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1. 发明公开

KR1020150091260A 진공-통합된 하드마스크 프로세스 및 장치 审中-实审
标题翻译：真空综合硬件工艺和设备
公开(公告)号：KR1020150091260A
公开(公告)日：2015-08-10
申请号：KR1020150015184
申请日：2015-01-30
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 마크스제프리 , 고트쵸리차드에이. , 하우스만데니스엠. , 라보이애드리언 , 나이즐리토마스 , 래디시리쉬케이. , 바라다라잔브하드리엔. , 코릭스아르투르 , 안토넬리조지앤드류
IPC分类号： H01L21/033 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/76 , C23C18/14 , C23C18/1612 , C23C18/165 , C23C18/182 , G03F7/0043 , G03F7/16 , G03F7/167 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3213 , G03F7/2063 , G03F7/70033
摘要： 금속하드마스크를형성하기위한진공-통합된무포토레지스트 (photoresist-less) 방법들및 장치들은 30 nm 보다작은패터닝분해능을제공할수 있다. 반도체기판상에패터닝작용제에민감한금속-함유막 (예를들어서, 금속염 또는유기금속성화합물) 이증착된다. 금속하드마스크를형성하도록진공분위기내에서상기패터닝작용제에노출시킴으로써상기금속-함유막이직접적으로 (즉, 포토레지스트사용없이) 패터닝된다. 예를들어서, 금속-함유막은광민감성이며패터닝은예를들어서 EUV 리소그래피와같은광학적리소그래피에의해서수행된다.
摘要翻译：用于形成金属硬掩模的真空一体化无光致抗蚀剂方法和设备可以提供小于30nm的图案分解性。对图案化剂敏感的含金属的膜（例如金属盐或有机金属化合物）被置于半导体衬底上。含金属膜直接（换句话说，不使用光致抗蚀剂）通过在真空条件下将含金属膜暴露于图案化剂以形成金属硬掩模而图案化。例如，含金属的膜是光敏的，并且通过诸如EUV光刻的光学光刻来进行图案化。

2. 发明公开

KR1020140079334A 산소-함유 세라믹 하드 마스크들 및 관련 습식-세정들 审中-实审
标题翻译：含氧的陶瓷硬掩模和相关的湿巾
公开(公告)号：KR1020140079334A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020130158829
申请日：2013-12-18
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 안토넬리조지앤드류 , 홀리스터앨리스 , 래디시리쉬
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/205
摘要： A method of forming an oxygen-containing ceramic hard mask layer on a semiconductor substrate includes the steps of: receiving the semiconductor substrate in a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process chamber; and forming the oxygen-containing ceramic hard mask layer on the substrate through the PECVD. The layer is formed by etching a low-k dielectric and copper with etching selectivity. The layer shows resistance against plasma dry-etching. The layer can be removed through a wet-etching process. The method may further include a step of removing the oxygen-containing ceramic hard mask layer from the substrate through the wet-etching process. In addition, corresponding layers and devices are provided.
摘要翻译：在半导体衬底上形成含氧陶瓷硬掩模层的方法包括以下步骤：在等离子体增强化学气相沉积（PECVD）处理室中接收半导体衬底; 并通过PECVD在衬底上形成含氧陶瓷硬掩模层。通过用蚀刻选择性蚀刻低k电介质和铜来形成该层。该层显示出对等离子体干蚀刻的抗性。可以通过湿蚀刻工艺去除层。该方法还可以包括通过湿法蚀刻工艺从衬底去除含氧陶瓷硬掩模层的步骤。另外，提供相应的层和装置。

3. 发明授权

KR102249529B1 금속 시드 층 상의 금속 산화물을 환원시키는 방법 및 장치 有权
公开(公告)号：KR102249529B1
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：KR1020140026592
申请日：2014-03-06
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 스퍼린타이에이. , 안토넬리조지앤드류 , 더비나나탈리아브이. , 덩컨제임스이. , 리드조나단디. , 포터데이비드 , 램버트달시이. , 싱하르두르가라크슈미 , 라우스티번 , 스토웰마셜
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/205
摘要： 금속산화물표면을개질된 (modified) 금속표면으로환원시키기위한방법및 장치가개시된다. 금속산화물표면을원격플라즈마에노출시킴으로써, 기판상의금속산화물표면이순수금속으로환원되고금속이리플로우될수 있다. 원격플라즈마장치가금속산화물표면을처리할뿐만아니라단일의단독형장치내에서기판을냉각, 로딩/언로딩및 이동시킬수 있다. 원격플라즈마장치는프로세싱챔버및 제어기를포함하며, 제어기는금속시드층을갖는기판을프로세싱챔버내에제공하며환원가스종들의원격플라즈마━상기원격플라즈마는환원가스종들로부터의라디칼, 이온및/또는자외방사선을포함함━를형성하고, 금속시드층의금속산화물이금속으로환원되고금속이리플로우되도록기판의금속시드층을상기원격플라즈마에노출시키도록구성된다.

4. 发明公开

KR1020160028359A 가수 분해 및 응결에 의한 저-k 옥사이드 증착 审中-实审
标题翻译：通过水解和冷凝的低K氧化物沉积
公开(公告)号：KR1020160028359A
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020150117153
申请日：2015-08-20
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 은디에게니콜라스무가 , 닛타라크리슈나 , 웡데릭비. , 안토넬리조지앤드류 , 드래거네리사수 , 반클림풋패트릭에이.
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/314 , H01L21/02
摘要： 할로겐이없는전구체들및 촉매들을사용하여기판상에유동성유전체막들을증착하기위한방법들이본 명세서에제공된다. 할로겐이없는전구체들및 촉매들은자기-촉매 (self-catalyzing) 아미노실란화합물들및 할로겐이없는유기산들을포함한다. 유동성막들은노출된금속화층들을갖는기판들상에서기존의유전체막들내의기공들을충진하도록사용될수도있다. 방법들은가수분해및 응결반응들을수반한다.
摘要翻译：提供了使用无卤前体和催化剂在基板上沉积可流动介电膜的方法。无卤前体和催化剂包括自催化氨基硅烷化合物和无卤素有机酸。可以使用可流动膜来填充具有暴露的金属化层的基板上的现有介电膜中的孔。该方法涉及水解和缩合反应。

5. 发明公开

KR1020140109834A 금속 시드 층 상의 금속 산화물을 환원시키는 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于减少金属种子层上的金属氧化物的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140109834A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020140026592
申请日：2014-03-06
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 스퍼린타이에이. , 안토넬리조지앤드류 , 더비나나탈리아브이. , 덩컨제임스이. , 리드조나단디. , 포터데이비드 , 램버트달시이. , 싱하르두르가라크슈미 , 라우스티번 , 스토웰마셜
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/76873 , C23C18/1619 , C23C18/1675 , C23C18/1851 , C23C18/1865 , C23C18/1868 , C25D5/34 , C25D5/40 , C25D5/42 , C25D17/001 , H01J37/32357 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/67115 , H01L21/68742 , H01L21/76861 , H01L21/76874
摘要： Disclosed is a method and apparatus for reducing a metal oxide surface to modified metal surface. Metal oxide surface on the substrate is reduced to a pure metal, and the metal may be processed by reflow by exposing the metal oxide to the remote plasma.A remote plasma device may process the metal oxide surface and may cool and load/unload the substrate in a single device. The remote plasma device includes a processing chamber and a controller. The controller provides a substrate having a metal seed layer to the inside of the processing chamber and forms remote plasma of reducing gas species. The remote plasma includes radicals, ions, and/or ultraviolet radiation from the reducing gas species. The controller exposes the metal seed layer of the substrate to the remote plasma so that the metal oxide of the metal seed layer is reduced to the metal and the metal is processed by reflow.
摘要翻译：公开了一种将金属氧化物表面还原成改性金属表面的方法和装置。基板上的金属氧化物表面被还原为纯金属，并且可以通过将金属氧化物暴露于远程等离子体来回流金属。远程等离子体装置可以处理金属氧化物表面并且可以冷却和加载/卸载基板在一个单一的设备。远程等离子体装置包括处理室和控制器。控制器提供具有金属种子层的衬底到处理室的内部并形成还原气体种类的远程等离子体。远程等离子体包括来自还原气体种类的自由基，离子和/或紫外线辐射。控制器将基板的金属种子层暴露于远程等离子体，使得金属种子层的金属氧化物被还原成金属，并通过回流处理金属。

