专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020090101219A 실리콘 웨이퍼들의 분리 방법 및 장치 无效
标题翻译：用于分离硅波的方法和装置
公开(公告)号：KR1020090101219A
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：KR1020097014103
申请日：2007-12-19
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 왕,페르,안느 , 람스란트,안느 , 트론루트,올르,크리스티안 , 헤르타스,에릭 , 함멜,벤트 , 스카이,안드레 , 트론루트,올라
IPC分类号： B28D5/00 , B65G49/06 , H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： B28D5/0082 , B65G49/061 , B65G49/068 , B65G2249/04 , Y10T156/19 , H01L21/67766 , H01L21/67778
摘要： The invention relates to a method for separation of a silicon wafer (12a) from a vertical stack (10) of silicon wafers (12). The method is characterised in that it comprises attaching a movable transport device (2) to a surface of the silicon wafer (12a) in the stack (10), and horizontal movement of the silicon wafer (12a) parallel (A) to the surface of the silicon wafer (12a) until the silicon wafer (12a) is separated from the stack (10). The invention also comprises a device for implementing the method.
摘要翻译：本发明涉及一种用于从硅晶片（12）的垂直叠层（10）分离硅晶片（12a）的方法。该方法的特征在于，其包括将可移动传送装置（2）附接到堆叠（10）中的硅晶片（12a）的表面，并且将硅晶片（12a）平行（A）水平移动到表面的硅晶片（12a）直到硅晶片（12a）与堆叠（10）分离。本发明还包括用于实现该方法的装置。

2. 发明公开

KR1020090023498A 반도체 등급 다결정 실리콘 잉곳의 직접 응결을 위한 도가니 및 방법 无效
标题翻译：半导体级结晶硅晶体直接固化的方法与研究
公开(公告)号：KR1020090023498A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：KR1020097001127
申请日：2007-06-22
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 줄스루드,슈테인 , 나아스,타이케,로렌스
IPC分类号： C30B11/00 , F27B14/10
CPC分类号： C30B11/002 , C30B29/06
摘要： This invention relates to a method for direct solidification of semiconductor grade multi-crystalline silicon ingots allowing improved control with the solidification process and reduced levels of oxygen and carbon impurities in the ingot, by crystallizing the semiconductor grade silicon ingot, optionally also including the melting of the feed silicon material, in a crucible made of silicon nitride, or in a crucible made of a composite of silicon carbide and silicon nitride, and where the wall thickness of the bottom of the crucible is dimensioned such that the thermal resistance across the bottom is reduced to a level of at least the same order as thermal resistance across the support below carrying the crucible or lower. The invention also relates to crucibles which are made of silicon nitride, or of a composite of silicon carbide and silicon nitride, and where the wall thickness of the bottom of the crucible is dimensioned such that the thermal resistance across the bottom is reduced to a level of at least the same order as thermal resistance across the support below carrying the crucible or lower.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体级多晶硅锭的直接固化的方法，其允许通过使半导体级硅锭晶体化，从而改善对凝固过程的控制和降低锭中氧和碳杂质的含量，任选地还包括熔化进料硅材料，在由氮化硅制成的坩埚中，或在由碳化硅和氮化硅的复合材料制成的坩埚中，并且其中坩埚底部的壁厚的尺寸设定为使得底部的热阻为降低到与承载坩埚或下部的载体下方的耐热性至少相同的水平。本发明还涉及由氮化硅或碳化硅和氮化硅的复合材料制成的坩埚，并且其中坩埚底部的壁厚确定尺寸使得跨底部的热阻降低到一定水平至少与承载坩埚或下部的支撑体上的耐热性相同的次序。

3. 发明公开

KR1020080042773A 실리콘 웨이퍼 사이의 인력 감소 有权
标题翻译：减少硅波之间的吸引力
公开(公告)号：KR1020080042773A
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：KR1020077031035
申请日：2006-06-26
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 사우어,에릭 , 왕,페르아르네
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/301
CPC分类号： B28D5/0082
摘要： The present invention is related to a method for reducing attraction forces between wafers (4). This method is characterized in that it comprises the step of, after sawing and before dissolution of the adhesive (5), introducing spacers (6) between wafers (4). The invention comprises also a wafer singulation method and an agent for use in said methods.
摘要翻译：本发明涉及减少晶片（4）之间的吸引力的方法。该方法的特征在于，其包括在锯切之后并且在粘合剂（5）溶解之前，在晶片（4）之间引入间隔物（6）的步骤。本发明还包括晶片分离方法和用于所述方法的试剂。

4. 发明公开

KR1020070020296A 마모 와이어 절단 장치 및 방법 有权
标题翻译：磨砂线
公开(公告)号：KR1020070020296A
公开(公告)日：2007-02-20
申请号：KR1020067026462
申请日：2005-05-12
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 후킨,데이비드,아인스워쓰
IPC分类号： B23D57/00 , B28D5/04
CPC分类号： B23D57/0061 , B23D57/0023 , B28D5/045
摘要： Apparatus for forming a multiplicity of thin wafers from at least two similar blocks, the apparatus comprising a supply reel (1) to supply wire, an upper pair (3a, 3b) and a lower pair (3c, 3d) of parallel spaced roller guides and a collection reel (4); a wire from the supply reel passes around successive grooves along the roller guides from near the supply reel to near the collection reel, so to form a four sided continuous web of wires along the length of the roller guides. Part way along the roller guides, the wire is diverted around at least two pulley wheels (5a, 5b) removing the wire from the web after it has passed over a roller guide at a predetermined point, and reintroducing the wire into the web via a subsequent roller guide at a point laterally displaced from the point at which it left the web, so that there is a gap in the web of wire which divides the web into two separate sections, and no cutting action can occur in that gap. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：用于从至少两个相似的块形成多个薄晶片的装置，所述装置包括用于供应电线的供给卷轴（1），平行间隔的辊导轨的上对（3a，3b）和下对（3c，3d）和收集卷轴（4）; 来自供应卷轴的导线沿着滚子导轨从供应卷轴附近通过相邻的凹槽到收集卷轴附近，从而沿着滚子导轨的长度形成四条连续的线条。沿着滚子导轨的一部分方式，导线围绕至少两个滑轮（5a，5b）转向，该滑轮在预定点经过滚子导轨之后从网中移除线，并且经由随后的滚子引导件在从其离开网幅的点横向移位的点处，使得在网的网中存在间隙，其将网分成两个单独的部分，并且在该间隙中不会发生切割动作。 ®KIPO＆WIPO 2007

5. 发明授权

KR101243268B1 실리콘 웨이퍼 사이의 인력 감소 有权
标题翻译：减少硅波之间的吸引力
公开(公告)号：KR101243268B1
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：KR1020077031035
申请日：2006-06-26
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 사우어,에릭 , 왕,페르아르네
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/301
CPC分类号： B28D5/0082
摘要： 본원발명은 웨이퍼(4) 사이의 인력을 감소시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이러한 방법은 절단 이후 및 접착제(5)의 분리 이전에, 웨이퍼(4) 사이에 스페이서(6)를 삽입하는 단계를 포함한다. 본원발명은 또한 웨이퍼 싱귤레이션 방법 및 상기 방법에 사용하기 위한 감소제도 포함한다.
웨이퍼, 인력, 스페이서

6. 发明公开

KR1020090024802A 반도체용 실리콘의 제조 장치 및 방법 无效
标题翻译：用于生产半导体级硅的器件和方法
公开(公告)号：KR1020090024802A
公开(公告)日：2009-03-09
申请号：KR1020097001211
申请日：2007-06-20
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 줄스루드,스테인 , 나아스,타이케,로렌스
IPC分类号： C30B15/20 , H01L31/04 , C04B35/584 , C04B35/565
CPC分类号： C30B35/002 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , H01L21/67005 , H01L31/1804 , Y02P70/521 , Y10T117/1032 , Y10T117/1092
摘要： This invention relates to a device and method for production of ingots of semiconductor grade silicon, including solar grade silicon, where the presence of oxygen in the hot zone is substantially reduced or eliminated by employing materials void of oxides in the hot zone of the melting and crystallisation process. The method may be employed for any known process including for crystallising semiconductor grade silicon ingots, including solar grade silicon ingots, such as the Bridgman process, the block-casting process, and the CZ-process for growth of monoicrystalline silicon crystals. The invention also relates to devices for carrying out the melting and crystallisation processes, where the materials of the hot zone are void of oxides.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产半导体级硅的锭的装置和方法，包括太阳能级硅，其中通过在熔化的热区中使用无氧化物的材料，在热区中氧的存在被大大减少或消除，并且结晶过程。该方法可以用于任何已知的方法，包括用于结晶半导体级硅锭，包括太阳能级硅锭，例如Bridgman工艺，块铸造工艺和用于单晶硅晶体生长的CZ工艺。本发明还涉及用于进行熔化和结晶过程的装置，其中热区的材料不含氧化物。

