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1. 发明公开

KR1020170126101A 중합 화학 증착을 이용한 평탄화 층의 증착 방법 审中-实审
标题翻译：聚合物化学气相沉积法制备平坦化层的方法
公开(公告)号：KR1020170126101A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：KR1020170057278
申请日：2017-05-08
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 파구엣재퀴스 , 알테무스브루스에이. , 이치키가즈야
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/48 , C23C16/46 , C23C16/448 , C23C16/50 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02271 , B05D1/60 , B05D3/066 , B05D3/067 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/02118 , H01L21/02205 , H01L21/02321
摘要： 순차적중합화학증착을이용하여기판상의피쳐에걸쳐평탄화층을증착시키는방법을제공한다. 일구체예에따르면, 상기방법은복수의피쳐사이에갭을갖는복수의피쳐를함유하는기판을제공하는단계, 전구체분자를기상노출에의해기판에전달하는단계, 기판상에전구체분자를흡착시켜흡착된전구체분자의층으로갭을적어도실질적으로충전하는단계, 및전구체분자를반응시켜갭을적어도실질적으로충전하는중합체층을형성하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了使用顺序聚合物化学气相沉积在衬底上的特征结构上沉积平坦化层的方法。根据一个实施例，该方法包括使以下步骤的步骤：提供含有多个具有所述多个特征之间的间隙中的特征的衬底，所述前体分子与所述基板由所述蒸气曝光，在基板上吸附的前体分子至少基本上填充吸收的前体分子的层，和前体分子的间隙和形成聚合物层，以至少基本上填充所述间隙的步骤进行反应。

2. 发明公开

KR1020150087311A 전자 부품의 표면 영역에서 층을 제조하기 위한 방법 审中-实审
标题翻译：在电子元件的表面区域上生成层的方法
公开(公告)号：KR1020150087311A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020157015968
申请日：2013-11-18
申请人： 오스람 오엘이디 게엠베하
发明人： 바이슬,리하르트 , 포프,미하엘
IPC分类号： H01L51/56 , H01L51/00 , C23C16/04 , C23C16/455 , H01L21/314
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/042 , C23C16/45536 , C23C16/48 , H01L31/0203 , H01L31/0445 , H01L51/0021 , H01L51/56 , H01L2933/0025 , Y02E10/50
摘要： 본발명은, 광전자부품의작동중에광을발생하거나검출하기에적합한활성영역을갖는기능적인층 시퀀스(41)를구비하는, 광전자부품(100, 101, 102, 103, 104, 105)의표면영역(2)에서하나이상의층(1)을제조하기위한방법에관한것으로서, 이방법은코팅챔버(10) 내에서표면영역(2)을형성하는단계, 및섬광지원되는원자층증착방법에의해서하나이상의층(1)을제공하는단계로서, 상기표면영역(2)을가스형태의하나이상의제1 초기재료(21)에노출시키거나, 또는가스형태의하나이상의제1 초기재료(21)에노출시킨다음에하나이상의층(1)을위한하나의가스형태의제2 초기재료(22)에노출시키며, 표면영역에서흡수된상기제1 및/또는제2 초기재료(21, 22)의분자들을하나이상의섬광으로조사함으로써, 상기표면영역에서흡수된분자들이분열되는단계를포함한다.

3. 发明授权

KR101485239B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR101485239B1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：KR1020130021111
申请日：2013-02-27
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 네고로세이 , 무라모토료 , 하야시도요히데 , 하시모토고지 , 나가이야스히코
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67023 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/481 , C23C16/482 , H01L21/0206 , H01L21/02282 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/6708
摘要： 기판 처리 장치는, 기판의 주면에 약액을 이용한 처리를 실시하기 위해서 이용된다. 이 기판 처리 장치는, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 약액을 공급하는 약액 노즐을 가지는 약액 공급 유닛과, 적외선 램프를 가지고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면에 대향하여 배치되고, 상기 적외선 램프로부터의 적외선의 방사에 의해, 기판의 주면에 공급된 약액을 가열하는, 기판보다도 소경의 히터와, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 주면을 따라서 상기 히터를 이동시키는 히터 이동 유닛을 포함한다.

4. 发明公开

KR1020130132864A 금속 구조물의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：生产金属结构的方法
公开(公告)号：KR1020130132864A
公开(公告)日：2013-12-05
申请号：KR1020137015808
申请日：2011-11-23
申请人： 라이브니츠-인스티투트 퓌어 노이에 마테리알리엔 게마인누찌게 게엠베하
发明人： 드올리베이라피터윌리암 , 모,카스텐 , 아르츠트에두아르트
IPC分类号： C23C18/14
CPC分类号： C23C16/48 , C23C18/14 , Y10T428/31678
摘要： 본 발명은 금속 구조물의 제조 방법에 관한 것이며, 여기에서 광촉매 물질을 포함하는 개시제 조성물을 기재에 적용시킨다. 나노더스트 (nanodusts)의 광촉매 활성에 의하여 금속으로 환원시킬 수 있는 전구체 조성물을 상기 층에 적용시킨다. 이어서 구조물 형판을 적용시켜 전구체 조성물을 부분적으로 치환하고, 이어서 기재를 밝게 비춰준다. 이로써 구조화된 금속 구조물이 수득된다.

5. 发明公开

KR1020130099871A 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：KR1020130099871A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020130021111
申请日：2013-02-27
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 네고로세이 , 무라모토료 , 하야시도요히데 , 하시모토고지 , 나가이야스히코
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/67023 , C23C16/46 , C23C16/48 , C23C16/481 , C23C16/482 , H01L21/0206 , H01L21/02282 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/6708
摘要： PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to smoothly process the main surface of a substrate with a chemical liquid by maintaining the high temperature of the chemical liquid on the main surface of the substrate. CONSTITUTION: A substrate maintaining unit (3) maintains and rotates a substrate in a processing chamber (2). The processing chamber is partitioned by a compartment. A chemical liquid supply unit supplies a chemical liquid to the main surface of the substrate maintained by the substrate maintaining unit. A heater (35) faces the main surface of the substrate maintained by the substrate maintaining unit. The heater heats the chemical liquid supplied to the main surface of the substrate. A heater moving unit moves the heater along the main surface of the substrate maintained by the substrate maintaining unit. [Reference numerals] (12) First arm jolting unit; (29) Second arm jolting unit; (36) Jolting control device; (37) Lifting control device; (AA,BB) Discharge air
摘要翻译：目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过将基板的主面上的化学液体的高温维持在平滑地处理基板的主表面。构成：基板保持单元（3）在处理室（2）中维持和旋转基板。处理室由隔间隔开。化学液体供给单元向由基板保持单元维持的基板的主表面供给化学液。加热器（35）面向由基板保持单元维持的基板的主表面。加热器加热供应到基板主表面的化学液体。加热器移动单元沿着由基板保持单元维持的基板的主表面移动加热器。（附图标记）（12）第一臂摇动单元; （29）第二臂摇动单元; （36）搅拌控制装置; （37）起重控制装置; （AA，BB）排出空气

6. 发明公开

KR1020030089425A 막형성재료, 막형성방법 및 소자 有权
标题翻译：成膜材料，成膜方法和装置
公开(公告)号：KR1020030089425A
公开(公告)日：2003-11-21
申请号：KR1020030022556
申请日：2003-04-10
申请人： 가부시키가이샤 트리케미컬 겐큐쇼
发明人： 마치다히데아키 , 오시타요시오 , 이시카와마사토 , 가다다케시
IPC分类号： C07F19/00
CPC分类号： C23C16/42 , C07F15/04 , C07F15/06 , C23C16/48
摘要： 차세대 트랜지스터에도 충분히 사용할 수 있는 실리사이드막을 CVD로 제작할 수 있는 기술을 제공한다.
Co 및 Ni로 이루어지는 군 중에서 선택되는 1개 또는 2개의 금속원소 및 Si로 구성되어 이루어지는 실리사이드막을 형성하기 위한 막형성재료에 있어서,
상기 금속원소의 원료로서 하기 일반식[Ⅰ] 및 일반식[Ⅱ]로 이루어지는 군 중에서 선택되는 1개 또는 2개 이상의 화합물이 사용된다.
일반식[Ⅰ]

(단 M은 Co 또는 Ni, n은 2 또는 3, R
1 , R
2 , R
3 는 H 또는 알킬기이다)
일반식[Ⅱ]

(단 M은 Co 또는 Ni, R
1 , R
2 , R
3 , R
4 , R
5 는 H 또는 알킬기이다)

7. 发明授权

KR100262720B1 반도체장치와그제조방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法。
公开(公告)号：KR100262720B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019940030407
申请日：1994-11-18
申请人： 가부시끼가이샤 메가 칩스 , 가부시끼가이샤크리스타루디바이스
发明人： 신도마사히로 , 고사카다이스케 , 히카와데쯔오 , 다카타아끼라 , 우카이유키히로 , 사와다다카시 , 아사카와도시후미
IPC分类号： H01L21/30
CPC分类号： H01J37/32678 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81C1/0038 , B81C2201/0109 , C23C16/48 , C23C16/486 , C23C16/511 , C23C16/56 , G01L9/0042 , G01P15/0802 , G02F2001/136281 , H01H59/0009 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L31/03762 , H01L31/0693 , H01L31/0725 , H01L31/073 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , H01L31/186 , H02N1/002 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 단결정으로 만들어진 부분을 포함하고 복잡한 구조를 가지는 마이크로머신을 쉽고 정확하게 만들기 위하여(100)면을 가지고 있는 단결정 실리콘 기판(1102)의 최상 층(1104)이 복수의 규정된 방향들로부터 네온 원자전류들로 조사되고, 따라서 최상 층(1104)의 결정배향가(111)면이 윗쪽으로 향하는 그러한 배향로 바뀐다.
마스킹 부분(106)이 바닥 표면으로부터 기판을 비방적으로 에칭하기 위하여 보호 부분으로 작용하고, 그것에 의하여 V- 홈(1112)을 형성한다.
이때, 최상 층(1104)는 에칭 스탑층으로 작용한다.
따라서 그것은 균일한 두께를 가지는 단결정 격막을 가지는 마이크로머신을 쉽게 제조하는 것이 가능하다.
도면과 같이 단결정 물질로 만들어진 복잡한 부분을 가지는 마이크로머신은 접함없이 쉽게 제조될 수 있다.

8. 发明公开

KR1020160134505A 피복 물품의 제조 방법, 도료 및 적층체 审中-实审
标题翻译：生产涂层物品和层状产品的方法
公开(公告)号：KR1020160134505A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020160056863
申请日：2016-05-10
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 마스다,고헤이 , 츠치다,가즈히로 , 아오키,유키마사
IPC分类号： B32B37/24 , C09D4/00 , C09D7/12 , B32B27/08 , C08J7/06 , C08J7/12
CPC分类号： C09D133/04 , C08F220/14 , C08F275/00 , C08F290/148 , C08J7/08 , C08J7/123 , C08J2369/00 , C08J2433/00 , C08J2483/04 , C08J2483/07 , C09D4/06 , C23C16/48 , C08F220/36 , C08F2220/325 , C08F2230/085 , C08F222/1006 , C08F230/08 , B32B37/24 , B32B27/08 , B32B2037/243 , C08J7/06 , C09D4/00 , C09D7/40
摘要： 본발명은, 활성에너지선경화성도료를유기수지기재에도포하여미경화막부착물품을얻는공정 (A), 상기미경화막부착물품에활성에너지선을조사해서피복물품을얻는공정 (B)를포함하는피복물품의제조방법에있어서, 활성에너지선경화성도료가화학식 (I)로표시되는실록산아크릴레이트를함유하는피복물품의제조방법을제공한다.(식 (I) 중에있어서, R, R, R및 R는수소원자또는메틸기, Y, Y, Y및 Y는알킬렌기, n은 1 이상 10 이하의정수) 본발명에따르면, 도료를필요이상으로희석하지않고, 게다가레벨링제를필요이상으로첨가하지않고, 레벨링성을개량할수 있다.
摘要翻译：制造涂布制品的方法包括以下步骤：（A）将含有特定硅氧烷丙烯酸酯的可辐射固化涂料施加到有机树脂基材上以获得未固化的膜覆盖制品，（B）照射未固化膜用辐射固化的薄膜制品。可以提高涂层的流平能力，而不需要稀释涂层，而不需要增加比所需要的更多的流平剂。

9. 发明公开

KR1020150127092A 금속 또는 산화물 코팅을 가진 재사용가능한 중합체 주형을 사용한 나노 임프린팅 审中-实审
标题翻译：使用金属或氧化物涂层的可重复聚合物模板的纳米
公开(公告)号：KR1020150127092A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：KR1020157024872
申请日：2014-03-17
申请人： 캐논 나노테크놀로지즈 인코퍼레이티드 , 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
发明人： 안세현 , 최병진 , 수프랭크와이.
IPC分类号： G03F7/00 , B29C59/04 , C23C16/27
CPC分类号： C23C16/513 , B29C59/043 , B29C59/046 , B29C59/14 , B29C2059/145 , B41C1/10 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C16/402 , C23C16/48 , G03F7/0002
摘要： 패턴형성표면이얇은금속또는산화물코팅된중합체-기재임프린트리소그래피주형을제작하기위한방법및 시스템이제공된다. 이러한주형은증진된유체스프레딩및 충전(퍼징가스의부재하에서도), 우수한릴리즈특성, 및사용수명을나타낸다. 산화물코팅된버전을제작하기위한방법및 시스템은특히대기압조건에서수행될수 있으며, 이것은낮은가공비용과증진된처리량을허용한다.

10. 发明公开

KR1020150031613A 스캔형 반응기를 가지는 원자층 증착 장치 및 방법 有权
标题翻译：原子层沉积装置与扫描型反应器及其方法
公开(公告)号：KR1020150031613A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111026
申请日：2013-09-16
申请人： 코닉이앤씨 주식회사
发明人： 이춘수 , 정홍기
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/452
CPC分类号： C23C16/45548 , C23C16/4412 , C23C16/45517 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/45551 , C23C16/45574 , C23C16/48 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J37/32899 , H01J2237/332 , C23C16/448 , C23C16/452
摘要： 본 발명에서는 원자층 증착에 있어서, 상부 및 하부의 분리 및 결합이 가능한 원자층 증착 공정을 위한 단위 공정챔버를 적층형태로 다수개 배치하며, 각 단위 공정챔버별로 원료전구체가 흡착된 기판위를 이동하면서 반응전구체를 원료전구체와 반응시키는 스캔형 반응기를 구비하여 원료전구체와 반응전구체의 공존영역을 원천적으로 배제함으로써, 기판외 성막방지에 따른 추가적인 성막 제거공정 불필요, 메인터넌스 주기연장, 파티클 발생억제를 통한 박막품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다. 또한, 스캔형 반응기에 열처리, 자외선 처리, 플라즈마 처리 등의 부가적인 기능을 선택적으로 추가하여 다양한 특성의 원자층 박막의 형성이 가능하게 함으로써 다양한 공정 대응이 가능하여, 필요에 따른 최적화된 박막의 제공이 가능하고, 부가적인 설비 감소로 부대 비용 및 유지보수 비용의 절감이 가능하도록 한다.
摘要翻译：本发明涉及自动层沉积，其将多个单元处理室布置在彼此之上，用于能够拆卸和组装上部和下部的自动层沉积工艺。通过基本上排除源前体和反应物前体的共存区域，具有扫描型反应器，其允许反应物前体与源前体反应，同时源前体通过每个单位处理室在吸收的基底上移动，本发明可以根据防止膜沉积离开基板，循环延伸和颗粒的产生限制，通过不需要的额外的膜沉积去除工艺来提高薄膜的质量和生产率。此外，本发明能够通过选择性地添加诸如热处理，紫外线处理和等离子体处理的附加功能来形成具有各种性质的自动层薄膜，从而对应于各种工艺，提供优化的薄膜作为需要，并且由于减少额外的安装而降低了附带的成本和维护成本。

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