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1. 发明公开

KR1020140083732A 아크제트 플라스마 발생기 有权
标题翻译： ARC-JET等离子发生器
公开(公告)号：KR1020140083732A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120153800
申请日：2012-12-26
申请人： 주식회사 다원시스
发明人： 박선순 , 이해룡 , 최용남 , 유재현 , 최한수
IPC分类号： H05H1/32 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32596
摘要： Disclosed is an arc-jet plasma generator which can increase the surface treatment area of arc-jet plasma. The arc-jet generator of the present invention comprises a hollow cathode and an anode which generate arc discharge by the application of power. The cathode is coupled to a nozzle head. The nozzle head has a working space communicated with a path of the cathode to introduce arc-jet plasma generated by the arc discharge and an outlet communicated with the working space. A rotary spraying nozzle is mounted in the working space to be rotated. The rotary spraying nozzle has an eccentric nozzle hole arranged in the outlet to spray the arc-jet plasma, and the central axis line of the path and the central axis line of the eccentric nozzle hole are arranged in parallel to each other to expand the area of the arc-jet plasma sprayed through the eccentric nozzle hole. According to the arc-jet plasma of the present invention, since the rotary spraying nozzle eccentrically rotates to spray the arc-jet plasma to a workpiece, the surface treatment area by the plasma can be increased. Further, since the rotary spraying nozzle has a simple structure rotated by the supply of compressed air, the rotary spraying nozzle can be simply and accurately controlled.
摘要翻译：公开了一种电弧喷射等离子体发生器，其可以增加电弧喷射等离子体的表面处理面积。本发明的电弧发生器包括通过施加电力产生电弧放电的中空阴极和阳极。阴极连接到喷嘴头。喷嘴头具有与阴极的路径连通的工作空间，以引入由电弧放电产生的电弧喷射等离子体和与工作空间连通的出口。旋转喷嘴安装在工作空间中以旋转。旋转喷嘴具有布置在出口中的偏心喷嘴孔，以喷射电弧喷射等离子体，并且偏心喷嘴孔的路径的中心轴线和中心轴线彼此平行地布置以扩大区域的电弧喷射等离子体通过偏心喷嘴孔喷射。根据本发明的电弧喷射等离子体，由于旋转喷雾喷嘴偏心旋转以将电弧喷射等离子体喷射到工件，所以能够提高等离子体的表面处理面积。此外，由于旋转喷嘴具有通过供给压缩空气而旋转的简单结构，所以可以简单且精确地控制旋转喷嘴。

2. 发明授权

KR101368505B1 효과적인 무손상 인-시투 애싱을 갖는 플라즈마 에처 설계 有权
标题翻译：等离子体蚀刻设计与有效的无损伤现场的ASH
公开(公告)号：KR101368505B1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120069748
申请日：2012-06-28
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 샤오잉 , 린친샹
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , G03F7/427 , H01J37/32596 , H01J37/32706 , H01J37/32807 , H01J37/32889 , H01J37/32899 , H01L21/31138
摘要： 일부 실시형태에 있어서, 본 개시는 처리 챔버와 연통하여 직류 및 국부 플라즈마원를 갖는 플라즈마 에칭 시스템에 관한 것이다. 직류 플라즈마는 반도체 작업물을 에칭하기 위해 처리 챔버에 직류 플라즈마를 제공하도록 작동된다. 직류 플라즈마는 고전위를 갖고, 작업물에 큰 바이어스 전압을 인가함으로써 형성된다. 에칭이 완료된 후에 바이어스 전압 및 직류 플라즈마원은 오프된다. 그 다음에, 국부 플라즈마원은 작업물로부터 공간적으로 분리된 처리 챔버 내에 위치에 저전위의 국부 플라즈마를 제공하도록 작동된다. 공간적 분리의 결과는 작업물과 접촉하는 영전위/저전위를 갖는 확산 플라즈마의 형성이다. 영전위/저전위의 확산 플라즈마는 양의 플라즈마 전위에 의해 발생된 이온 충격으로부터 초래되는 작업물 손상을 경감시키면서 반응성 애싱을 수행할 수 있도록 한다.
摘要翻译：在一些实施例中，本公开涉及具有与处理室连通的直接和局部等离子体源的等离子体蚀刻系统。操作直接等离子体以向处理室提供直接等离子体以蚀刻半导体工件。直接等离子体具有高电位，通过向工件施加大的偏置电压而形成。蚀刻完成后，偏置电压和直接等离子体源关闭。然后操作局部等离子体源以将低电位局部等离子体提供到处理室内与工件空间分离的位置。空间分离导致形成具有与工件接触的零/低电位的扩散等离子体。扩散等离子体的零/低电位允许执行反应性灰化，同时减轻由正等离子体电位引起的离子轰击造成的工件损伤。

