撑件和多个旋转器。每个弯曲显示面板包括在平坦显示区域和边框区域之间的弯曲显示区域。支架引导弯曲显示面板的运动。旋转体将对应的弯曲显示面板耦合到支撑件并旋转相应的弯曲显示面板。

6. 发明公开

KR1020160006871A 박막 트랜지스터 제조방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 표시기판 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造薄膜晶体管的方法和制造具有薄膜晶体管的显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020160006871A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140086195
申请日：2014-07-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 구소영 , 김명화 , 박상호 , 임준형 , 카노,마사타카
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L21/477 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L2227/323 , H01L29/7869
摘要： 본발명의일 실시예에따른박막트랜지스터제조방법은, 베이스기판상에산화물반도체층을형성하는단계, 상기산화물반도체층내의결함(defect)이감소되도록질소가스또는질소산화물가스로부터생성된플라즈마를이용하여상기산화물반도체층을플라즈마처리하는단계, 및상기플라즈마처리된산화물반도체층으로부터채널층이형성되도록상기플라즈마처리된산화물반도체층을어닐링하는단계를포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造薄膜晶体管的方法包括在基底基板上形成氧化物半导体层的步骤，通过使用由氮气产生的等离子体对氧化物半导体层进行等离子体处理的步骤氮氧化物气体，以减少氧化物半导体层中的缺陷;以及退火等离子体处理的氧化物半导体层以从等离子体处理的氧化物半导体层形成沟道层的步骤。

7. 发明公开

KR1020160038172A 박막트랜지스터 기판, 이를 구비한 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板，包括该薄膜晶体管基板的显示装置，制造薄膜晶体管基板的方法，以及制造显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020160038172A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140130337
申请日：2014-09-29
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 차명근 , 김동조 , 강윤호 , 김명화 , 이경원
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L27/1274 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78645 , H01L29/78648 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L29/78606
摘要： 본발명은높은이동도등의우수한성능을가진박막트랜지스터기판, 이를구비한디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을위하여, 기판과, 상기기판상에배치되며상호이격된제1가지전극과제2가지전극을갖는제1게이트전극과, 상기제1게이트전극과절연되도록상기제1게이트전극상부에배치된폴리실리콘층과, 상기폴리실리콘층과절연되도록상기폴리실리콘층상부에배치되며상기제1가지전극과상기제2가지전극에대응하는제2게이트전극을구비하는, 박막트랜지스터기판, 이를구비한디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括该薄膜晶体管基板的显示装置，薄膜晶体管基板的制造方法以及能够具有优异的移动性等性能的显示装置的制造方法。本发明包括：基板; 第一栅电极，其设置在所述基板上，并且包括彼此分离的第一和第二分支电极; 放置在所述第一栅电极的上部以与所述第一栅电极绝缘的多晶硅层; 以及放置在多晶硅层的上部以与多晶硅层绝缘并且对应于第一和第二分支电极的第二栅电极。

8. 发明公开

KR1020160006335A 박막트랜지스터 기판, 디스플레이 장치, 박막트랜지스터 기판 제조방법 및 디스플레이 장치 제조방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板，显示装置，制造薄膜晶体管基板的方法和制造显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020160006335A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020140085365
申请日：2014-07-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 정웅희 , 강윤호 , 김명화 , 신영기 , 이경원
IPC分类号： H01L51/56 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78603 , H01L27/1222 , H01L27/1274 , H01L29/66757 , H01L29/78675
摘要： 본발명은고이동도특성을가지면서도제조가용이한박막트랜지스터기판, 디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을위하여, 기판과, 상기기판상에배치된양극산화알루미늄층과, 상기양극산화알루미늄층을덮도록배치된다결정실리콘층과, 상기다결정실리콘층을덮는절연막을구비하는, 박막트랜지스터기판, 디스플레이장치, 박막트랜지스터기판제조방법및 디스플레이장치제조방법을제공한다.
摘要翻译：本发明提供薄膜晶体管基板，显示装置，薄膜晶体管基板的制造方法以及显示装置的制造方法。本发明提供一种薄膜晶体管基板，显示装置，薄膜晶体管基板的制造方法以及具有高迁移率特性并易于制造的显示装置的制造方法。本发明包括基板，设置在基板上的阳极氧化铝层，布置成覆盖阳极氧化铝层的多晶硅层和覆盖多晶硅层的绝缘层。

9. 发明公开

KR1020160147117A 박막 트랜지스터 기판 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列
公开(公告)号：KR1020160147117A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：KR1020150082716
申请日：2015-06-11
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 카노 , 임지훈 , 문연건 , 임준형 , 구소영 , 김명화
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/788
摘要： 본발명의한 실시예에따른박막트랜지스터기판은기판, 기판위에위치하는게이트전극, 게이트전극위에위치하는제1 자기조립단분자층, 게이트제1 자기조립단분자층위에위치하는게이트절연막, 게이트절연막위에위치하는반도체, 반도체와중첩하며, 상기반도체를중심으로서로이격되어마주하는소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극위에위치하는제1 층간절연막, 제1 층간절연막위에위치하는제2 자기조립단분자층, 제2 자기조립단분자층위에위치하는제2 게이트전극, 제2 게이트전극위에위치하는제2 층간절연막, 제2 층간절연막위에위치하며상기드레인전극과연결되어있는화소전극을포함한다.
摘要翻译：薄膜晶体管阵列面板包括基板，设置在基板上的第一栅电极，设置在第一栅电极上的第一自组装单层，设置在第一自组装单层上的栅极绝缘层，设置在第一自组装单层上的半导体所述栅极绝缘层，与所述半导体重叠的漏电极，所述漏电极相对于所述半导体分离并面对源电极，设置在所述源电极和所述漏电极上的第一层间绝缘层，第二自组装单层设置在第一层间绝缘层上的第二栅电极，设置在第二自组装单层上的第二栅电极，设置在第二栅电极上的第二层间绝缘层，以及设置在第二层间绝缘层上并连接到漏极的像素电极。

10. 发明公开

KR1020160054702A 박막 트랜지스터 기판과 이의 제작 방법 및 이를 구비한 액정 표시 패널 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管基板，其制造方法和具有该膜的液晶显示面板
公开(公告)号：KR1020160054702A
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140153779
申请日：2014-11-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 문연건 , 카노,마사타카 , 양성훈 , 임지훈 , 구소영 , 김명화 , 임준형
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/1362
CPC分类号： H01L29/78645 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/78642 , H01L29/78648 , G02F1/136286
摘要： 기판; 상기기판상에위치하는바텀게이트; 상기기판및 상기바텀게이트상에위치하는제1 절연층; 상기제1 절연층상에위치하는드레인; 상기제1 절연층상에위치하고상기드레인의일측에위치하는제1 소스및 상기제1 절연층상에위치하고상기드레인의타측에위치하는제2 소스를포함하는소스; 상기제1 절연층상에위치하고상기드레인및 상기제1 소스와접촉하는제1 활성층및 상기제1 절연층상에위치하고상기드레인및 상기제2 소스와접촉하는제2 활성층을포함하는활성층; 상기드레인, 상기소스및 상기활성층상에위치하는제2 절연층; 및상기제 2 절연층상에위치하는탑 게이트를포함하는본 발명의일 실시예에따른박막트랜지스터기판이개시된다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种能够通过在分开的有源层中形成四个通道来改善载流子迁移率的薄膜晶体管基板。根据本发明的实施例，薄膜晶体管基板包括：基板; 设置在基板上的底栅; 设置在所述基板和所述底栅上的第一绝缘层; 漏极，设置在所述第一绝缘层上; 设置有设置在所述第一绝缘层上且在所述漏极的一侧上的第一源的源极和设置在所述第一绝缘层上且在所述漏极的另一侧上的第二源极; 有源层，其具有设置在第一绝缘层上并与漏极和第一源接触的第一有源层，以及设置在第一绝缘层上并与漏极接触的第二有源层，第二来源设置在漏极，源极和有源层上的第二绝缘层; 以及设置在所述第二绝缘层上的顶栅。

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