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1. 发明公开

KR1020130011600A 문턱 스위칭 동작을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：具有阈值切换操作的电阻RAM及其制作方法
公开(公告)号：KR1020130011600A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072869
申请日：2011-07-22
申请人： 광주과학기술원 , 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 황현상 , 리우 , 손명우
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/55 , G11C2213/76 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H01L45/04
摘要： PURPOSE: A resistance change memory and a manufacturing method thereof are provided to form two different layers by a single forming process for moving oxygen ions. CONSTITUTION: A threshold switching layer is formed on a bottom electrode(200). A witching operation is performed by applying voltage. A resistance alteration layer(225) is formed on the threshold switching layer to perform the resistance alteration. An upper electrode(230) is formed on the resistance alteration layer. The threshold switching layer is made of transition metal oxide. The resistance alteration layer is made of metal oxide.
摘要翻译：目的：提供电阻变化记忆及其制造方法，通过用于移动氧离子的单一成形方法形成两个不同的层。构成：在底部电极（200）上形成阈值开关层。通过施加电压进行巫术操作。在阈值切换层上形成电阻变化层（225），进行电阻改变。上电极（230）形成在电阻变化层上。阈值切换层由过渡金属氧化物制成。电阻改变层由金属氧化物制成。

2. 发明授权

KR101257365B1 문턱 스위칭 동작을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：具有阈值切换操作的电阻RAM及其制造方法
公开(公告)号：KR101257365B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110072869
申请日：2011-07-22
申请人： 광주과학기술원 , 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 황현상 , 리우 , 손명우
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , G11C2213/55 , G11C2213/76 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1633
摘要： 스위칭 소자인 문턱 스위칭층을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법이 개시된다. 저항 변화 메모리는 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭과 상부 전극의 산화에 의해 형성된 저항 변화층을 가진다. 양 전극 사이에 형성된 비화학양론적인 상변화층의 개질을 통해 문턱 스위칭층이 형성되고, 상변화층의 개질은 산소 이온의 이탈에 이해 발생된다. 따라서, 상변화층의 개질에 의해 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭층이 형성되며, 산소 이온의 이동에 의해 상부 전극에는 산화 반응이 발생되며, 산화 반응에 의해 상부 전극의 표면 상에는 저항 변화층이 형성된다.

3. 发明公开

KR1020130012813A 스위칭 장치 및 이를 이용하는 가변 저항 메모리 장치 有权
标题翻译：切换装置和电阻可变存储器装置使用它
公开(公告)号：KR1020130012813A
公开(公告)日：2013-02-05
申请号：KR1020110074216
申请日：2011-07-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 이재연 , 정성웅 , 황윤택 , 황현상 , 박주봉
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/145 , G11C13/0004
摘要： PURPOSE: A switching device and a variable resistance memory device using the same are provided to form a bipolar current path. CONSTITUTION: A switching device includes a first electrode, a second electrode and an amorphous carbon layer. The amorphous carbon layer(120) is formed on the first electrode. The second electrode(130) is formed on the amorphous carbon layer. The amorphous carbon layer is formed between the first and the second electrode. The first and the second electrode are made of conductive metal such as Pt, W, Al, Cu and Ta.
摘要翻译：目的：提供使用其的开关装置和可变电阻存储装置以形成双极电流路径。构成：切换装置包括第一电极，第二电极和无定形碳层。无定形碳层（120）形成在第一电极上。第二电极（130）形成在无定形碳层上。无定形碳层形成在第一和第二电极之间。第一和第二电极由导电金属如Pt，W，Al，Cu和Ta制成。

4. 发明公开

KR1020000021246A 중수 또는 중수소를 이용한 반도체 소자용 절연막의 형성방법 无效
标题翻译：用氧化锡或去离子体形成半导体器件绝缘膜的方法
公开(公告)号：KR1020000021246A
公开(公告)日：2000-04-25
申请号：KR1019980040260
申请日：1998-09-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 황현상
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3145
摘要： PURPOSE: A method for forming an insulting film for a semiconductor device is to improve a reliability characteristic of the device by adding a sufficient amount of deuterium to Si/SiO2 interface. CONSTITUTION: A method for forming an insulting film for a semiconductor device using adeuterium oxide or a deuterium comprises the steps of: getting a silicon wafer into a furnace and heating it; and oxidizing the heated silicon wafer under an oxidizing gas and the deuterium oxide or the deuterium atmosphere and forming an insulating film. A first step of oxidation is executed using one selected from the group consisting of O2, N2O, and NO as an oxide growing gas, and then a second step of oxidation is executed under the deuterium oxide atmosphere. A flow ratio of the deuterium oxide to the oxide growing gas is a ratio of 3 to 10 SLM(standard liter per minute). A mixing ratio of the deuterium oxide to the oxidizing gas is 1: 0.1 to 1: 10 in using together the deuterium oxide and the oxidizing gas.
摘要翻译：目的：形成用于半导体器件的绝缘膜的方法是通过向Si / SiO 2界面添加足够量的氘来提高器件的可靠性。构成：用于形成用于使用氧化氘或氘的半导体器件的绝缘膜的方法包括以下步骤：将硅晶片放入炉中并加热; 并在氧化气体和氘氧化物或氘气氛下氧化加热的硅晶片并形成绝缘膜。使用从由O 2，N 2 O和NO组成的组中选择的一种作为氧化物生长气体进行第一氧化步骤，然后在氘氧化物气氛下进行第二氧化步骤。氘氧化物与氧化物生成气体的流量比为3〜10SLM（标准升/分钟）。在使用氘氧化物和氧化气体的情况下，氧化氘与氧化气体的混合比为1：0.1〜1：10。

5. 发明授权

KR101361690B1 스위칭 장치 및 이를 이용하는 가변 저항 메모리 장치 有权
标题翻译：切换装置和电阻可变存储器装置使用它
公开(公告)号：KR101361690B1
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：KR1020110074216
申请日：2011-07-26
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 이재연 , 정성웅 , 황윤택 , 황현상 , 박주봉
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/04 , H01L27/2463 , H01L45/145
摘要： 스위칭 장치 및 이를 이용하는 가변 저항 메모리 장치가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스위칭 장치는, 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 개재되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압에 따라 양방향(bipolar) 전류가 흐르는 비정질 탄소층을 포함한다.

6. 发明授权

KR101929940B1 하이브리드형 저항성 메모리 소자, 그 작동 방법 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101929940B1
公开(公告)日：2018-12-17
申请号：KR1020120049269
申请日：2012-05-09
申请人： 삼성전자주식회사 , 광주과학기술원
发明人： 김영배 , 황현상 , 김창정
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 하이브리드형 저항성 메모리 소자, 작동 방법 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 하이브리드형 저항성 메모리 소자는 적어도 2개 이상의 저항성 메모리부를 포함하며, 상기 저항성 메모리부 중 적어도 하나는 장기 가소성 특성을 지니도록 형성함으로써 단기 가소성 특성 및 장기 가소성 특성을 모두 구현할 수 있다.

7. 发明授权

KR101547606B1 히터를 포함하는 저항 변화 메모리 소자, 이의 동작방법, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자제품 有权
标题翻译：电阻变化记忆装置，包括用于操作装置的装置方法的加热方法和包括该装置的电子产品
公开(公告)号：KR101547606B1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：KR1020090106823
申请日：2009-11-06
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 히터를포함하는저항변화메모리소자, 이의동작방법, 이의제조방법및 이를포함하는전자제품을제공한다. 상기저항변화메모리소자는기판상에일 방향으로배치된제1 방향데이터선을구비한다. 상기제1 방향데이터선상에상기제1 방향데이터선에교차하는제2 방향데이터선이배치된다. 상기한 쌍의제1 방향데이터선과제2 방향데이터선사이에히터가위치한다. 상기제1 방향데이터선의측벽과상기제2 방향데이터선의측벽을노출시키는콘택홀내에도전성필라가위치한다. 상기콘택홀내에상기도전성필라를둘러싸는저항변화물질막이위치한다.

8. 发明授权

KR101340570B1 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：非易失性电阻式开关存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101340570B1
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020110140992
申请日：2011-12-23
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상 , 이대석
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자는 제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 포함하는 제1 저항 변화 메모리 및 상기 제1 저항 변화 메모리 상에 형성되며, 제2 하부 전극, 제2 저항 변화층 및 제2 상부 전극을 포함하는 제2 저항 변화 메모리를 포함하되, 상기 제1 저항 변화층과 상기 제2 저항 변화층은 서로 다른 물질을 적어도 하나 포함하는 이종의 저항 변화 메모리의 접합으로 형성됨으로써 보다 확장된 동작 전압 윈도우를 확보할 수 있을 뿐만 아니라, 빠른 스위칭 속도, 우수한 안정성을 나타낼 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자의 제조방법은, 제1 하부 전극, 제1 저항 변화층 및 제1 상부 전극을 순차 적층하여 제1 저항 변화 메모리를 형성하는 단계 및 상기 제1 저항 변화 메모리 상에 제2 하부 전극, 제2 저항 변화층 및 제2 상부 전극을 순차 적층하여 제2 저항 변화 메모리를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1 저항 변화층과 상기 제2 저항 변화층은 서로 다른 물질을 적어도 하나 포함하도록 제조함으로써 동작 전압 윈도우를 조절할 수 있으며, 크로스-포인트 어레이 구조의 구현시 워드라인의 갯수를 현저히 증가시킬 수 있어 소자의 고집적에 유리하다.

9. 发明授权

KR101195946B1 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리 有权
标题翻译：使用低温高压退火和电阻式切换存储器制造电阻式开关存储器的方法
公开(公告)号：KR101195946B1
公开(公告)日：2012-10-30
申请号：KR1020100084229
申请日：2010-08-30
申请人： 광주과학기술원
发明人： 이우태 , 황현상
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要： 본 발명은 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판형성단계; 상기 기판상에 메탈을 증착시켜 하부전극을 형성시키는 하부전극형성단계; 상기 하부전극의 상부에 페로브스카이트 구조의 산화물을 증착시켜 산화물층을 형성시키는 산화물층 형성단계; 상기 산화물층을 1메가파스칼(MPa) 내지 50기가파스칼(GPa)의 압력 및 200℃ 내지 500℃의 온도하에서 30분 내지 24시간동안 열처리하여 결정화시키는 결정화단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 상기 기판형성단계는, 실리콘(Si) 기판상에 이산화규소(SiO
2 )를 증착시켜 이산화규소층을 형성하는 이산화규소층 형성단계; 상기 이산화규소층 상부에 티타늄(Ti)을 증착시키는 티타늄층 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, Pt/PCMO 등을 순서대로 증착시킨 후에, PCMO 등을 저온고압의 조건에서 열처리하여, 결정화시킴으로써, 종래에 고온열처리함으로써 생기는 CMOS 호환성문제를 해결하면서도, 저온에서 결정화를 달성하여 저항스위칭특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.

10. 发明授权

KR101088487B1 선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 소자 어레이 제조방법 有权
标题翻译：包括选择装置和三维电阻变化存储装置，电子产品和用于制造装置阵列的方法的电阻变化存储装置阵列
公开(公告)号：KR101088487B1
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：KR1020090035445
申请日：2009-04-23
申请人： 광주과학기술원
发明人： 황현상
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要： 선택소자 및 3차원 구조 저항 변화 메모리 소자를 갖는 저항 변화 메모리 소자 어레이, 전자제품 및 상기 소자 제조방법을 제공한다. 상기 소자 어레이는 기판 상에 서로 평행하게 배열된 복수개의 제1 방향 데이터선들을 구비한다. 상기 제1 방향 데이터선들의 서로 마주보는 측벽들 사이에 복수개의 도전성 필라들(conductive pillars)이 일렬로 위치한다. 상기 각 도전성 필라의 측벽과 이에 인접하는 상기 데이터선의 측벽 사이에 저항변화물질막이 위치한다. 상기 도전성 필라들에 선택 소자들이 각각 전기적으로 연결된다.

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