7. 发明授权

KR101314729B1 마모 와이어 절단 장치 및 방법 有权
标题翻译：磨砂线
公开(公告)号：KR101314729B1
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020067026462
申请日：2005-05-12
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 후킨,데이비드,아인스워쓰
IPC分类号： B23D57/00 , B28D5/04
CPC分类号： B23D57/0061 , B23D57/0023 , B28D5/045
摘要： 두 개 이상의 유사한 블록으로부터 다수의 얇은 웨이퍼를 형성하기 위한 장치에 관한 것으로, 상기 장치는 와이어를 공급하기 위한 공급 릴(1), 평행하게 이격되는 롤러 가이드의 상부 쌍(3a, 3b) 및 하부 쌍(3c, 3d) 및 수집 릴(4)를 포함하며, 공급 릴로부터의 와이어는 공급 릴 근처로부터 수집 릴 근처로 롤러 가이드를 따라 연속 홈 주위를 통과하여, 롤러 가이드의 길이를 따라 와이어의 4측면의 연속 웨브를 형성한다. 롤러 가이드를 따른 부분에서, 와이어는 두 개 이상의 풀리 휠(5a, 5b) 주위로 전환하여 미리 결정된 지점에서 롤러 가이드를 통과한 후 웨브로부터 와이어를 재거하고, 웨브를 떠나는 지점으로부터 측방향으로 변위되는 지점에서 후속하는 롤러 가이드를 경유하여 웨브로 와이어를 재도입하여, 웨브를 두 개의 개별 섹션으로 분리하는 와이어의 웨브에 갭이 존재하도록 하여 상기 갭에서 절단 작용이 일어나지 않도록 한다.

8. 发明授权

KR101227563B1 반도체 재료로 방향성 고형화 블록을 제조하는 방법 및장치 有权
标题翻译：用于生产半导体材料的定向固化块的方法和装置
公开(公告)号：KR101227563B1
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：KR1020077020137
申请日：2006-02-03
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 휴고,프란츠
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： 본 발명은 반도체 재료로 된 방향성 고형화 블록을 제조하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 상기 장치는 용융물이 수용되는 도가니 및 상기 도가니를 적어도 최상부 및 측면으로부터 둘러싸는 절연체를 포함하고, 상기 절연체는 적어도 도가니의 위쪽으로 상기 도가니로부터 이격되어 있다. 상기 장치는 또한 상기 도가니 상부에 배치된 적어도 1개의 가열 장치를 포함한다. 도가니 상부에 놓인 절연체의 내부 영역은 중간 덮개에 의해 프로세스 챔버와 그 위에 놓인 가열 챔버로 나뉘며, 상기 가열 챔버 내에 적어도 1개의 발열체가 배치된다.

9. 发明公开

KR1020070102593A 반도체 재료로 방향성 고형화 블록을 제조하는 방법 및장치 有权
标题翻译：用于生产半导体材料的定向固化块的方法和装置
公开(公告)号：KR1020070102593A
公开(公告)日：2007-10-18
申请号：KR1020077020137
申请日：2006-02-03
申请人： 알이씨 웨이퍼 피티이. 엘티디.
发明人： 휴고,프란츠
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/324
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/00 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要： The invention relates to a method for producing oriented solidified blocks made of semi-conductor material, in addition to a device. Said device comprises a crucible, wherein melt is received, and has an insulation which surrounds the crucible at least from the top and from the side and which is arranged at a distance therefrom at least above the crucible, and at least one heating device which is arranged above said crucible. The region inside the insulation above the crucible is divided by an intermediate cover in a process chamber and a heating chamber is arranged there above, wherein at least one heating element is arranged.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产由半导体材料制成的取向固化块的方法，以及装置。所述装置包括坩埚，其中熔体被容纳，并且具有至少从顶部和从侧面围绕坩埚的绝缘体，并且至少在坩埚上方设置有一定距离的坩埚，以及至少一个加热装置，布置在坩埚上方。在坩埚上方的绝缘体内部的区域被处理室中的中间盖分隔，并且在上方布置有加热室，其中布置有至少一个加热元件。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式