3. 发明公开

KR1020110095566A 홀을 포함하는 전극 구조체 및 이를 이용한 공정 방법 및 공정 보정 방법 有权
标题翻译：具有孔的电极结构，使用它的过程方法和使用它的过程补偿方法
公开(公告)号：KR1020110095566A
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：KR1020100015105
申请日：2010-02-19
申请人： 한국과학기술원
发明人： 장홍영 , 이헌수
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/32596
摘要： PURPOSE: An electrode structure, a process method using the same, and a process correcting method are provided to supply hole density information for the optimum process by using a hallow cathode discharge with different density according to a position. CONSTITUTION: The shape of a hole is selected by using a preliminary electrode structure with different hole density according to a position(S100). The optimum process position is selected by using a measurement electrode structure with different hole diameters according to the position(S200). A process electrode structure is provided by transferring the diameter of the hole of the measurement electrode structure corresponding to the optimum process position(S300). A process non-uniformity is corrected according to the position by using a process electrode structure(S400).
摘要翻译：目的：提供电极结构，使用其的处理方法和处理校正方法，以根据位置通过使用具有不同密度的中性阴极放电来提供用于最佳工艺的空穴密度信息。构成：通过使用根据位置具有不同孔密度的预备电极结构来选择孔的形状（S100）。通过使用根据位置具有不同孔径的测量电极结构来选择最佳工艺位置（S200）。通过传送与最佳处理位置对应的测量电极结构的孔的直径来提供处理电极结构（S300）。通过使用处理电极结构根据位置校正工艺不均匀性（S400）。

4. 发明公开

KR1020110083049A 기판 처리 장치 有权
标题翻译：中空阴极和基底处理设备
公开(公告)号：KR1020110083049A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100003053
申请日：2010-01-13
申请人： 피에스케이 주식회사
发明人： 김용식
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32596 , H01J37/3244
摘要： PURPOSE: A hollow cathode and a substrate processing device with the same are provided to form gas inflow holes of hollow cathodes not to expose the hollow cathodes to plasma, thereby preventing arcing occurring in the gas inflow holes. CONSTITUTION: A hollow cathode(120) comprises a first plate(122) and a second plate(124). The first plate includes a plurality of hollow cathode holes(121). The second plate comprises a plurality of gas inflow holes(123) which is located among the hollow cathode holes. A gap(126) is placed between the first and second plates to connect the hollow cathode holes with the gas inflow holes. A power supply unit(160) supplies high frequency power to a hollow cathode and an anode(140).
摘要翻译：目的：提供一种中空阴极及其基板处理装置，以形成不使中空阴极暴露于等离子体的中空阴极的气体流入孔，从而防止气体流入孔中产生电弧。构成：空心阴极（120）包括第一板（122）和第二板（124）。第一板包括多个中空阴极孔（121）。第二板包括位于空心阴极孔之间的多个气体流入孔123。间隙（126）放置在第一和第二板之间，以将空心阴极孔与气体流入孔连接。电源单元（160）向空心阴极和阳极（140）提供高频功率。

5. 发明公开

KR1020110050393A 플라스마 증착 및 에칭에서 개선된 균일성을 위한 탈축 널 자기장 자리의 형성 无效
标题翻译：在等离子体沉积和蚀刻中改善非均匀性的非轴磁场的创建
公开(公告)号：KR1020110050393A
公开(公告)日：2011-05-13
申请号：KR1020100110375
申请日：2010-11-08
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 리서,칼 , 카림,이시타크 , 디샤브리에,알렉산더 , 우,리피 , 조우,춘밍
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3458 , H01J37/32596 , H01J37/3405 , H01J37/3452
摘要： PURPOSE: Forming of off-axis null magnetic field locus for ensuring improved uniformity in plasma deposition and etching is provided to enable a material layer to be deposited on a substrate using physical vapor deposition. CONSTITUTION: A device for depositing or etching a material layer on a substrate comprises a process chamber, a plurality of co-axial magnetic field sources and a substrate support. The process chamber is used for forming charged species. The magnetic filed sources are used for forming null magnetic field locus in an area comprising the charged species. The substrate support fixes the substrate during deposition or etching. The null magnetic field locus is radially offset from a central shaft, which is formed by the central part of the co-axial sources.
摘要翻译：目的：提供离轴零磁场轨迹的形成，以确保提高等离子体沉积和蚀刻的均匀性，以使材料层能够使用物理气相沉积沉积在基板上。构成：用于在衬底上沉积或蚀刻材料层的器件包括处理室，多个同轴磁场源和衬底支撑件。处理室用于形成带电物质。磁场源用于在包含带电物质的区域中形成零磁场轨迹。衬底支撑件在沉积或蚀刻期间固定衬底。零磁场轨迹与由同轴源的中心部分形成的中心轴径向偏移。

6. 发明授权

KR100978859B1 할로우 캐소드 플라즈마 발생장치 및 할로우 캐소드플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리장치 有权
标题翻译：用于产生空心阴极等离子体的设备和用于通过空心阴极等离子体处理大面积基板的设备
公开(公告)号：KR100978859B1
公开(公告)日：2010-08-31
申请号：KR1020080067664
申请日：2008-07-11
申请人： 피에스케이 주식회사
发明人： 조정희 , 박신근 , 주종량 , 양재균
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32009 , C23C16/452 , H01J37/3244 , H01J37/32596 , H01J37/32633
摘要： 본 발명에 따르면, 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 공간을 제공하고, 가스의 배기를 위한 배기구가 형성된 공정챔버; 상기 공정챔버 내부로 가스를 공급하는 가스공급부재; 상기 공정챔버의 내부에 위치하고 기판을 지지하는 기판지지부재; 상기 공정챔버의 내부에 위치하고 저면에 플라즈마가 생성되는 복수의 하부홈이 형성된 할로우 캐소드; 상기 할로우 캐소드의 하부에 위치하고 복수의 분사구가 형성된 배플(baffle); 및 상기 할로우 캐소드에 전력을 인가하는 전력공급원을 포함하는 할로우 캐소드 플라즈마 발생장치 및 할로우 캐소드 플라즈마를 이용한 대면적 기판 처리장치가 제공된다.
이와 같은 본 발명에 따르면, 하부홈이 형성된 할로우 캐소드에 의한 할로우 캐소드 효과 및 배플의 분사구에 의해 균일하면서 고밀도의 플라즈마 공정을 구현할 수 있는 효과가 있다.
플라즈마, 배플, 할로우 캐소드, 공정챔버

7. 发明公开

KR1020080105878A 대기압에서 상온 플라즈마를 발생시키는 장치 失效
标题翻译：在大气压力下产生室温等离子体的方法和装置
公开(公告)号：KR1020080105878A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070054013
申请日：2007-06-01
申请人： 홍용철
发明人： 성헌석 , 홍용철 , 이원주
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32825 , H01J37/32596
摘要： An atmospheric pressure room temperature plasma generating method and an apparatus are provided to generate the plasma jet using the discharge gas without the limit of gas use. In the atmospheric pressure, a method for generating the room temperature plasma includes the following steps: the step for preparing the three electrodes(10,20,30) to which the respective voltage is applied and has the respective hole; the step for injecting the discharge gas in order to successively pass through the hole of each electrode; the step for jetting the discharge gas through the hole of the third electrode in the form of the jet by generating the plasma.
摘要翻译：提供了一种大气压室温等离子体产生方法和装置，以便在没有气体限制的情况下使用放电气体产生等离子体射流。在大气压下，产生室温等离子体的方法包括以下步骤：制备施加了各个电压的三个电极（10,20,30）并具有相应孔的步骤; 用于注入放电气体以连续通过每个电极的孔的步骤; 通过产生等离子体以喷射形式喷射放电气体通过第三电极的孔喷射的步骤。

8. 发明公开

KR1020070083481A 자체 세척 타깃을 갖는 원통형 전자관 无效
标题翻译：具有自清洁目标的圆柱形磁铁
公开(公告)号：KR1020070083481A
公开(公告)日：2007-08-24
申请号：KR1020077003389
申请日：2005-08-09
申请人： 폰 아르데네 게엠베하
发明人： 리에트젤,제임스쥐. , 존슨,케빈 , 반타,로드니비
IPC分类号： H01J37/34 , H01J37/32 , H01J37/36
CPC分类号： H01J37/3405 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32596 , H01J37/32862 , H01J37/3435 , H01J2237/022
摘要： A cylindrical magnetron capable of running at high current and voltage levels with a target tube that is self cleaning not only in the center portion, but also at the ends. Sputtering the ends of the target tube virtually eliminates accumulation of condensate at the ends and any resultant arcing, resulting in a more reliable magnetron requiring less service and a magnetron that produces more consistent coatings. A low sputtering-rate collar is affixed to the target tube in the turnaround area.
摘要翻译：一种圆柱形磁控管，能够在高电流和电压水平下运行，目标管不仅在中心部分，而且在端部自清洁。溅射目标管的端部实际上消除了端部处的冷凝物的积聚和任何合成的电弧，导致更可靠的磁控管需要较少的使用，并且磁控管产生更一致的涂层。在周转区域中，靶材管上附着有低溅射率的套环。

9. 发明公开

KR1020160026770A 이온 빔 에칭을 위한 이온 주입기 전극 어셈블리 审中-实审
标题翻译：离子注射器和镜头系统用于离子束铣削
公开(公告)号：KR1020160026770A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：KR1020150121480
申请日：2015-08-28
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 베리3세이반엘. , 릴토르스텐
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/32623 , H01J37/32715 , H01L21/3065
摘要： 본명세서의실시예들은반도체기판상에서이온에칭을수행하기위한방법들및 장치, 뿐만아니라이러한장치를형성하기위한방법들에관한것이다. 일부실시예들에서, 전극어셈블리가제조될수도있고, 전극어셈블리는상이한목적들을가진복수의전극들을포함하고, 전극각각은기계적으로안정한방식으로다음전극에고정된다. 전극들이함께고정된후 전극각각의내부에어퍼처들이형성될수도있고, 이로써어퍼처들이이웃하는전극들사이에서잘 정렬된다는것을보장한다. 일부경우들에서, 전극들은축퇴 (縮退) 도핑된실리콘으로형성되고, 전극어셈블리는정전기결합을통해함께고정된다. 다른전극재료들및 고정방법들이또한사용될수도있다. 전극어셈블리는일부경우들에서절단된원뿔형어퍼처형상또는다른비실린더형어퍼처형상을가질수도있는, 중공캐소드이미터전극을포함할수도있다. 챔버라이너및/또는반사기가또한일부경우들에존재할수도있다.
摘要翻译：本文的实施例涉及用于在半导体衬底上执行离子蚀刻的方法和装置，以及用于形成这种装置的方法。在一些实施例中，可以制造电极组件，电极组件包括具有不同目的的多个电极，每个电极以机械稳定的方式固定到下一个电极。在电极固定在一起之后，可以在每个电极中形成孔，从而确保孔在相邻电极之间良好对准。在一些情况下，电极由退化掺杂的硅制成，并且电极组件通过静电结合固定在一起。也可以使用其它电极材料和固定方法。在一些情况下，电极组件可以包括中空的阴极发射极电极，其可以具有截头圆锥形或其它非圆柱形孔的形状。在某些情况下也可能存在腔室衬垫和/或反射器。

10. 发明授权

KR101600991B1 플라즈마와 반응성 가스를 이용한 유연 포장커버 형태의 제독 및 살균 장치 有权
标题翻译：使用等离子体和反应性气体的包装盖的灭菌和脱氧装置
公开(公告)号：KR101600991B1
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：KR1020150186193
申请日：2015-12-24
申请人： 국방과학연구소
发明人： 박명규 , 정희수
IPC分类号： A61L2/14 , A61L2/20
CPC分类号： A62D3/19 , A61L2/14 , A61L2/208 , A61L2202/11 , A61L2202/122 , A61L2202/123 , A62D2101/02 , B01J19/088 , B01J2219/0809 , B01J2219/0826 , B01J2219/083 , B01J2219/0841 , B01J2219/0879 , B01J2219/0894 , H01J37/32348 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01J37/32596
摘要： 본발명은독성또는유해성물질이제거하기위해제독대상의오염표면을밀폐형유연포장커버로덮고반응성가스를주입하여포장커버내부에서오염물질을효율적으로제거하기위한장치구조에관한것으로서, 보다상세하게는플라즈마발생장치를포장커버에고정시켜플라즈마발생장치로부터생성된활성라디칼이포함된플라즈마가스는포장커버내부로주입시과산화수소(HO), 물(HO) 또는알콜(CHOH)과같은하이드록시기(hydroxyl group)가포함물질등의반응성가스와혼합시켜반응성라디칼의생성을증가시키고, 포장커버로플라즈마와반응성가스가밀집되도록하면서, 오염물질의접촉이증가되어보다효율적인제독환경을조성할수 있는제독및 살균장치에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及消毒和解毒装置的装置结构，其用密封且柔性的包装盖覆盖解毒靶的污染表面，并在其中注入反应性气体，以有效地去除有毒和有害物质。更具体地，固定到包装盖上的等离子体产生装置产生包括活性自由基的等离子体气体，并将气体注入到包装盖中。等离子体气体与包含H_2O_2，H_2O或CnH_2n + 1OH的反应性气体混合，H_2O_2，H_2O或CnH_2n + 1OH是具有羟基的组分，以增加反应生成物的产生，同时将等离子体和反应性气体收集到填料盖以增加与污染物的接触，从而实现更有效的解毒环境。

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