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1. 发明公开

KR1020130053857A 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管和包括其的显示器件
公开(公告)号：KR1020130053857A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020110119545
申请日：2011-11-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박상호 , 신영기 , 강윤호 , 이주형 , 이형우 , 홍승훈
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L27/3274 , H01L51/0048 , H01L51/0558 , H01L2251/5369
摘要： PURPOSE: A thin film transistor and a display device including the same are provided to easily form electrodes by using a switching element as the thin film transistor including carbon nanotubes. CONSTITUTION: A source electrode applies an input voltage. A drain electrode(175) applies an output voltage. Two or more carbon nanotube patterns(154) are separated from each other. The patterns are formed in a channel region. At least one floating gate electrode(174) connects the patterns.
摘要翻译：目的：提供薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示装置，通过使用开关元件作为包括碳纳米管的薄膜晶体管容易地形成电极。构成：源极施加输入电压。漏电极（175）施加输出电压。两个或多个碳纳米管图案（154）彼此分离。图案形成在通道区域中。至少一个浮栅电极（174）连接图案。

2. 发明授权

KR101860493B1 미세 패턴 마스크의 형성 방법 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101860493B1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：KR1020110107653
申请日：2011-10-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 유세환 , 이지선 , 강윤호 , 서갑양 , 엄형식 , 채재준 , 이성훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： 본발명은미세패턴마스크의형성방법및 이를이용한미세패턴의형성방법에관한것이다. 본발명의한 실시예에따른미세패턴마스크형성방법은기판위에피식각층을형성하는단계, 상기피식각층위에복수의볼록부를가지는볼록패턴을형성하는단계, 상기볼록패턴위에수지조성물을도포하여상기볼록부와인접한제1 영역및 이웃한볼록부사이에위치하는제2 영역을포함하는수지층을형성하는단계, 상기수지층을애싱또는식각하여복수의제1 수지패턴을형성하는단계, 그리고상기복수의제1 수지패턴을처리하여복수의제2 수지패턴을포함하는미세패턴마스크를형성하는단계를포함한다.

3. 发明公开

KR1020130043706A 미세 패턴 마스크의 형성 방법 및 이를 이용한 미세 패턴의 형성 방법 审中-实审
标题翻译：形成精细图案掩模的方法和使用该方法形成精细花纹的方法
公开(公告)号：KR1020130043706A
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020110107653
申请日：2011-10-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 유세환 , 이지선 , 강윤호 , 서갑양 , 엄형식 , 채재준 , 이성훈
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0274
摘要： PURPOSE: A method for forming a fine pattern mask and a method for forming a fine pattern using the same are provided to use a fine pattern mask as an etch mask and improve the uniformity and the accuracy of a fine pattern. CONSTITUTION: An etch object layer(10) is formed on a substrate. A convex pattern having convex parts is formed on the etch object layer. A resin composition is coated on the convex pattern to form a resin layer. The resin layer is ashed or etched to form a first resin pattern(40b) having a second curved surface(Cv2). The first resin patterns is processed to form a second resin pattern(40c) having a third curved surface(Cv3). The etch object layer is etched using the second resin pattern as an etch mask to form a fine pattern. [Reference numerals] (AA) Heat
摘要翻译：目的：提供用于形成精细图案掩模的方法和使用其形成精细图案的方法以使用精细图案掩模作为蚀刻掩模，并提高精细图案的均匀性和精度。构成：在衬底上形成蚀刻对象层（10）。在蚀刻对象层上形成具有凸部的凸形图案。将树脂组合物涂布在凸形图案上以形成树脂层。树脂层被灰化或蚀刻以形成具有第二弯曲表面（Cv2）的第一树脂图案（40b）。处理第一树脂图案以形成具有第三曲面（Cv3）的第二树脂图案（40c）。使用第二树脂图案作为蚀刻掩模蚀刻蚀刻对象层以形成精细图案。（标号）（AA）热

4. 发明授权

KR101903747B1 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR101903747B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020110119545
申请日：2011-11-16
申请人： 삼성디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
发明人： 박상호 , 신영기 , 강윤호 , 이주형 , 이형우 , 홍승훈
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/136 , H01L51/50
CPC分类号： H01L27/283 , B82Y10/00 , H01L27/3274 , H01L51/0048 , H01L51/0558
摘要： 본발명은탄소나노튜브를포함하는박막트랜지스터가드레인-소스전압이높거나낮음에상관없이스위칭소자의특성을가질수 있도록하기위하여탄소나노튜브패턴을서로분리하고, 이를연결하는부유전극을포함하는박막트랜지스터및 이를포함하는표시장치를제공한다. 그결과표시장치와같이드레인-소스전압이높은경우에도탄소나노튜브를사용한박막트랜지스터가스위칭소자로서의역할을수행할수 있다.

