基本信息:
- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
- 专利标题（英）：Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus and non-transitory computer-readable recording medium
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法，衬底处理装置和非电子计算机可读记录介质
- 申请号：KR1020130028586 申请日：2013-03-18
- 公开(公告)号：KR1020130107232A 公开(公告)日：2013-10-01
- 发明人： 히로세요시로 , 사사지마료타 , 나카무라요시노부 , 야마모토류지
- 申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 申请人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理人： 이창범; 박준용
- 优先权： JPJP-P-2012-064465 2012-03-21; JPJP-P-2013-030452 2013-02-19
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; H01L21/318 ; H01L21/31 ; H01L21/205
摘要：
PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device, a substrate processing apparatus, and a recording medium are provided to improve the etching resistance of a thin film by adding carbon to the thin film. CONSTITUTION: A process furnace includes a heater (207). A reaction pipe (203) is arranged in the inner part of the heater. The reaction pipe is made of a heat-resistant material including silicon carbide. The process chamber (201) is formed in the open hollow part of the reaction pipe. A first, a second, and a third nozzle are installed in the process chamber.
摘要（中）：
目的：提供半导体器件，衬底处理设备和记录介质的制造方法，以通过向薄膜中添加碳来提高薄膜的抗蚀刻性。 构成：工艺炉包括加热器（207）。 反应管（203）布置在加热器的内部。 反应管由包括碳化硅的耐热材料制成。 处理室（201）形成在反应管的敞开的中空部分中。 第一，第二和第三喷嘴安装在处理室中。
公开/授权文献:
- KR101396255B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 公开/授权日：2014-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |