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    • 3. 发明公开
    • 대구경 사파이어 분석용 에칭장치
    • 用于分析具有大直径的SAPPHIRE的装置
    • KR1020130022024A
    • 2013-03-06
    • KR1020110084664
    • 2011-08-24
    • 주식회사 케이엠에이치하이텍비아이신소재 주식회사
    • 박종인오응세이종찬
    • G01N1/32G01N21/87
    • PURPOSE: An etching device for analyzing a large-sized sapphire is provided to obtain the etching device for an EDP(Electronic Data Processing) measurement optimized for the sapphire and to etch a plurality of the large-sized sapphires at one time. CONSTITUTION: An etching device for analyzing a large-sized sapphire comprises a housing unit(1), an etching chamber(2), a temperature control unit(3), a heating unit, and a wafer cassette. The etching chamber accommodates etching solution, forms an internal space to dip the sapphire into the etching solution, and has an opening on the top surface. The temperature control unit is installed inside the housing unit, thereby being installed outside of the etching chamber. The wafer cassette includes a plurality of slots for loading a plurality of sapphire wafers and is inserted into the etching chamber.
    • 目的:提供用于分析大尺寸蓝宝石的蚀刻装置,以获得为蓝宝石优化的EDP(电子数据处理)测量的蚀刻装置,并一次蚀刻多个大尺寸蓝宝石。 构成:用于分析大尺寸蓝宝石的蚀刻装置包括壳体单元(1),蚀刻室(2),温度控制单元(3),加热单元和晶片盒。 蚀刻室容纳蚀刻溶液,形成内部空间以将蓝宝石浸入蚀刻溶液中,并且在顶表面上具有开口。 温度控制单元安装在壳体单元内,从而安装在蚀刻室的外部。 晶片盒包括用于加载多个蓝宝石晶片的多个槽,并插入到蚀刻室中。
    • 8. 发明公开
    • 단결정 성장장치 및 성장방법
    • 单晶生长系统和方法
    • KR1020140044544A
    • 2014-04-15
    • KR1020120110641
    • 2012-10-05
    • 비아이신소재 주식회사
    • 박종인이종찬김현수홍영곤
    • C30B11/00C30B29/30H01L33/00C30B35/00
    • C30B15/10C30B15/20H01L21/02598H01L21/67098
    • The purpose of the present invention is to quantitatively and actively control the temperature gradient in a crucible, to minimize residual stress in a direction parallel with respect to a longitudinal direction when a single crystal is grown by suppressing deformation through structural reinforcement of a chamber, to prevent the formation of cracks or rupture, and to increase the diameter of a single crystal. To achieve this, the present invention includes a crucible (30) which is installed in a chamber (10) to move up and down; a side heater (22) installed at the side part of the crucible (30); a lower heater (24) installed in the lower part of the crucible (30); a cooling rod (40) which penetrates the chamber (10) and the lower heater (24) to touch the crucible (30) and moves up and down; an operation unit (50) for operating the cooling rod (40); and an electric field device (7) for individually controlling heating conditions for the side heater (22) and the lower heater (24) and vertical movement conditions of the cooling rod (40).
    • 本发明的目的是定量和主动地控制坩埚中的温度梯度,以通过抑制通过室的结构加强的变形来生长单晶时在与纵向方向平行的方向上的残余应力最小化到 防止形成裂纹或破裂,并增加单晶的直径。 为了实现这一点,本发明包括安装在室(10)中以上下移动的坩埚(30); 安装在坩埚(30)的侧部的侧面加热器(22); 安装在坩埚(30)的下部的下部加热器(24); 穿过所述室(10)和所述下加热器(24)以接触所述坩埚(30)并上下移动的冷却杆(40); 操作单元(50),用于操作冷却杆(40); 以及用于单独控制侧加热器(22)和下加热器(24)的加热条件和冷却杆(40)的垂直运动状态的电场装置(7)。
    • 9. 发明授权
    • 대구경 사파이어 분석용 에칭장치
    • 用于分析具有大直径的SAPPHIRE的装置
    • KR101339888B1
    • 2013-12-10
    • KR1020110084664
    • 2011-08-24
    • 주식회사 케이엠에이치하이텍비아이신소재 주식회사
    • 박종인오응세이종찬
    • G01N1/32G01N21/87
    • 본 발명은 대구경 사파이어 분석용 에칭장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 대구경 사파이어 분석용 에칭장치는 대구경 사파이어 웨이퍼의 내부결함을 분석을 위한 대구경 사파이어 분석용 에칭장치에 있어서, 하우징과; 에칭액을 수용하고 상기 사파이어가 상기 에칭액에 담겨지도록 내부공간을 형성하며 상부에 개구부가 형성되어 상기 하우징에 마련되는 에칭챔버와; 상기 에칭챔버의 상기 개구부에 설치되어, 상기 에칭액의 온도를 센싱하는 온도센서와, 상기 에칭액에 직접 접촉하여 상기 에칭액을 직접 가열하며, 높이에 따른 상기 에칭액의 온도차가 발생하지 않도록 상기 에칭챔버 내에서 높이방향을 따라 연장되는 봉형상으로 마련되며, 상기 에칭챔버 내부에서 외부 방향으로 상기 에칭액을 직접 가열하는 봉형상의 히팅봉이 마련되는 온도제어부와; 상기 하우징의 내부에 설치되어 상기 에칭챔버의 외측면을 균일하게 감싸고, 상기 에칭챔버의 외측면에서부터 내부방향으로 열이 전달되도록 가열하는 가열부와; 다수의 사파이어 웨이퍼가 세워져 적재될 수 있도록 다수의 슬롯이 형성되며, 상기 챔버에 인입이 가능하도록 배치되는 웨이퍼 카세트를 포함하며, 상기 에칭액이 신속하게 가열되도록 상기 히팅봉과 상기 가열부는 동시에 작동하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 사파이어에 최적화된 EPD 측정용 에칭장치가 제공된다.
    • 10. 发明授权
    • 사파이어 잉곳 가공용 지그
    • 加工蓝宝石锭的夹具
    • KR101289660B1
    • 2013-07-25
    • KR1020110077593
    • 2011-08-04
    • 주식회사 케이엠에이치하이텍비아이신소재 주식회사
    • 박종인오응세이종찬
    • B28D5/00B28D7/04C30B29/20
    • 본 발명은 사파이어 잉곳 가공용 지그에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 사파이어 잉곳 가공용 지그는 사파이어 잉곳이 안착되는 안착부재가 마련된 마운팅부; 상기 마운팅부의 하부에 배치되어 상기 마운팅부를 지지하는 베이스부; 상기 마운팅부의 하면에 결합되고 이웃하는 두 개의 변의 측부에 관통공이 각각 형성된 틸팅플레이트, 상기 관통공에 삽입되어 상기 베이스부의 상기 관통공과 대응되는 위치에 체결되며 상기 틸팅플레이트가 기울어지도록 상기 틸팅플레이트를 상기 베이스부로부터 멀어지는 방향 또는 가까워지는 방향측으로 이동시키는 틸팅축, 상기 틸팅축의 외주면에 결합되어 상기 베이스부의 기울어진 상태가 유지되도록 상기 틸팅축을 고정하는 틸팅고정부재를 구비하는 틸팅부; 상기 베이스부와 상기 마운팅부 사이에 개재되며 단면이 원형인 고리형상으로 마련되어 기울어지는 마운팅부에 접하는 이격부재, 상기 틸팅플레이트에 상기 베이스부에 가까워지는 방향으로의 탄성력을 인가하는 탄성부재를 구비하는 이격부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
      이에 의하여 사파이어 잉곳의 c축이 기울어진 정도를 보정하여 가공할 수 있는 사파이어 잉곳 가공용 지그가 제공된다.