基本信息:
- 专利标题： 금속 시드 층 상의 금속 산화물을 환원시키는 방법 및 장치
- 专利标题（英）：Method and apparatus for reducing metal oxides on a metal seed layer
- 专利标题（中）：用于减少金属种子层上的金属氧化物的方法和装置
- 申请号：KR1020140026592 申请日：2014-03-06
- 公开(公告)号：KR1020140109834A 公开(公告)日：2014-09-16
- 发明人： 스퍼린타이에이. , 안토넬리조지앤드류 , 더비나나탈리아브이. , 덩컨제임스이. , 리드조나단디. , 포터데이비드 , 램버트달시이. , 싱하르두르가라크슈미 , 라우스티번 , 스토웰마셜
- 申请人： 램 리써치 코포레이션
- 申请人地址： 미국 ***** 캘리포니아주 프레몬트 쿠싱 파크웨이 ****
- 专利权人： 램 리써치 코포레이션
- 当前专利权人： 램 리써치 코포레이션
- 当前专利权人地址： 미국 ***** 캘리포니아주 프레몬트 쿠싱 파크웨이 ****
- 代理人： 특허법인인벤투스
- 优先权： US13/787,499 2013-03-06; US14/020,339 2013-09-06; US14/086,770 2013-11-21
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/205
摘要：
Disclosed is a method and apparatus for reducing a metal oxide surface to modified metal surface. Metal oxide surface on the substrate is reduced to a pure metal, and the metal may be processed by reflow by exposing the metal oxide to the remote plasma.A remote plasma device may process the metal oxide surface and may cool and load/unload the substrate in a single device. The remote plasma device includes a processing chamber and a controller. The controller provides a substrate having a metal seed layer to the inside of the processing chamber and forms remote plasma of reducing gas species. The remote plasma includes radicals, ions, and/or ultraviolet radiation from the reducing gas species. The controller exposes the metal seed layer of the substrate to the remote plasma so that the metal oxide of the metal seed layer is reduced to the metal and the metal is processed by reflow.
摘要（中）：
公开了一种将金属氧化物表面还原成改性金属表面的方法和装置。 基板上的金属氧化物表面被还原为纯金属，并且可以通过将金属氧化物暴露于远程等离子体来回流金属。远程等离子体装置可以处理金属氧化物表面并且可以冷却和加载/卸载基板 在一个单一的设备。 远程等离子体装置包括处理室和控制器。 控制器提供具有金属种子层的衬底到处理室的内部并形成还原气体种类的远程等离子体。 远程等离子体包括来自还原气体种类的自由基，离子和/或紫外线辐射。 控制器将基板的金属种子层暴露于远程等离子体，使得金属种子层的金属氧化物被还原成金属，并通过回流处理金属。
公开/授权文献:
- KR102249529B1 금속 시드 층 상의 금속 산화물을 환원시키는 방법 및 장치 公开/授权日：2021-05-07
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |