基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
- 专利标题（英）：Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, apparatus for processing substrate and non-transitory computer readable recording medium
- 专利标题（中）：用于制造半导体器件的方法，用于处理衬底的方法，用于处理衬底的装置和非电子计算机可读记录介质
- 申请号：KR1020137009872 申请日：2011-11-01
- 公开(公告)号：KR101464209B1 公开(公告)日：2014-11-21
- 发明人： 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 타카사와유신 , 히로세요시로
- 申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 申请人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 이창범; 박준용
- 优先权： JPJP-P-2010-247452 2010-11-04
- 国际申请： PCT/JP2011/075192 2011-11-01
- 国际公布： WO2012060379 2012-05-10
- 主分类号： H01L21/318
- IPC分类号： H01L21/318 ; H01L21/31 ; C23C16/56
A step of forming a desired element-containing layer on a substrate by supplying a source gas containing a given element in a processing vessel accommodating a substrate; And a step of changing the predetermined element-containing layer with the oxynitride layer by supplying a nitrogen and hydrogen-containing gas, an oxygen-containing gas and an inert gas at the same time in the processing vessel; cycle 1 a and the substrate by performing a plurality of times the cycle a given film and a step of forming an oxynitride film having a thickness, the composition of the oxygen-containing a predetermined thickness by controlling the partial pressure of the gas oxynitride film within the processing vessel in the step of changing the predetermined element-containing layer with the oxynitride layer controls.
公开/授权文献:
- KR1020130055691A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 公开/授权日：2013-05-28
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/318 | .......由氮化物组成的无机层 |