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1. 发明授权

KR101362362B1 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드 失效
标题翻译：用于制造SAPPHIRE INGOT的胆固醇含量
公开(公告)号：KR101362362B1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020120000212
申请日：2012-01-02
申请人： 주식회사 케이엠에이치하이텍 , 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 홍영곤 , 김현수 , 이종찬
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/20 , H01L33/00 , C30B11/00
摘要： 본 발명은 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드는 다수의 통공이 판면에 관통 형성되며, 사파이어 잉곳 성장로의 하부에 다층으로 중첩 배치되는 복수의 원형 단열 플레이트;와, 스페이서는 중앙에 관통홀이 형성되어 인접한 한 쌍의 원형 단열 플레이트의 통공 사이에 각각 개재되는 스페이서; 및, 상기 원형 단열 플레이트의 통공과 스페이서의 관통홀을 관통하여 복수의 원형 단열 플레이트를 고정하는 체결부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 사파이어 잉곳 성장로 내의 온도 분포의 형성에 영향을 주는 하부 실드의 형상 정밀도와 배치 정밀도의 확보를 용이하게 한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드가 제공된다.

2. 发明公开

KR1020130078995A 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 사이드 실드 失效
标题翻译：用于制造SAPPHIRE INGOT的硬质合金侧面
公开(公告)号：KR1020130078995A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020120000202
申请日：2012-01-02
申请人： 주식회사 케이엠에이치하이텍 , 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 홍영곤 , 김현수 , 이종찬
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/20 , C30B11/00
摘要： PURPOSE: A side sealed of a deposition chamber for a sapphire ingot manufacturing is provided to penetrate and couple a plurality of cylinder heated-insulating plate by using a coupling member, thereby firmly fixing the plurality of cylinder heated-insulating plate. CONSTITUTION: More than two cylinder heated-insulating plates (110) are overlapped to surround the side of a sapphire ingot deposition chamber with multiple layers. A spacer (120) is interposed between the cylinder heated-insulating plates. The spacer is comprised of a sinuous band-like plate. The spacer maintains the interval of the cylinder heated-insulating plate. A coupling member (130) penetrates and couples the cylinder heated-insulating plate.
摘要翻译：目的：提供用于蓝宝石铸锭制造的沉积室密封的侧面，通过使用联接构件穿过多个气缸加热绝热板，从而牢固地固定多个气缸加热绝热板。构成：将多于两个的圆柱体加热绝缘板（110）重叠以包围具有多层的蓝宝石铸锭沉积室的侧面。间隔件（120）插入在气缸加热绝热板之间。间隔件由弯曲的带状板组成。间隔件保持圆筒加热绝缘板的间隔。联接构件（130）穿过并联接气缸加热绝缘板。

3. 发明授权

KR101367762B1 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 사이드 실드 失效
标题翻译：用于制造SAPPHIRE INGOT的可溶性粘合剂
公开(公告)号：KR101367762B1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：KR1020120000202
申请日：2012-01-02
申请人： 주식회사 케이엠에이치하이텍 , 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 홍영곤 , 김현수 , 이종찬
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/20 , C30B11/00
摘要： 본 발명은 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 사이드 실드에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 사이드 실드는 사파이어 잉곳 성장로의 측면을 다층으로 감싸도록 중첩 배치되는 두 개 이상의 원통형 단열플레이트;와, 상기 원통형 단열 플레이트의 사이에 개재되어 원통형 단열플레이트의 사이간격을 유지하는 스페이서; 및, 상기 두 개 이상의 원통형 단열플레이트를 관통 체결하는 체결부재;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 사파이어 잉곳 성장로 내의 온도 분포의 형성에 영향을 주는 사이드 실드의 형상 정밀도와 배치 정밀도의 확보를 용이하게 한 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 사이드 실드가 제공된다.

4. 发明授权

KR101311749B1 사파이어 잉곳의 플랫 가공방법 失效
标题翻译：用于处理SAPPHIRE INGOT的平面方向的方法
公开(公告)号：KR101311749B1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：KR1020120028777
申请日：2012-03-21
申请人： 비아이신소재 주식회사 , 주식회사 케이엠에이치하이텍
发明人： 박종인 , 오응세 , 김현수 , 이종찬
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： B28D5/0058 , H01L21/67259 , H01L21/78
摘要： PURPOSE: A method for processing the flat of a sapphire ingot is provided to improve the efficiency of process management by maintaining the direction of the R-axis of a sapphire ingot. CONSTITUTION: The outer surface of a C-axis sapphire ingot is irradiated with an X ray (S20). The sapphire ingot is rotated based on a C-axis (S30). The high peak position of the X ray is detected. An R-axis direction of the sapphire ingot is detected (S40). A flat surface on an A-plane is processed (S80). [Reference numerals] (S10) X ray detector position adjusting stage; (S20) X ray irradiating stage; (S30) Sapphire ingot rotating stage; (S40) R-axis detecting stage; (S50) R-axis displaying stage; (S60) A-axis detecting stage; (S70) A-axis displaying stage; (S80) Flat surface processing stage
摘要翻译：目的：提供一种用于处理蓝宝石块的平板的方法，以通过保持蓝宝石锭的R轴的方向来提高工艺管理的效率。构成：用X射线照射C轴蓝宝石锭的外表面（S20）。蓝宝石锭基于C轴旋转（S30）。检测X射线的高峰位置。检测蓝宝石锭的R轴方向（S40）。处理A平面上的平坦表面（S80）。（附图标记）（S10）X射线检测器位置调整级; （S20）X射线照射阶段; （S30）蓝宝石锭转台; （S40）R轴检测级; （S50）R轴显示阶段; （S60）A轴检测级; （S70）A轴显示阶段; （S80）平面处理阶段

5. 发明公开

KR1020130078998A 사파이어 잉곳 제조용 성장로의 하부 실드 失效
标题翻译：用于制造SAPPHIRE INGOT的胆固醇含量
公开(公告)号：KR1020130078998A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020120000212
申请日：2012-01-02
申请人： 주식회사 케이엠에이치하이텍 , 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 홍영곤 , 김현수 , 이종찬
IPC分类号： C30B35/00 , C30B29/20 , H01L33/00 , C30B11/00
CPC分类号： C30B35/00 , C30B15/20 , C30B29/20 , H01L33/02
摘要： PURPOSE: A lower shield of a crucible for growing a sapphire ingot is provided to stably maintain the gap between circular heat insulation plates by arranging spacers between the circular heat insulation plates. CONSTITUTION: A circular heat insulation plate (110) has through holes (111). The circular heat insulation plate is overlapped with the lower part of a crucible for growing a sapphire ingot. A spacer (120) is formed between the through holes of the circular heat insulation plate. A connection member (130) passes through the through hole of the circular heat insulation plate and the through hole of the spacer. The connection member fixes the circular heat insulation plate.
摘要翻译：目的：提供用于生长蓝宝石锭的坩埚的下屏蔽件，以通过在圆形绝热板之间布置间隔件来稳定地保持圆形绝热板之间的间隙。构成：圆形绝热板（110）具有通孔（111）。圆形隔热板与用于生长蓝宝石锭的坩埚的下部重叠。在圆形绝热板的通孔之间形成间隔物（120）。连接构件（130）穿过圆形绝热板的通孔和间隔件的通孔。连接构件固定圆形隔热板。

6. 发明公开

KR1020140044544A 단결정 성장장치 및 성장방법 无效
标题翻译：单晶生长系统和方法
公开(公告)号：KR1020140044544A
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020120110641
申请日：2012-10-05
申请人： 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 이종찬 , 김현수 , 홍영곤
IPC分类号： C30B11/00 , C30B29/30 , H01L33/00 , C30B35/00
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20 , H01L21/02598 , H01L21/67098
摘要： The purpose of the present invention is to quantitatively and actively control the temperature gradient in a crucible, to minimize residual stress in a direction parallel with respect to a longitudinal direction when a single crystal is grown by suppressing deformation through structural reinforcement of a chamber, to prevent the formation of cracks or rupture, and to increase the diameter of a single crystal. To achieve this, the present invention includes a crucible (30) which is installed in a chamber (10) to move up and down; a side heater (22) installed at the side part of the crucible (30); a lower heater (24) installed in the lower part of the crucible (30); a cooling rod (40) which penetrates the chamber (10) and the lower heater (24) to touch the crucible (30) and moves up and down; an operation unit (50) for operating the cooling rod (40); and an electric field device (7) for individually controlling heating conditions for the side heater (22) and the lower heater (24) and vertical movement conditions of the cooling rod (40).
摘要翻译：本发明的目的是定量和主动地控制坩埚中的温度梯度，以通过抑制通过室的结构加强的变形来生长单晶时在与纵向方向平行的方向上的残余应力最小化到防止形成裂纹或破裂，并增加单晶的直径。为了实现这一点，本发明包括安装在室（10）中以上下移动的坩埚（30）; 安装在坩埚（30）的侧部的侧面加热器（22）; 安装在坩埚（30）的下部的下部加热器（24）; 穿过所述室（10）和所述下加热器（24）以接触所述坩埚（30）并上下移动的冷却杆（40）; 操作单元（50），用于操作冷却杆（40）; 以及用于单独控制侧加热器（22）和下加热器（24）的加热条件和冷却杆（40）的垂直运动状态的电场装置（7）。

7. 发明授权

KR101434478B1 장대형 사파이어 단결정 성장방법 및 이를 위한 성장장치 有权
标题翻译：长型鲷鱼单晶生长方法及其生长装置
公开(公告)号：KR101434478B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130019059
申请日：2013-02-22
申请人： 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 이종찬 , 김현수 , 배주환
IPC分类号： C30B11/04 , C30B29/20
摘要： 본 발명은 장대형 사파이어 단결정 성장장법 및 이를 위한 성장장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 장대형 사파이어 단결정 성장장법은, 도가니 바닥면에 씨드결정을 설치하고, 상기 도가니 내부에 사파이어 원료를 담고, 상기 도가니 외측에 설치된 히터를 이용하여 상기 사파이어 원료를 완전용융되도록 하되, 상기 씨드결정 전체가 용융되지 않도록 도가니 저면에 결합된 냉각봉을 통해 일정 유량의 냉각 유체를 공급하는 용융단계; 상기 냉각 유체의 유량은 단위 시간당 제1증분씩 증가되도록 하고, 상기 도가니 외측벽의 온도하강속도가 제1온도하강속도를 가지도록 상기 히터를 제어하여, 상기 용융단계에서 용융되지 않은 씨드의 최상단까지 사파이어 단결정을 성장시키는 제1성장단계; 상기 냉각 유체의 유량은 단위 시간당 제2증분씩 증가되도록 하고, 상기 도가니 외측벽의 온도하강속도가 상기 제1온도하강속도보다 작은 제2온도하강속도를 가지도록 상기 히터를 제어하여, 상기 사파이어 단결정을 제1길이로 성장시키는 제2성장단계; 및, 상기 냉각 유체의 유량은 단위 시간당 제2증분씩 증가되도록 하고, 상기 도가니 외측벽의 온도하강속도가 상기 제2온도하강속도보다 작은 제3온도하강속도를 가지도록 상기 히터를 제어하여, 상기 사파이어 단결정을 제2길이로 성장시키는 제3성장단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 사파이어 단결정이 c축 방향으로 성장시 그 성장속도가 2.0 mm/hr 이하로 유지되도록 고액계면의 온도구배를 제어하여 최대 300mm 길이의 장대형 사파이어 단결정 성장방법 및 이를 위한 성장장치가 제공된다.

8. 发明公开

KR1020140105166A 장대형 사파이어 단결정 성장방법 및 이를 위한 성장장치 有权
标题翻译：长型鲷鱼单晶生长方法及其生长装置
公开(公告)号：KR1020140105166A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020130019059
申请日：2013-02-22
申请人： 비아이신소재 주식회사
发明人： 박종인 , 이종찬 , 김현수 , 배주환
IPC分类号： C30B11/04 , C30B29/20
摘要： The present invention relates to a method for growing a rod type single crystal sapphire and to an apparatus for growing the same. The present invention is to provide a method for growing a rod type single crystal sapphire which exceeds 300 mm by controlling the temperature gradient of the solid-liquid interface, and an apparatus for growing the same. The method for growing the rod type single crystal sapphire comprises: a melting step of supplying a cooling fluid through a cooling rod which is coupled to the bottom of a crucible; a first growth step of growing a single crystal sapphire to the top of a seed which did not melt in the melting step; a second growth step of growing the single crystal sapphire to a first length; and a third growth step of growing the single crystal sapphire to a second length.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生长棒状单晶蓝宝石的方法及其生长装置。本发明提供一种通过控制固液界面的温度梯度来生长超过300mm的棒状单晶蓝宝石的方法及其生长装置。用于生长棒状单晶蓝宝石的方法包括：熔融步骤，通过耦合到坩埚底部的冷却棒供应冷却流体; 将单晶蓝宝石生长至在熔融步骤中未熔融的种子顶部的第一生长步骤; 将单晶蓝宝石生长至第一长度的第二生长步骤; 以及将单晶蓝宝石生长至第二长度的第三生长步骤。

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