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1. 发明公开

KR1020040100867A 반도체 기억 장치 有权
标题翻译：具有与场效应晶体管共享的相移材料层的半导体IC器件
公开(公告)号：KR1020040100867A
公开(公告)日：2004-12-02
申请号：KR1020040013903
申请日：2004-03-02
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈
发明人： 다까우라노리까쯔 , 마쯔오까히데유끼 , 데라오모또야스 , 구로쯔찌겐조 , 야마우찌즈요시
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： PURPOSE: A semiconductor IC(Integrated Circuit) device is provided to restrain the non-uniformity of electrical properties and the degradation of reliability by sharing a phase shift material layer with FETs(Field Effect Transistors) and forming a plate node electrode on the phase shift material layer. CONSTITUTION: A semiconductor IC device includes a plurality of memory cells. Each memory cell includes a resistive element(R) and FETs(QM) electrically connected with the resistive element on a semiconductor substrate(1). The resistive element is composed of a first electrode layer(21), a phase shift material layer(CG), and a second electrode layer(24). The resistive element is used for connecting electrically a common power source terminal to at least two FETs of the memory cell.
摘要翻译：目的：提供半导体IC（集成电路）器件，通过与FET（场效应晶体管）共享相移材料层并在相移上形成板状节点电极来抑制电性能的不均匀性和可靠性的劣化材料层。构成：半导体IC器件包括多个存储单元。每个存储单元包括与半导体衬底（1）上的电阻元件电连接的电阻元件（R）和FET（QM）。电阻元件由第一电极层（21），相移材料层（CG）和第二电极层（24）构成。电阻元件用于将公共电源端子电连接到存储器单元的至少两个FET。

2. 发明授权

KR101054100B1 반도체 기억 장치 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR101054100B1
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：KR1020040013903
申请日：2004-03-02
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈
发明人： 다까우라노리까쯔 , 마쯔오까히데유끼 , 데라오모또야스 , 구로쯔찌겐조 , 야마우찌즈요시
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 고속 불휘발 상변화 메모리의 재기입 횟수 신뢰성을 향상시킨다. MISFET를 메모리셀 선택용 트랜지스터 QM으로서 이용하는 상변화 메모리의 메모리셀 형성 영역에서, 상변화 재료를 이용한 저항 소자 R로 이루어지는 메모리셀의 상변화 재료층 CG를 공통화한다. 그 결과, 드라이 에칭에 의한 메모리셀 소자의 분리에 기인한, 형상 변동 및 상변화 재료의 조성 변화가 저감되어, 메모리셀의 재기입 횟수 신뢰성이 향상된다.
상변화 재료, 메모리셀, 소자 분리, 조성 변화, 배리어 금속
摘要翻译：通过高速非易失性相变存储器，提高了刷新次数的可靠性。在使用MISFET作为选择存储单元的晶体管的相变存储器的存储单元形成区域中，形成了使用相变材料的包括电阻元件的存储单元的相变材料层，用于常用。结果，减少了通过蚀刻对存储单元元件的隔离引起的相变材料的形状变化和组成变化，从而提高了存储单元的数量方面的更新次数的可靠性。

3. 发明授权

KR100418011B1 정보 기록 매체 및 정보 기록 장치 失效
标题翻译：了解更多信息关于技术信息
公开(公告)号：KR100418011B1
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020017004412
申请日：1999-10-04
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 , 히다치 막셀 가부시키가이샤
发明人： 미야모또마꼬또 , 우시야마준꼬 , 안도게이끼찌 , 안자이유미꼬 , 히로쯔네아께미 , 데라오모또야스 , 니시다데쯔야 , 미야우찌야스시 , 미야모또미쯔히데
IPC分类号： G11B7/24073 , G11B7/241
CPC分类号： G11B7/2578 , G11B7/007 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/24079 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B11/10584 , G11B11/10586 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
摘要： This invention relates to an information-recording medium that is used for recording information through radiation of energy beam. The information recording medium has a groove-shaped information recording track and is provided with a recording layer, one or more kinds of heat sink control layers and heat sink layers. A sum of film thickness of the more than one kind of recording layer is equal to or less than a step between information recording tracks, and a sum of film thickness of one or more kinds of heat sink control layers is more than a groove depth of the information recording track. With this configuration, no cross-erase is produced even if the information-recording medium is applied for a high density recording with the track pitch being 70% or less.
摘要翻译：本发明涉及用于通过能量束的辐射记录信息的信息记录介质。信息记录介质具有槽形信息记录轨道并且设置有记录层，一种或多种散热控制层和散热层。多于一种记录层的膜厚之和等于或小于信息记录轨道之间的台阶，并且一种或多种散热控制层的膜厚之和大于或等于信息记录轨道。利用这种配置，即使信息记录介质被应用于轨道间距为70％或更小的高密度记录，也不会产生交叉擦除。

