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1. 发明公开

KR1020170098464A 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：可变电阻存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170098464A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160020389
申请日：2016-02-22
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 은성호
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , H01L23/528 , H01L27/2427 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/1691
摘要： 가변저항메모리장치는제1 및제2 도전라인들, 및메모리유닛을포함할수 있다. 상기제1 도전라인들은각각이기판상면에평행한제2 방향으로연장될수 있으며, 상기기판상면에평행하고상기제2 방향과교차하는제1 방향을따라복수개로형성될수 있다. 상기제2 도전라인들은상기제1 도전라인들상에서각각이상기제1 방향으로연장될수 있으며, 상기제2 방향을따라복수개로형성될수 있다. 상기메모리유닛은상기제1 및제2 도전라인들사이에서상기기판상면에수직한제3 방향으로이들이서로오버랩되는각 영역들에형성될수 있으며, 상기제1 방향으로의단면이 "L"자형상을갖는제1 전극, 상기제1 전극상면에접촉하며상기제1 방향으로의단면이 "L"자형상을갖는가변저항패턴, 상기가변저항패턴상에형성된제2 전극, 및상기제2 전극상에형성된선택패턴을포함할수 있다.
摘要翻译：可变电阻存储器件可以包括第一和第二导线以及存储单元。所述第一导电线可以在平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸，分别，可以在沿着平行于且相交于所述基板的上表面上的第二方向的第一方向上的多个部件形成。第二导线可以是第一，和在基座上延伸，在所述第一导电线中的每个的至少一个方向上，也可以形成沿所述第二方向上的多个块。所述存储器单元是之间的第一mitje第二导电线，并在各区域与它们重叠的第三方向彼此垂直于所述衬底的上表面上，该第一方向的横截面为“L”形而形成所述第一电极，所述可变电阻器图案，第二电极，以及形成在可变电阻图案接触所述第一电极的上表面和所述第一方向的端面上的第二电极具有一个“L”形，具有并可能包括形成的选择模式。

2. 发明公开

KR1020170092070A 스위칭 소자, 저항 변화 메모리 장치, 스위칭 소자의 제조 방법, 및 저항 변화 메모리 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：开关元件，电阻变化型存储器件，开关元件的制造方法以及电阻变化型存储器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020170092070A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020160013129
申请日：2016-02-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이재연
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1675
摘要： 일실시예에따르는스위칭소자의제조방법에있어서, 기판상에제1 전극층, 절연층및 제2 전극층을포함하는필라구조물을형성한다. 상기필라구조물에대하여경사형도핑을실시하여상기절연층의적어도일부분에도펀트를주입한다. 상기경사형도핑은상기절연층내에문턱스위칭동작영역을형성한다.
摘要翻译：在根据实施例的制造开关器件的方法中，包括第一电极层，绝缘层和第二电极层的柱结构形成在基板上。长丝结构经受倾斜掺杂以将掺杂剂注入至少一部分绝缘层中。锥形掺杂在绝缘层中形成阈值切换操作区域。

3. 发明公开

KR1020170091589A 감소된 전도성 경로 영역 / 강화된 전계를 위한 스페이서 영역을 갖는 저항성 메모리 셀 审中-实审
标题翻译：具有用于增强电场的减小的导电路径区/间隔区的电阻存储单元
公开(公告)号：KR1020170091589A
公开(公告)日：2017-08-09
申请号：KR1020177012097
申请日：2015-11-25
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 페스트,폴
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1273 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/122 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要： 저항성메모리셀, 바람직하게는 CBRAM 또는 ReRAM 어레이를형성하는방법은, 하부전극층을형성하는것, 노출된구역을산화하는것, 및뾰족한팁 또는에지영역(114)을갖는하부전극을형성하기위해산화물영역(110)에인접한상기하부전극층의영역을제거하는것을포함한다. 전기절연미니스페이서영역(118)은하부전극에인접하여형성되고, 전해질영역(120A) 및상부전극(122A)은메모리소자를정의하기위해하부전극및 미니스페이서위에(over) 형성된다. 메모리소자는전해질영역을통해하부전극의뾰족한팁 영역으로부터상부전극까지의전도성필라멘트/베이컨시체인경로(CP)를정의한다. 미니스페이서는전도성필라멘트/베이컨시체인경로에대한유효영역또는 "제한구역" 을감소시킨다.
摘要翻译：形成电阻式存储单元，优选为CBRAM或ReRAM阵列的方法包括形成下电极层，氧化暴露区域，以及形成具有尖锐尖端或边缘区域（114）的下电极， 110与下电极层相邻。在下电极附近形成电绝缘微型间隔物区域118，并且在下电极和微型间隔物之上形成电解质区域120A和上电极122A以限定存储元件。存储器元件限定从下电极的尖锐末端区域通过电解质区域到上电极的导电细丝/空位路径（CP）。小型间隔件减小了导电丝/空位链路径的有效面积或“受限空间”。

4. 发明公开

KR1020150127604A 트렌치 형상 하부 전극을 갖는 메모리 셀 审中-实审
标题翻译：带有TRENCH-BAPT底部电极的记忆体
公开(公告)号：KR1020150127604A
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：KR1020157023725
申请日：2014-03-04
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 월스,제임스
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1273 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： 저항성메모리셀, 예를들면, CBRAM 또는 ReRAM 셀은, 상부전극, 한쌍의이격된하부전극측벽들을정의하는길쭉한트렌치형상을갖는하부전극, 및상부전극과적어도하나의하부전극측벽들사이에배열되어, 셀에전압바이어스가인가될때, 적어도하나의하부전극측벽으로부터상부전극으로의전도성필라멘트또는베이컨시체인의형성을위한경로를제공하는전해질스위칭영역을포함할수 있다. 또한, 메모리는상부전극구조, 제1 방향으로연장하는복수의트렌치-형하부전극들, 및전해질스위칭영역들이하부전극측벽들을가로지르고전해질스위칭영역들과하부전극측벽들사이의이격된접촉구역들의 2차원어레이를정의하도록, 제1 방향과대체로수직으로연장된복수의전해질스위칭영역들을포함하는저항성메모리셀의어레이를포함할수 있다.

5. 发明公开

KR1020150127603A 트렌치 형상 하부 전극을 구비한 저항성 메모리 셀 审中-实审
标题翻译：电阻式记忆体，带有TRENCH-BAPT底电极
公开(公告)号：KR1020150127603A
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：KR1020157023716
申请日：2014-03-08
申请人： 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 월스,제임 , 페스트,폴
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1273 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16
摘要： CBRAM 또는 ReRAM 유형의저항성메모리셀은상부전극(222), 그리고하부전극연결부(200) 및하부전극연결부와인접한제1 측벽영역(214)으로부터첨단영역(212)으로연장된측벽(210)을정의하는트렌치형상하부전극구조를포함하고, 여기서하부전극연결부의반대측을향하여있는첨단면(216)은하부전극연결부와인접한제1 측벽영역의두께보다작은두께를갖는다. 전해질스위칭영역(220)은상부전극과하부전극첨단영역사이에배열되어, 전압바이어스가저항성메모리셀에적용될때, 전해질스위칭영역을통해하부전극첨단면(216)으로부터상부전극으로의도전성필라멘트또는베이컨시체인(226)의형성을위한경로를제공한다.

6. 发明授权

KR101531071B1 교차점 가변 저항 물질 메모리를 위한 매립된 저저항 금속 워드 라인 有权
标题翻译：用于交叉点耐变性材料记忆体的低阻抗金属字符线
公开(公告)号：KR101531071B1
公开(公告)日：2015-06-23
申请号：KR1020107008373
申请日：2008-09-18
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 리우,준 , 바이올렛,마이클피.
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1608 , G11C13/0004 , G11C2213/72 , H01L27/101 , H01L27/24 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： 가변저항물질메모리는다이오드아래에배치된매립된살리사이드워드라인을포함한다. 가변저항물질메모리는다이오드옆에이격되어배치된금속스페이서를포함한다. 프로세스는매립된살리사이드워드라인및 금속스페이서중 하나의형성을포함한다. 디바이스는가변저항물질메모리, 및매립된살리사이드화된워드라인과스페이서워드라인중 하나를포함한다.

7. 发明公开

KR1020150037517A 측방향으로 오프셋된 ＢＥＶＡ/ＴＥＶＡ를 갖는 ＲＲＡＭ 셀 구조 有权
标题翻译： RRAM细胞结构与侧向BEVA / TEVA
公开(公告)号：KR1020150037517A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140116912
申请日：2014-09-03
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 장치양 , 추웬팅 , 투쿠오치 , 리아오위웬 , 첸시아웨이 , 양치치에 , 시쉥훙 , 유웬춘
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L45/124 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/10 , H01L45/12 , H01L45/1206 , H01L45/1213 , H01L45/122 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/1266 , H01L45/1273 , H01L45/1286 , H01L45/1293 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1641 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1666 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/1691 , H01L27/11507
摘要： 본개시는탈축(off-axis) 또는측방향으로오프셋된(laterally offset) 상부전극비아(TEVA) 및하부전극비하(BEVA)를갖는저항성랜덤액세스메모리(RRAM) 셀아키텍처에관한것이다. 동축(on-axis)인 TEVA 및 BEVA를갖는종래의 RRAM 셀은높은접촉저항변동을야기할수 있다. 본개시의탈축 TEVA 및 BEVA는 TEVA를 RRAM 셀위의절연층으로부터멀리밀어내며, 이는접촉저항변동을개선할수 있다. 본개시는또한더 큰면적을갖는직사각형형상의 RRAM 셀을갖는메모리디바이스에관한것이며, 이는형성전압을낮추고데이터보유를개선할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种电阻随机存取存储器（RRAM）单元体系结构，具有通过（TEVA）的离轴或侧向偏移的顶部电极和通过（BEVA）的底部电极。具有在轴上的TEVA和BEVA的传统RRAM电池可能导致高接触电阻变化。本公开中的离轴TEVA和BEVA通过RRAM单元推动TEVA远离绝缘层，这可以改善接触电阻的变化。本公开还涉及具有矩形形状的RRAM单元的存储器件，其具有可以降低地层电压并改善数据保持的较大面积。

