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81. 发明公开

KR20180001493A 아크 플라스마 증착을 위해 개선된 캐소딕 아크 소스 审中-公开
标题翻译：用于电弧等离子体沉积的增强型阴极电弧源
公开(公告)号：KR20180001493A
公开(公告)日：2018-01-04
申请号：KR20170080015
申请日：2017-06-23
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/06 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/0611 , C23C14/243 , C23C14/542
摘要： 개선된캐소드아크소스및 캐소드직경과거의동일한공통의깊이를갖는실리더형그라파이트의캐비티내부에서생성된방향성 - 제트플라즈마유동을갖는디엘씨필름증착방법에관한것으로, 생성된탄소플라즈마는오리피스를통해주위진공으로팽창하여플라즈마유동이강하게자기??수축되게한다. 상기방법은 2개의단계를포함하는반복공정을나타낸다: 상기단계는회복단계와교대하는상기플라즈마생성/증착단계를포함한다. 이단계는오리피스방향으로캐비티내부의캐소드로드의움직임에의해캐비티벽에축적된과도한양의탄소를주기적으로제거한다. 캐소드로드는오리피스상부로돌출되어초기캐소드팁 위치로다시이동한다. 상기단계들은목표두께를갖는필름이증착될때까지주기적으로재생될수 있다. 기술적인효과로서, 필름경도, 밀도및 투명성개선, 높은재현성, 긴작동시간및 미립자감소등이있다.
摘要翻译：一种改进的阴极电弧源以及在圆柱形石墨腔内部产生的含有定向喷射等离子体流的碳的DLC薄膜沉积方法，腔的深度大约等于阴极直径。产生的碳等离子体通过孔口扩展到环境真空中，导致等离子体流强烈自收缩。该方法表示包括两个步骤的重复过程：上述等离子体产生/沉积步骤与恢复步骤交替。该步骤通过空腔内的阴极棒在孔口方向上的运动提供周期性去除积聚在空腔壁上的过量的碳。阴极棒在孔口上方突出，并移回初始阴极尖端位置。周期性地重复所述步骤直到具有目标厚度的膜被沉积。技术优势包括膜硬度，密度和透明度的提高，高重复性，长时间操作和微粒减少。

82. 发明公开

KR1020170127405A 창문막과 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：窗膜及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170127405A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020177018301
申请日：2014-12-24
申请人： 장지아강 캉더 신 옵트로닉스 머티리얼 컴퍼니 리미티드
发明人： 장,유천 , 쑤,밍홍
IPC分类号： C23C14/20 , C23C14/18 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/352 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B2311/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/205 , C23C14/3457 , C23C14/542
摘要： 유연성투명기재, 상기유연성투명기재표면에배치되는제1 금속타겟기재막, 상기제1 금속타겟기재막 표면에배치되는제1 고굴절율화합물막, 상기제1 고굴절율화합물막 표면에배치되는제1 금속산화물막, 상기제1 금속산화물막 표면에배치되는제1 은함유금속막, 상기제1 은함유금속막 표면에배치되는제2 금속타겟기재막, 상기제2 금속타겟기재막 표면에배치되는제2 고굴절율화합물막을포함하는창문막을제공한다. 이창문막은양호한부착성을가지며쉽게떨어지지않는다. 이외, 이창문막은항산화성이양호하여쉽게산화되지않는다. 또한이 창문막은우수한광학효과와열선차폐효과를나타낸다.
摘要翻译：柔性透明基底，其中，所述柔性透明基底，设置在所述基材膜的表面上的第一金属靶，其中，所述权利要求被布置在所述第一高折射率化合物膜，其中所述第一高折射率化合物薄膜表面设置在所述第一金属靶基膜表面1上金属氧化物膜，其被设置在所述第一含银金属膜，所述第一基底设置在含有膜，所述基底和设置在第一金属氧化物膜表面上的第二金属膜的目标表面上的金属膜表面上的第二金属靶和第二个高折射率复合膜。该窗膜具有良好的附着力，不易脱落。另外，该窗膜具有良好的抗氧化性，不易氧化。该窗膜还表现出优异的光学效果和隔热效果。

83. 发明公开

KR1020170114194A 기상 증착 장치 有权
标题翻译：蒸镀装置
公开(公告)号：KR1020170114194A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：KR1020160041777
申请日：2016-04-05
申请人： 주식회사 화진
发明人： 조만호
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/22
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/225 , C23C14/243 , C23C14/505 , C23C14/542
摘要： 본발명은기상증착장치에관한것으로서, 증착가공의대상인피도물의표면에증착물질을증착시키기위한장치로서, 상기증착물질을물리적으로기화시키는기화장치; 상기피도물을상기증착물질로부터미리정한간격만큼이격시킨상태로고정하는고정장치;를포함하며, 상기증착물질로부터상기피도물의표면위의임의의지점을직선으로연결하는가상의선상에는, 상기피도물의표면에증착되는상기증착물질의두께를조절하기위한차폐물이존재하지않으며, 상기증착물질로부터상기피도물의표면위의임의의지점에이르는거리에비례하여상기증착물질이상기피도물의표면에증착되는두께가얇아지는것을특징으로한다. 본발명에따르면, 별도의차폐물이필요하지않아증착작업이단순하고신속해지며, 장치의제조비용이절감되며, 피도물과증착물질사이의거리및 증착물질의질량을조절하여증착두께를용이하게조절할수 있는효과가있다.
摘要翻译： 1.一种蒸发材料沉积在待蒸发物体表面上的设备，所述蒸发设备包括：用于物理蒸发所述蒸发材料的蒸发器; 以及固定装置，其将物体与沉积材料相距预定距离地固定到沉积材料上，其中在物体的表面上提供连接物体表面上的任意点与沉积材料的线，没有用于调节要沉积的沉积材料的厚度的屏蔽，并且沉积材料相材料的表面上的沉积材料的厚度与从沉积材料到对象表面上的任意点的距离成比例地减小和被表征。根据本发明，变得不需要一个单独的屏蔽沉积操作简单快捷，该装置的制造成本被降低，通过调整距离和pidomul之间沉积的材料的质量和沉积的材料很容易地控制沉积厚度有一个可以完成的效果。

84. 发明公开

KR1020170095362A 이동 가능한 스퍼터 조립체 및 프로세스 가스 파라미터들에 대한 제어를 이용하여 기판을 코팅하기 위한 장치 및 방법 审中-实审
标题翻译：使用可移动溅射组件涂覆衬底并控制工艺气体参数的设备和方法
公开(公告)号：KR1020170095362A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020177019750
申请日：2014-12-16
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 세버린,다니엘 , 벤더,마르쿠스 , 하니카,마르쿠스 , 린덴베르크,랄프
IPC分类号： C23C14/00 , C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/35 , C23C14/56 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/562 , C23C14/0063 , C23C14/3492 , C23C14/352 , C23C14/54 , C23C14/542 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/347
摘要： 실시예들에따르면, 기판을코팅하기위한장치및 방법이제공된다. 장치는진공프로세스챔버를포함한다. 진공프로세스챔버는가스유입구조립체및 스퍼터조립체를포함한다. 가스유입구조립체는, 하나또는그 초과의프로세스가스소스들에연결하기위해적어도하나의커넥터를포함한다. 스퍼터조립체는스퍼터소스를포함한다. 스퍼터조립체는, 진공프로세스챔버에서이동가능하다. 장치는제어기를더 포함한다. 제어기는, 진공프로세스챔버에서스퍼터소스의현재포지션에따라, 가스유입구조립체를통해진공프로세스챔버내에도입되는프로세스가스의유동, 가스유입구조립체를통해진공프로세스챔버내로도입되는프로세스가스의조성, 및가스유입구조립체를통해진공프로세스챔버내로도입되는프로세스가스의분배중 적어도하나를제어하도록구성된다. 제어기는부가적으로또는대안적으로, 진공프로세스챔버밖으로펌핑되는가스유동을제어하도록구성될수 있다.
摘要翻译：根据实施例，提供了一种用于涂覆衬底的装置和方法。该设备包括真空处理室。真空处理室包括气体入口组件和溅射组件。气体入口组件包括用于连接到一个或多个处理气体源的至少一个连接器。溅射组件包括溅射源。溅射组件可在真空处理室中移动。该设备还包括控制器。控制器，将基于通过气体入口组件经由流体，导入真空处理室进入真空处理室中的处理气体的气体入口组件，和一个气体入口，在真空处理室中的溅射源的当前位置导入的工艺气体的组合物并通过组件将引入真空处理室的处理气体分配。控制器可以附加地或可选地构造成控制从真空处理室抽出的气流。

85. 发明公开

KR1020160142287A 카운터웨이트를 이용하는 스퍼터링 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：溅射系统和使用反射镜的方法
公开(公告)号：KR1020160142287A
公开(公告)日：2016-12-12
申请号：KR1020167025335
申请日：2015-02-19
申请人： 인테벡, 인코포레이티드
发明人： 샤,비네이 , 리포산,알렉산드루 , 블럭,테리
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/54 , H01J37/34 , H01J37/32
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/352 , C23C14/542 , C23C14/562 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/345 , H01J37/3455 , H01J37/347 , H01J37/32733 , H01J37/32779 , H01J37/3435
摘要： 본발명은, 처리챔버; 길이 L을구비하고전면에제공되는스퍼터링물질을구비하는스퍼터링타겟; 상기타겟의후면에인접하게길이 L에가로질로서상호적으로스캔하도록동작하는자석; 및상기자석과같은속도이지만반대방향으로상호적으로스캔하도록동작하는카운터웨이트를포함하는타겟으로부터의물질을기판상으로증착시키는시스템을제공한다.
摘要翻译：一种用于将材料从靶材沉积到基材上的系统，包括处理室; 具有长度L并在其前表面上设置有溅射材料的溅射靶; 一个磁铁可操作以在紧邻目标的后表面的整个长度L上往复扫描; 以及配重可操作以在与磁体相同的速度但相反的方向上往复扫描。

86. 发明公开

KR1020160141830A 재료를 기판 표면 상에 스퍼터링하기 위한 스퍼터링 배열체 审中-实审
标题翻译：用于在基材表面上溅射材料的溅射装置
公开(公告)号：KR1020160141830A
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020167030882
申请日：2014-04-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 디이터,토르슈텐
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/56 , C23C14/54 , H01J37/32 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/225 , C23C14/562 , H01J37/32568 , H01J37/347 , C23C14/3407 , C23C14/50
摘要： 재료를기판표면상에스퍼터링하기위한스퍼터링배열체가제공된다. 스퍼터링배열체는, 제 1 단부부분및 제 2 단부부분을갖는적어도하나의스퍼터링캐소드 - 스퍼터링캐소드는제 1 축을따라서연장됨 -, 기판을지지하도록구성되고적어도하나의스퍼터링캐소드에대향하여(opposite) 배열된적어도하나의기판지지부 - 기판지지부는제 2 축을따라서연장되고, 제 2 축은제 1 축과함께제 1 각도를형성함 -, 및적어도하나의스퍼터링캐소드, 특히, 제 1 단부부분및/또는제 2 단부부분에연결가능한적어도하나의액츄에이션(actuation) 디바이스를포함한다. 적어도하나의액츄에이션디바이스는, 특히스퍼터링프로세스동안, 제 1 각도를변경하도록구성된다.
摘要翻译：提供了用于在衬底表面上溅射材料的溅射装置。溅射装置包括至少一个具有第一端部和第二端部的溅射阴极，其中溅射阴极沿着第一轴线延伸，至少一个衬底支撑件构造成支撑衬底并且布置成与至少一个溅射阴极相对，其中所述衬底支撑件沿着第二轴线延伸，并且其中所述第二轴线与所述第一轴线形成第一角度;以及至少一个致动装置，其可连接到所述至少一个溅射阴极，特别是与所述第一端部部分和/ 端部。所述至少一个致动装置被配置为改变第一角度，特别是在溅射过程期间。

87. 发明授权

KR101644467B1 진공증착시의 증기의 유동제어방법과 장치 有权
标题翻译：用于控制真空蒸发中的蒸汽流的方法和装置
公开(公告)号：KR101644467B1
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：KR1020107013853
申请日：2008-12-22
申请人： 어드밴스드 갈바나이제이션 아게
发明人： 반덴브란트피에르
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/14 , C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/325 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/32 , C23C14/542 , C23C14/562
摘要： 본발명은처리영역(6)을통하여이동방향으로이동중인기재(25)를코팅하기위한방법과장치에관한것으로, 코팅물질의증기가억류통체(5)내에서생성되고, 이증기가코팅물질이기재(25)의표면에응축되는처리영역(6)을향하여처리개방부를통과한다. 처리개방부를통한증기의유동은상기증기가처리개방부를통하여처리영역(6)으로향하는개방위치와, 증기가처리개방부를통하여처리개방부(6)를향하여유동하는것이방지되는폐쇄위치사이로적어도하나의밀폐요소(13)에의하여처리개방부가차단되는정도를조절함으로서제어된다.
摘要翻译：一种用于涂覆运行基板的方法和装置，其沿运行方向移动通过处理区，其中在室中产生涂料的蒸气，该蒸汽经过处理孔朝向处理区域，涂覆材料在基板的表面上凝结。通过处理孔的蒸汽流通过调节处理孔被至少一个活门关闭的程度来控制，该打开位置在蒸汽通过处理孔朝向治疗区流动的打开位置和闭合位置之间，其中防止蒸汽通过处理孔流向处理区。

88. 发明授权

KR101644475B1 플라즈마증발에 의한 아연도금방법과 시스템 有权
标题翻译：通过等离子体蒸发进行加压的方法和系统
公开(公告)号：KR101644475B1
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：KR1020107012128
申请日：2008-11-07
申请人： 어드밴스드 갈바나이제이션 아게
发明人： 반덴브란트피에르
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/02 , C23C14/54 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/16 , C23C2/003 , C23C2/36 , C23C14/28 , C23C14/32 , C23C14/54 , C23C14/542 , C23C14/562 , H01J37/321 , H01J37/32513 , H01J37/32743 , H01J37/32788 , H01J37/32889 , H01J2237/327 , H01J2237/332 , H01J2237/334
摘要： 본발명은하나이상의강철제품으로구성되는연속한기재의플라즈마처리를위한방법과플랜트에관한것으로, 기재가적어도하나의플라즈마처리영역을통하여차례로이송되는것에있어서, 처리영역에서플라즈마를발생하기위한전력이기재가이러한처리영역을통하여이동할때 이처리영역내에존재하는기재의면적에따라변화됨을특징으로한다.

89. 发明公开

KR1020150114144A 실리콘 상에 Au 방울의 성장 제어방법 및이를 이용한 Au 증착방법 有权
标题翻译：所有浸渍剂的生长控制方法和使用其沉积的方法
公开(公告)号：KR1020150114144A
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020140038233
申请日：2014-03-31
申请人： 광운대학교 산학협력단
发明人： 이지훈 , 김은수 , 이명옥 , 모수
IPC分类号： C23C14/00
CPC分类号： C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C14/542
摘要： 본발명의일 측면에따르면, Si 기판상에펄스레이즈증착법에의해 1 ×10Torr의진공챔버하에서 Au 방울을자발-형성방법으로증착하는 Au 증착방법에있어서, 상기증착된 Au 의나노구조물에대한평균높이, 측면직경, 밀도표면적비중 어느하나이상의특성을증착과정의열처리온도또는 Au 증착량중 적어도하나에의하여조절하는것을특징으로하는실리콘기판상에 Au 방울의성장제어방법이제공된다.
摘要翻译：根据本发明的一个方面，提供了一种在硅衬底上的Au液滴的生长控制方法，其中在Au沉积方法中，通过自组装方法在Si衬底的顶部上沉积Au微滴，使用脉冲激光沉积法的1×10-4乇，平均高度，侧面直径和沉积的Au纳米结构的密度的表面积比之间的一个或多个性质通过以下两者之一或两者来调节：在沉积过程中的热处理和Au的沉积量。

90. 发明公开

KR1020150103710A 투명 도전성 필름의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：透明导电薄膜的生产方法
公开(公告)号：KR1020150103710A
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：KR1020157020650
申请日：2014-01-15
申请人： 닛토덴코 가부시키가이샤
发明人： 사사가즈아키 , 야마모토유스케 , 마치나가히로노부
IPC分类号： H01B5/14 , B32B15/08 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/58
CPC分类号： C23C14/354 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3407 , C23C14/542 , C23C14/58 , C23C14/5806 , H01J37/3277 , H01J37/3402 , H01J37/3429 , H01J37/3444 , H01J37/3464 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要： 본 발명의 투명 도전성 필름의 제조 방법은, 유기 고분자 필름 기재의 적어도 일방의 면에, 롤-투-롤 장치에 의해, {4 가 금속 원소의 산화물/(4 가 금속 원소의 산화물 + 산화인듐)} × 100 (％) 으로 나타내는 4 가 금속 원소의 산화물의 비율이 7 ∼ 15 중량％ 인 인듐계 복합 산화물의 타깃을 사용하여, 당해 타깃 표면에서의 수평 자기장이 85 ∼ 200 mT 인 고자기장에서, 불활성 가스의 존재하에, RF 중첩 DC 스퍼터 성막법에 의해, 투명 도전막을 형성하는 공정 (A) 을 갖고, 또한 상기 투명 도전막은, 상기 인듐계 복합 산화물의 결정질막이고, 상기 투명 도전막은, 막두께가 10 ㎚ ∼ 40 ㎚ 의 범위이고, 상기 투명 도전막은, 비저항값이 1.3 × 10
-4 ∼ 2.8 × 10
-4 Ω·㎝ 이다. 본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 투명 도전성은, 낮은 비저항값 및 표면 저항값을 갖고, 또한 박막의 결정질막으로 이루어지는 투명 도전막을 갖는다.

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