5. 发明授权

KR102130548B1 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102130548B1
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：KR1020180164053
申请日：2018-12-18
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이용수 , 강윤호 , 김동조 , 나현재 , 박상호 , 유세환 , 장종섭
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/786 , H01L27/12

6. 发明授权

KR101975263B1 박막트랜지스터 표시판과 이를 제조하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101975263B1
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：KR1020120012334
申请日：2012-02-07
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이용수 , 강윤호 , 유세환 , 김동조 , 이민정
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786

7. 发明授权

KR101960813B1 표시 기판 및 이의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101960813B1
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：KR1020110111741
申请日：2011-10-31
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이정규 , 강윤호 , 유세환 , 김철규 , 이용수 , 장종섭 , 박상호 , 강수형 , 나현재 , 신영기
IPC分类号： G02F1/1368

8. 发明授权

KR101929834B1 박막 트랜지스터 기판, 이를 갖는 액정 표시 장치, 및 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101929834B1
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：KR1020110073671
申请日：2011-07-25
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 강수형 , 강윤호 , 장종섭 , 박상호 , 이정규
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
摘要： 표시 장치는 박막 트랜지스터 기판과 이에 대향하는 기판 및 두 기판 사이의 액정층을 포함한다. 상기 박막 트랜지스터 기판은 4회의 포토리소그래피 공정으로 제조할 수 있다. 상기 박막 트랜지스터 기판은 절연 기판, 상기 절연 기판의 일 면 상에 제공된 게이트 전극, 상기 게이트 전극을 커버하는 게이트 절연층, 상기 게이트 절연층 상에 제공된 반도체층, 상기 반도체층 상에 제공된 소스 전극, 및 상기 반도체층 상에 제공되며 상기 소스 전극으로부터 이격된 드레인 전극을 포함한다. 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 중 하나는 평면 상에서 볼 때 상기 게이트 전극으로부터 이격된다. 상기 게이트 전극은 상기 절연 기판의 일 면에 대해 경사진 측면을 가지며, 상기 게이트 전극은 상기 절연 기판의 일 면에 대해 경사진 일 방향에서 볼 때 상기 소스 전극 또는 상기 드레인 전극과 일부 중첩한다.

9. 发明授权

KR101903565B1 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101903565B1
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：KR1020110104634
申请日：2011-10-13
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 박상호 , 강윤호 , 유세환 , 이용수 , 장종섭 , 차명근 , 나현재
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L29/41758 , H01L29/458 , H01L29/78642 , H01L29/78669 , H01L29/78678
摘要： 본발명의한 실시예에따른박막트랜지스터기판은절연기판, 상기절연기판위에배치되어있는게이트전극, 상기게이트전극위에배치되어있는게이트절연막, 상기게이트절연막위에배치되어있는반도체, 상기반도체위에배치되어있는소스전극및 드레인전극, 상기소스전극및 상기드레인전극중 적어도하나와상기반도체의계면에배치되어있는오믹접촉층을포함하고, 상기소스전극과상기드레인전극의표면높이는서로다르고, 상기반도체와상기오믹접촉층의표면높이는서로같고, 상기오믹접촉층은상기소스전극및 상기드레인전극을이루는금속의실리사이드로형성된다.

10. 发明授权

KR101688999B1 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：液晶显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101688999B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020100020356
申请日：2010-03-08
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 이기엽 , 강윤호 , 김용환
IPC分类号： G02F1/1337
摘要： 본발명의실시예에따른액정표시장치는제1 기판, 상기제1 기판과마주보는제2 기판, 상기제1 기판및 상기제2 기판중 적어도하나위에형성되어있는전기장생성전극, 상기제1 기판과상기제2 기판사이에개재되어있으며액정및 반응성메조겐을갖는액정층을포함한다. 여기서, 상기반응성메조겐은자외선조사에의하여액정분자의배향을유도하며, 상기액정표시장치는상기제1 기판및 제 2 기판중 적어도하나에자외선차단층을포함한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的液晶显示装置包括第一基板，面对第一基板的第二基板，形成在第一基板和第二基板中的至少一个上的电场产生电极，介于基板和液晶之间并具有反应性液晶元的液晶层。在此，反应性液晶元通过紫外线照射引起液晶分子的取向，并且液晶显示装置在第一基板和第二基板中的至少一个上包括紫外线阻挡层。

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