6. 发明公开

KR1020210053843A 금속 시드 층 상의 금속 산화물을 환원시키는 방법 및 장치 审中-实审
公开(公告)号：KR1020210053843A
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：KR1020210056899
申请日：2021-04-30
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 스퍼린타이에이. , 안토넬리조지앤드류 , 더비나나탈리아브이. , 덩컨제임스이. , 리드조나단디. , 포터데이비드 , 램버트달시이. , 싱하르두르가라크슈미 , 라우스티번 , 스토웰마셜
IPC分类号： H01L21/67 , C23C18/16 , C23C18/18 , C25D17/00 , C25D5/34 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/768
摘要： 금속산화물표면을개질된 (modified) 금속표면으로환원시키기위한방법및 장치가개시된다. 금속산화물표면을원격플라즈마에노출시킴으로써, 기판상의금속산화물표면이순수금속으로환원되고금속이리플로우될수 있다. 원격플라즈마장치가금속산화물표면을처리할뿐만아니라단일의단독형장치내에서기판을냉각, 로딩/언로딩및 이동시킬수 있다. 원격플라즈마장치는프로세싱챔버및 제어기를포함하며, 제어기는금속시드층을갖는기판을프로세싱챔버내에제공하며환원가스종들의원격플라즈마━상기원격플라즈마는환원가스종들로부터의라디칼, 이온및/또는자외방사선을포함함━를형성하고, 금속시드층의금속산화물이금속으로환원되고금속이리플로우되도록기판의금속시드층을상기원격플라즈마에노출시키도록구성된다.

7. 发明公开

KR1020160059435A 저 유전 상수 재료들의 반응성 UV 열 프로세싱 审中-实审
标题翻译：低介电常数材料的反应性超导热处理
公开(公告)号：KR1020160059435A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：KR1020150160811
申请日：2015-11-17
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 램버트,다르시이. , 홀더케이시 , 안토넬리조지앤드류
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L21/762
CPC分类号： C23C16/56 , C23C16/401
摘要： 본명세서의다양한실시예들은반도체기판상에로우-k 유전체재료를준비하기위한방법들및 장치에관한것이다. 유전체재료는구조적매트릭스전체에걸쳐분포된포로겐들 (porogens) 을포함할수도있다. 유전체재료로부터포로겐들의제거를촉진시키기위해반응성 UV 열프로세싱동작이수행된다. UV 노출동안이산화탄소와같은약산화제를반응챔버내로흘림으로써, 포로겐들이제거되는레이트는제어가능한방식으로향상될수 있다.
摘要翻译：本文的各种实施例涉及用于在半导体衬底上制备低k电介质材料的方法和装置。介电材料可以包括分布在整个结构基质中的致孔剂。进行反应性紫外（UV）热处理操作以促进致孔剂从电介质材料中的去除。通过在UV曝光期间将弱氧化剂如二氧化碳流入反应室，可以以可控的方式增加致孔剂被除去的速率。

8. 发明公开

KR1020160019371A 저-Ｋ 유전체 막 형성 审中-实审
标题翻译：低K电介质膜形成
公开(公告)号：KR1020160019371A
公开(公告)日：2016-02-19
申请号：KR1020150109504
申请日：2015-08-03
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 리보도트로이다니엘 , 안토넬리조지앤드류
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02203 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32926 , H01L21/02126 , H01L21/0234 , H01L21/02348 , H01L21/67115
摘要： 다공성, 저-k 유전체막을제조하기위한방법들및 장치가기술된다. 일부구현예들에서, 방법들은매트릭스내에포로겐 (porogen) 을포함하는전구체막을약 산화제로부터생성된플라즈마에노출시키는단계를포함한다. 플라즈마는또한환원제종을포함할수도있다. 일부구현예들에서, 플라즈마는다운스트림플라즈마이다. 방법의구현예들은실리콘매트릭스의백본에결합된유기기들을보존하는동안실리콘유기매트릭스내에공존하는절연된, 유기포로겐의영역들을플라즈마로의노출에의해선택적으로제거하는단계를수반한다. 방법들은또한유전체막에대해저 대미지를발생시킨다. 일부구현예들에서, 플라즈마노출에이어자외선 (uv) 방사에대한노출이이어진다.
摘要翻译：描述了用于制造多孔低k电介质膜的方法和装置。在一些实施方案中，所述方法包括将包含基质内的致孔剂的前体膜暴露于由弱氧化剂产生的等离子体的步骤。等离子体还包括还原剂种类。在一些实施方案中，等离子体是下游等离子体。所述方法的实施涉及通过暴露于等离子体中选择性除去在硅 - 有机基质中共存的分离的有机致孔剂的区域的步骤，同时保留与硅基体的主链键合的有机基团。这些方法也导致对电介质膜的低损伤。在一些实施方案中，暴露于紫外（UV）辐射之后等离子体暴露。

