基本信息:
- 专利标题： 하이브리드형 저항성 메모리 소자, 그 작동 방법 및 그 제조 방법
- 专利标题（英）：KR101929940B1 - Hybrid Resistive Memory Device, Operating Method and Manufacturing Method of the same
- 申请号：KR1020120049269 申请日：2012-05-09
- 公开(公告)号：KR101929940B1 公开(公告)日：2018-12-17
- 发明人： 김영배 , 황현상 , 김창정
- 申请人： 삼성전자주식회사 , 광주과학기술원
- 申请人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 专利权人： 삼성전자주식회사,광주과학기술원
- 当前专利权人： 삼성전자주식회사,광주과학기술원
- 当前专利权人地址： ***, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, Republic of Korea
- 代理人： 리앤목특허법인
- 主分类号： H01L27/115
- IPC分类号： H01L27/115 ; H01L21/8247
摘要：
하이브리드형 저항성 메모리 소자, 작동 방법 및 그 제조 방법에 대해 개시된다. 개시된 하이브리드형 저항성 메모리 소자는 적어도 2개 이상의 저항성 메모리부를 포함하며, 상기 저항성 메모리부 중 적어도 하나는 장기 가소성 특성을 지니도록 형성함으로써 단기 가소성 특성 및 장기 가소성 특성을 모두 구현할 수 있다.
摘要（英）：
Hybrid resistive memory device, is described for the method of operation and a method of manufacturing the same. The disclosed hybrid resistive memory element comprises at least two or more resistive memory unit, and at least one of the resistive memory unit can be implemented both for short-term plasticity characteristics and long-term plasticity characteristics by forming so as to have a long-term plasticity characteristics.
公开/授权文献:
- KR1020130125612A 하이브리드형 저항성 메모리 소자, 그 작동 방법 및 그 제조 방법 公开/授权日：2013-11-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |