基本信息:
- 专利标题: 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
- 专利标题(英):Method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrate, apparatus for processing substrate and non-transitory computer readable recording medium
- 专利标题(中):用于制造半导体器件的方法,用于处理衬底的方法,用于处理衬底的装置和非电子计算机可读记录介质
- 申请号:KR1020137009872 申请日:2011-11-01
- 公开(公告)号:KR101464209B1 公开(公告)日:2014-11-21
- 发明人: 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 타카사와유신 , 히로세요시로
- 申请人: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 申请人地址: **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人地址: **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人: 이창범; 박준용
- 优先权: JPJP-P-2010-247452 2010-11-04
- 国际申请: PCT/JP2011/075192 2011-11-01
- 国际公布: WO2012060379 2012-05-10
- 主分类号: H01L21/318
- IPC分类号: H01L21/318 ; H01L21/31 ; C23C16/56
A step of forming a desired element-containing layer on a substrate by supplying a source gas containing a given element in a processing vessel accommodating a substrate; And a step of changing the predetermined element-containing layer with the oxynitride layer by supplying a nitrogen and hydrogen-containing gas, an oxygen-containing gas and an inert gas at the same time in the processing vessel; cycle 1 a and the substrate by performing a plurality of times the cycle a given film and a step of forming an oxynitride film having a thickness, the composition of the oxygen-containing a predetermined thickness by controlling the partial pressure of the gas oxynitride film within the processing vessel in the step of changing the predetermined element-containing layer with the oxynitride layer controls.
公开/授权文献:
- KR1020130055691A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 公开/授权日:2013-05-28