4. 发明授权

KR101126944B1 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101126944B1
公开(公告)日：2012-03-20
申请号：KR1020090034629
申请日：2009-04-21
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 한자와사또루 , 구메히또시 , 데라오모또야스 , 세끼구찌도모노리 , 사엔마꼬또
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
摘要： 고신뢰 동작의 대용량 상변화 메모리 모듈을 실현한다. 본 발명에 따른 반도체 장치는, 칼코게나이드 재료를 이용한 기억층과 다이오드로 구성된 메모리 셀을 적층한 구조의 메모리 어레이를 갖고, 선택된 메모리 셀이 위치하는 층에 따라서, 초기화 조건 및 재기입 조건이 변경되는 것이다. 커런트 미러 회로를 동작에 따라서 선택함과 함께, 전압 선택 회로와 커런트 미러 회로에서의 리세트 전류의 제어 기구에 의해, 초기화 조건 및 재기입 조건(여기서는, 리세트 조건)을 동작에 따라서 변경한다.
상변화 메모리, 메인 영역, 스페어 영역, 데이터베이스, 로컬 셀 어레이
摘要翻译：实现高可靠性操作的高容量相变存储器模块。根据本发明的半导体器件，具有硫族化物材料存储层和一个存储器阵列的在由使用中，根据在所选择的存储器单元的位置，改变初始化条件的层的叠层型存储单元的二极管结构，并重写条件这将是。根据改变，通过复位条件和重写条件（这里，复位条件），在根据选定的在操作中的电流反射镜电路的方块，以重新控制在电压选择电路的设定电流与电流镜电路的操作的机制。

5. 发明公开

KR1020110044186A 반도체 장치 无效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020110044186A
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：KR1020110030136
申请日：2011-04-01
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 한자와사또루 , 구메히또시 , 데라오모또야스 , 세끼구찌도모노리 , 사엔마꼬또
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： G01R31/31715 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , Y10T29/49169 , H01L45/06 , H01L45/144
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to memorize information using a state change of a chalcogenide material to detect the difference between resistance values according to the state of the chalcogenide material, thereby realizing a large capacity phase-change memory module with high reliability. CONSTITUTION: A phase-change memory array is composed of a user area(UFD) and a vendor area(BFD). The user area is composed of a recording layer made of a chalcogenide material and a diode of cell selection. A block is formed using pages made of a main area and a spare area. The main area memorizes information from an external device. Bad block information for a memory cell of the main area is recorded in the spare area.
摘要翻译：目的：提供一种使用硫族化物材料的状态变化来存储信息的半导体器件，以根据硫族化物材料的状态检测电阻值之间的差异，从而实现高可靠性的大容量相变存储器模块。构成：相变存储器阵列由用户区域（UFD）和供应商区域（BFD）组成。用户区由硫族化物材料制成的记录层和电池选择二极管组成。使用由主区域和备用区域构成的页面形成块。主区域从外部设备存储信息。主区域的存储单元的坏块信息被记录在备用区中。

6. 发明公开

KR1020090083288A 불휘발성 기억 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090083288A
公开(公告)日：2009-08-03
申请号：KR1020090006991
申请日：2009-01-29
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 기노시따마사하루 , 데라오모또야스 , 마쯔오까히데유끼 , 사사고요시따까 , 기무라요시노부 , 시마아끼오 , 다이미쯔하루 , 다까우라노리까쯔
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/8221 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/1285 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/143
摘要： A non-volatile memory device and manufacturing method thereof are provided to reduce the change of the electrical feature of diode by controlling the temperature profile of the silicon. The bottom electrode(102) is formed on the substrate(101). The first amorphous silicon layer(103) is formed in the upward of the bottom electrode. The second amorphous silicon layer(104) is formed on the first amorphous silicon layer. Laser is irradiated in the surface of the second amorphous silicon layer. In the process of the laser irradiation, the laser is irradiated so that the first area of which temperature is temporally high and the second part of which temperature is relatively low within the second amorphous silicon layer.
摘要翻译：提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以通过控制硅的温度分布来减小二极管的电特性的变化。底部电极（102）形成在基板（101）上。第一非晶硅层（103）形成在底部电极的上方。第二非晶硅层（104）形成在第一非晶硅层上。在第二非晶硅层的表面照射激光。在激光照射的过程中，照射激光器，使得第二非晶硅层内的第一区域的温度在时间上较高，第二部分的温度较低。

7. 发明公开

KR1020090015806A 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020090015806A
公开(公告)日：2009-02-12
申请号：KR1020080064998
申请日：2008-07-04
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 데라오모또야스 , 사사고요시따까 , 구로쯔찌겐조 , 오노가즈오 , 후지사끼요시히사 , 다까우라노리까쯔 , 다께무라리이찌로
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： G11C11/5614 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , G11C13/0004
摘要： A semiconductor device including a memory device is provided to stabilize data rewriting property with low power by forming first electrode and the second electrode on both sides of the memory layer. In a semiconductor device including a memory device, a memory layer(ML) comprises first electrode and the second electrode which are adjacent each other. The first layer is made of the material which is compounded with one element of first group, a second group and a third group. A first group is composed of Cu, Ag, Au, Al, Zn, and Cd. The second group is composed of V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, Ti, Zr, Hf, Fe, Co, Ni, Pt, Pd, Rh, Ir, Ru, and Os. The third element is composed of S, Se, and Te. The second level is made of at least one from the first group, at least one from the second group, and oxide.
摘要翻译：提供了包括存储器件的半导体器件，以通过在存储层的两侧形成第一电极和第二电极来稳定具有低功率的数据重写特性。在包括存储器件的半导体器件中，存储层（ML）包括彼此相邻的第一电极和第二电极。第一层由与第一组，第二组和第三组的一个元件复合的材料制成。第一组由Cu，Ag，Au，Al，Zn和Cd组成。第二组由V，Nb，Ta，Cr，Mo，W，Ti，Zr，Hf，Fe，Co，Ni，Pt，Pd，Rh，Ir，Ru和Os组成。第三个元素由S，Se和Te组成。第二级由至少一个来自第一组，至少一个来自第二组和氧化物组成。

8. 发明公开

KR1020110016980A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020110016980A
公开(公告)日：2011-02-18
申请号：KR1020110009100
申请日：2011-01-28
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 데라오모또야스 , 한자와사또루 , 구메히또시 , 오구시미노루 , 사사고요시따까 , 기노시따마사하루 , 노리까쯔다까우라
IPC分类号： G11C13/02 , G11C7/22
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2013/0054 , G11C2213/72 , G11C29/022
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve the effective transmission rate of data by drastically reducing a verify cycle. CONSTITUTION: A semiconductor device comprises a memory device, a controller(MEM-CONT), a CPU, and a verify cycle register. The memory device comprises a plurality of memory cells. Each memory cell includes a phase change device. The controller generates a command to the memory device. The controller has an address alternative circuit. The address alternative circuit memorizes a bad address. The verify cycle register memorizes the verify cycle.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，通过大大减少验证周期来提高数据的有效传输速率。构成：半导体器件包括存储器件，控制器（MEM-CONT），CPU和校验周期寄存器。存储器件包括多个存储器单元。每个存储单元包括相变装置。控制器向存储设备生成一个命令。控制器具有地址替代电路。地址备用电路存储不良地址。验证周期寄存器存储验证周期。

9. 发明公开

KR1020100026960A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020100026960A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020090041676
申请日：2009-05-13
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 데라오모또야스 , 한자와사또루 , 구메히또시 , 오구시미노루 , 사사고요시따까 , 기노시따마사하루 , 노리까쯔다까우라
IPC分类号： G11C13/02 , G11C7/22
CPC分类号： G11C13/0064 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C29/028 , G11C29/50 , G11C29/50008 , G11C2013/0054 , G11C2213/72
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to reduce a deviation and a transformation and stably perform a writing operation by setting a test condition for writing on a condition table. CONSTITUTION: A memory device(PCM) includes a first memory array. The first memory array divided a first area which includes a plurality of first memory cells and a second area which includes a plurality of second memory cells. A controller(MEM-CONT) is connected to the memory device and issues a command for the memory device. A condition management table(TABLE) maintains a plurality of the test conditions for writing. The controller performs a plurality of test operations for the writing on the second memory cells based on the test conditions for writing. As a result of the test operations, the controller decides the test condition for the writing on the first memory cells. The memory device performs the writing operation on the first memory cells.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以通过在条件表上设置用于写入的测试条件来减少偏差和变换并且稳定地执行写入操作。构成：存储器件（PCM）包括第一存储器阵列。第一存储器阵列划分包括多个第一存储单元的第一区域和包括多个第二存储单元的第二区域。控制器（MEM-CONT）连接到存储器件并发出存储器件的命令。条件管理表（TABLE）维持写入的多个测试条件。控制器基于写入的测试条件对第二存储器单元进行写入的多个测试操作。作为测试操作的结果，控制器决定在第一存储器单元上写入的测试条件。存储装置对第一存储单元执行写入操作。

10. 发明公开

KR1020090049028A 불휘발성 반도체 기억 장치 无效
公开(公告)号：KR1020090049028A
公开(公告)日：2009-05-15
申请号：KR1020080111556
申请日：2008-11-11
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 기노시따마사하루 , 데라오모또야스 , 마쯔오까히데유끼 , 사사고요시따까 , 기무라요시노부 , 시마아끼오 , 다이미쯔하루 , 다까우라노리까쯔
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/101 , G11C5/02 , G11C13/0004 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/04 , H01L27/24
摘要： 상 변화 메모리 등에서, 기록 재료와 선택 소자의 양방을 박막으로 형성하는 경우, 재기입 동작 등의 열에 의해 기록 재료층과 인접하는 층의 원자가 기록 재료까지 확산하여, 재기입 특성이 변화하거나 한다는 과제가 있었다. 상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은, 불휘발성 기록 재료층(224)과 선택 소자(220, 221) 사이에, 5nm 이상 200nm 이하의 막 두께의 반도체층(222)을 갖는다. 이에 의해, 대용량이면서 재기입 조건이 안정된 불휘발성 메모리가 얻어진다.
불휘발성 반도체 기억 장치, 반도체층, 다이오드, 선택 소자, 메모리 셀

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