基本信息:
- 专利标题： 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리
- 专利标题（英）：Method of manufacturing resistive switching memory using low temperature high pressure annealing and resistive switching memory prepared by using the method
- 专利标题（中）：使用低温高压退火和电阻式切换存储器制造电阻式开关存储器的方法
- 申请号：KR1020100084229 申请日：2010-08-30
- 公开(公告)号：KR101195946B1 公开(公告)日：2012-10-30
- 发明人： 이우태 , 황현상
- 申请人： 광주과학기술원
- 申请人地址： 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동)
- 专利权人： 광주과학기술원
- 当前专利权人： 광주과학기술원
- 当前专利权人地址： 광주광역시 북구 첨단과기로 *** (오룡동)
- 代理人： 조영현; 나승택
- 主分类号： H01L21/8247
- IPC分类号： H01L21/8247 ; H01L27/115
2 )를 증착시켜 이산화규소층을 형성하는 이산화규소층 형성단계; 상기 이산화규소층 상부에 티타늄(Ti)을 증착시키는 티타늄층 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, Pt/PCMO 등을 순서대로 증착시킨 후에, PCMO 등을 저온고압의 조건에서 열처리하여, 결정화시킴으로써, 종래에 고온열처리함으로써 생기는 CMOS 호환성문제를 해결하면서도, 저온에서 결정화를 달성하여 저항스위칭특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
The present invention relates to a resistance variable memory manufactured by using the manufacturing method of the resistance RAM using a high-pressure low-temperature heat treatment, and this, the substrate forming step; The lower electrode forming step of depositing a metal on the substrate to form a lower electrode; An oxide layer formation step of depositing an oxide of perovskite structure in the upper part of the lower electrode to form an oxide layer; And characterized in that comprising a,; the oxide layer 1 megapascals (MPa) to 50 GB crystallization step crystallized by heat treatment for 30 minutes to 24 hours under pressure and 200 ℃ to a temperature of 500 ℃ Pascal (GPa) the substrate forming step, a silicon (Si) by depositing silicon dioxide (SiO
2) on a substrate of silicon dioxide layer forming step of forming a silicon dioxide layer; Depositing a titanium (Ti) to the upper layer titanium dioxide layer formed in step; characterized in that comprises a.
According to the present invention, Pt / after deposition in order to PCMO etc., PCMO etc. by crystallization, and heat treatment under the conditions of low-temperature high-pressure, while solving the CMOS compatibility problems caused by high temperature heat treatment in the prior art, resistance to achieve crystallization at a low temperature It has the advantage of improving the switching characteristics.
公开/授权文献:
- KR1020120020557A 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리 公开/授权日：2012-03-08
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |
| ------------------------H01L21/8246 | .........只读存储器结构（ROM） |
| --------------------------H01L21/8247 | ..........电可编程序的 |