8. 发明公开

KR1020150002729A 데이터를 저장하기 위한 저항 스위칭 메모리에서의 중심 대칭 모트 절연체의 용도 审中-实审
标题翻译：用于存储数据的电阻式切换存储器中使用中心型绝缘子
公开(公告)号：KR1020150002729A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020147030665
申请日：2013-04-10
申请人： 쌍트르 나쉬오날 드 라 르쉐르스 쉬앙티피끄 , 위니베르시떼 드 낭뜨
发明人： 카리오,로랑 , 자노드,에티엔 , 코라즈,베누와 , 베슬란드,마리에-폴 , 귀오,빈센트
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： H01L45/142 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , H01L45/04 , H01L45/1253 , H01L45/14 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 본 발명은 데이터를 저장하기 위한 저항 스위칭 메모리의 활성 물질로서, 중심 대칭의 모트 절연체(Mott insulator) 계열에 속하는 물질(1)의 용도에 관한 것이다. 물질은, 전자 사태(electronic avalanche) 효과에 의해, 적어도 2개의 논리 상태를 갖는 기본 정보 셀을 형성하도록, 미리 정해진 값의 전기장이 인가되는 2개의 전극(2) 사이에 배치된다.

9. 发明授权

KR101474673B1 비휘발성 메모리 셀들의 어레이 有权
标题翻译：非易失记忆细胞阵列
公开(公告)号：KR101474673B1
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：KR1020137015225
申请日：2011-11-03
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 리우,준
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G11C5/02 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147
摘要： 유닛셀마다 5개의메모리셀을포함하는비휘발성메모리셀들의어레이가개시된다. 또한각 층내에 4F의연속적인수평면적을차지하는 5개의메모리셀을포함하는비휘발성메모리셀이수직으로적층된층의어레이가개시된다. 또한프로그래밍가능한물질의 3개의고도방향의영역을각각포함하는복수의유닛셀을포함하는비휘발성메모리셀들의어레이가개시되며, 상기 3개의고도방향의영역은유닛셀의적어도 3개의상이한메모리셀의프로그래밍가능한물질을포함한다. 또한복수의수직으로배향된메모리셀과복수의수평으로배향된메모리셀의조합을구비하는연속적인볼륨을포함하는비휘발성메모리셀이수직으로적층된층의어레이가개시된다. 다른실시예와측면들도개시된다.

10. 发明公开

KR1020140026616A 고신뢰성 고속 멤리스터 有权
标题翻译：高可靠性高速电容器
公开(公告)号：KR1020140026616A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020147001426
申请日：2011-06-24
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 미아오펭 , 양지앙화 , 스트라찬존폴 , 위웨이 , 리베이로길베르토메데이로스 , 윌리엄스알.스탠리
IPC分类号： H01L27/115
CPC分类号： H01L45/08 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C2213/55 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/149 , H01L27/11507
摘要： 멤리스터는 제1 전극, 제1 전극에 평행한 제2 전극, 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 위치되는 스위칭 층을 포함한다. 스위칭 층은 도전 채널 및 저장소 존(reservoir zone)을 포함한다. 도전 채널은 가변 농도의 이동성 이온을 갖는 페르미 글래스 재료를 갖는다. 저장소 존은 도전 채널에 관련하여 측방향으로 위치되며, 도전 채널을 위한 이동성 이온의 소스/싱크로서 기능한다. 스위칭 동작에서, 전계와 열효과의 협력적인 구동력 하에서, 이동성 이온이 측방향으로 위치된 저장소 존 내로 또는 밖으로 이동하게 되어, 도전 채널 내의 이동성 이온의 농도를 변화시킴으로써 페르미 글래스 재료의 도전율이 변경된다.
摘要翻译：忆阻器具有第一电极，平行于第一电极的第二电极和设置在第一和第二电极之间的开关层。开关层包含导电通道和储存区。导电通道具有可变浓度的移动离子的费米玻璃材料。储存区相对于传导通道横向设置，并且用作导电通道的移动离子的源/汇。在切换操作中，在电场和热效应的协同驱动力下，移动离子被移入或移出横向设置的储存区，以改变导电通道中的移动离子的浓度，以改变导电通道的导电性费米玻璃材料。

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