9. 发明公开

KR1020160002394A 반도체 프로세싱을 위한 대기 플라즈마 장치 审中-实审
标题翻译：用于半导体加工的大气等离子体设备
公开(公告)号：KR1020160002394A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020150092101
申请日：2015-06-29
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 스퍼린타이에이. , 안토넬리조지앤드류 , 리드조나단디. , 포터데이비드
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC分类号： C25D5/34 , C23C18/1803 , C23C18/38 , C25D3/38 , C25D5/54 , C25D7/123 , H01J37/32348 , H01J37/32357 , H01J37/32596 , H01J37/32825 , H01L21/02068 , H01L21/67161 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76873
摘要： 대기압플라즈마를사용하여증착전에기판을처리하기위한방법및 장치가개시된다. 기판은기판지지부와플라즈마분배기사이에제공될수 있고, 플라즈마분배기는하나이상의대기플라즈마소스들을포함한다. 대기플라즈마소스들은대기압하에서플라즈마를생성할수 있고, 플라즈마는, 환원가스종과같은프로세스가스의라디컬들및 이온들을포함할수 있다. 기판은기판의표면을처리하기위해대기압하에서플라즈마에노출될수 있고, 대기압은약 50 torr 내지약 760 torr이다. 일부실시예들에서, 기판은금속의옥사이드로변환된부분들을갖는금속씨드층을포함하고, 플라즈마로의노출은금속의옥사이드를환원시키고금속씨드층내의금속을리플로우 (reflow) 한다.
摘要翻译：公开了一种在使用大气等离子体进行沉积之前处理基板的方法及其装置。衬底可以设置在衬底支撑部分和等离子体分配器之间，其中等离子体分配器包括一个或多个大气等离子体源。大气等离子体源可以在大气压下产生等离子体，其中等离子体可以包括工艺气体的自由基和离子，例如还原气体物质。基底可以在大气压下暴露于等离子体以处理基底的表面，其中大气压力可以在约50托和约760托之间。在一些实施例中，衬底包括金属种子层，其具有转变成金属氧化物的部分并且暴露于等离子体，从而减少金属的氧化物并使金属种子层中的金属回流。

10. 发明公开

KR1020160000863A 상호접속 캡핑 애플리케이션들을 위한 금속 상호접속부들 내의 탄소계 오염물질의 세정 审中-实审
标题翻译：用于互连接头应用的金属互连中碳基污染物的清洁
公开(公告)号：KR1020160000863A
公开(公告)日：2016-01-05
申请号：KR1020150088974
申请日：2015-06-23
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 안토넬리조지앤드류 , 나이즐리토마스조셉 , 수브라모니움프라모드
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/0227 , C23C16/16 , C23C16/52 , H01L21/02074 , H01L21/28556 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76883
摘要： 구리선들과유전체확산배리어층들사이의계면에상주하는보호캡들은상호접속부들의다양한성능특성들을개선하기위해사용된다. 코발트함유캡들또는망간함유캡들과같은, 캡들은 cvd 또는 ald 방법들을사용하여노출된유전체가존재할때 노출된구리선들상에선택적으로증착된다. 캡핑재료의증착은, 캡핑층의부족하거나고르지않은성장을유발할수도있는, 구리표면상의탄소함유오염물질들의존재에영향을받는다. 캡들을증착하기전에구리표면으로부터탄소함유오염물질들을제거하는방법은, 구리표면상에반응된실릴레이트제 (silylating agent) 층을형성하기위해제 1 온도에서실릴레이트제와노출된구리표면을포함하는기판을접촉시키는단계, 이어서구리표면으로부터반응된실릴레이트제를방출하기위해보다높은온도로기판을가열하는단계를수반한다.
摘要翻译：存在于铜线和电介质扩散阻挡层之间的界面上的保护帽用于改善互连部件的各种性能特征。当存在通过使用CVD或ALD方法暴露的电介质时，诸如包含含有钴的帽或含有锰的帽的帽被选择性地沉积在暴露的铜线上。覆盖材料的沉积受铜表面上含碳污染物的存在的影响，这可能导致不均匀生长或缺乏覆盖层。在沉积帽子之前从铜表面去除含碳污染物的方法包括以下步骤：在第一温度下将包含暴露的铜表面的基底与甲硅烷基化剂接触以形成与铜反应的甲硅烷基化剂层表面; 并在较高温度下加热基材以从铜表面排出反应的甲硅烷化剂。

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