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71. 发明公开

KR1020170120194A 리소그래피 머신들의 클러스터를 위한 네트워크 아키텍처 및 프로토콜 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170120194A
公开(公告)日：2017-10-30
申请号：KR1020177029925
申请日：2012-04-23
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 반커빈크,마르셀니콜라스제이콥스 , 데보어,가이도
IPC分类号： G03F7/20 , G06F9/48 , H01J37/317 , G05B19/418 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： G06F9/48 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70483 , G03F7/70508 , G03F7/70525 , G03F7/70991 , G05B19/41865 , G06F9/4881 , H01J37/3177
摘要： 클러스터링된기판프로세싱시스템은하나또는그 초과의리소그래피엘리먼트들을포함하고, 각각의리소그래피엘리먼트는패턴데이터에따른기판들의독립적인노출을위해배열된다. 각각의리소그래피엘리먼트는복수의리소그래피서브시스템들을포함하고, 제어네트워크는상기리소그래피서브시스템들과적어도하나의엘리먼트제어유닛사이의제어정보의통신을위해배열되고, 상기엘리먼트제어유닛은명령들을상기리소그래피서브시스템들에전송하도록배열되고, 그리고상기리소그래피서브시스템들은응답들을상기엘리먼트제어유닛에전송하도록배열된다. 각각의리소그래피엘리먼트는또한, 오퍼레이터또는호스트시스템에인터페이스하기위해클러스터프론트-엔드를포함하고, 상기프론트-엔드는하나또는그 초과의웨이퍼들의노출을위해상기하나또는그 초과의리소그래피서브시스템들의동작을제어하기위해상기적어도하나의엘리먼트제어유닛에제어정보를발행하기위해배열된다. 상기프론트-엔드는상기엘리먼트제어유닛에프로세스프로그램을발행하기위해배열되고, 상기프로세스프로그램은미리규정된명령들및 연관된파라미터들의세트를포함하고, 각각의명령은, 상기리소그래피서브시스템들중 하나또는그 초과에의해수행될미리규정된동작또는동작들의시퀀스에대응하고, 그리고상기파라미터들은상기동작또는동작들의시퀀스가수행될방법을추가로규정한다.

72. 发明授权

KR101785238B1 하전 입자 빔 리소그래피 시스템 및 타겟 위치 결정 장치 有权
标题翻译：带电粒子束光刻系统和目标定位装置
公开(公告)号：KR101785238B1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020167034638
申请日：2009-08-18
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 페이지스터제리 , 데보어귀도
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/26 , H01J37/317 , B82Y10/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/20 , H01J37/26 , H01J2237/026 , H01J2237/202 , H01J2237/304
摘要： 본발명은, 하전입자빔을타겟상에투영하도록진공챔버내에배치되고, 하전입자빔을편향방향으로편향시키는편향수단을구비하는하전입자광학컬럼과, 타겟을지지하기위한캐리어와이 캐리어를지지하고캐리어를제1 방향을따라이동시키기위한스테이지를구비하는타겟위치결정장치를포함하고, 제1 방향은편향방향과상이하며, 타겟위치결정장치는스테이지를하전입자광학컬럼에대해제1 방향으로이동시키기위한제1 액츄에이터를포함하고, 상기캐리어는스테이지상에변위가능하게배치되며, 타겟위치결정장치는캐리어를제1 상대위치에서스테이지에대해유지하기위한유지수단을포함하는하전입자빔 리소그래피시스템에관한것이다.
摘要翻译：本发明，并且被设置在真空室中，将被投影带电粒子束投射到目标，并且具有偏转的带电粒子光学柱装置，用于在偏转方向偏转带电粒子束，并支持载体和该载体用于支撑目标并且目标定位装置具有用于沿第一方向移动载体的平台，第一方向与偏转方向不同，并且目标定位装置使平台相对于带电粒子光学柱在第一方向上移动其中载体可移动地设置在载物台上并且目标定位装置包括用于在第一相对位置处将载体相对于载物台保持的保持装置，它涉及。

73. 发明公开

KR1020170108835A 이온주입장치 및 측정장치 审中-实审
标题翻译：离子注入和测量设备
公开(公告)号：KR1020170108835A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020170028853
申请日：2017-03-07
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 이시바시가즈히사
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304 , G01N21/17
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J2237/24405 , H01J2237/24528
摘要： 이온빔의각도무게중심을정확하게측정하기위한기술을제공한다. 각도측정장치(48)는, 이온빔이입사하는슬릿(62)으로서, 슬릿폭방향이웨이퍼를향하는이온빔의빔 진행방향과직교하는방향인슬릿(62)과, 슬릿(62)으로부터빔 진행방향으로떨어진위치에마련되며, 각각이슬릿(62)을통과한이온빔에대하여노출되는영역인빔 측정면(65a~65g)을갖는복수의전극체(64a~64g)를구비한다. 복수의전극체(64a~64g)는, 각전극체의빔 측정면이슬릿폭방향으로순서대로나열되며, 슬릿폭방향으로인접하는빔 측정면이빔 진행방향으로어긋나도록배치된다.
摘要翻译：并提供了一种精确测量离子束重心角度的技术。角度测量装置48，与用于离子束的狭缝62入射，和一个垂直于狭缝62中，光束行进的离子束方向的狭缝宽度的方向的方向被引导朝向所述晶片，光束从狭缝行进方向（62）并且多个电极体64a至64g分别具有作为暴露于穿过狭缝62的离子束的区域的束测量表面65a至65g。多个，则在光束测量表面列电极体（64A〜64克）的是电极体的狭缝宽度方向上顺序，侧梁，其邻近于在测量彼此狭缝宽度方向被设置成在所述光束行进方向偏离。

74. 发明授权

KR101781644B1 이온빔 스캔처리장치 및 이온빔 스캔처리방법 有权
标题翻译：离子束扫描处理装置和离子束扫描处理方法
公开(公告)号：KR101781644B1
公开(公告)日：2017-09-25
申请号：KR1020110054371
申请日：2011-06-07
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로 , 유미야마도시오 , 기무라야스히코 , 구도데츠야 , 오치아키히로
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/244
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/304 , H01J2237/24405 , H01J2237/30483 , H01J2237/31703
摘要： 빔튜닝에있어서, 빔스캔폭최대시의주입위치빔 전류측정장치에의한이온주입위치의수평방향상의각 위치에있어서의빔 전류밀도의측정으로부터구하여진빔 스캔폭최대시의스캔전압보정함수를연산에의하여구하고, 그스캔전압보정함수를기초로하여, 횡방향도즈량균일성을충족시키면서예정된각 빔스캔폭에대응하는각 스캔전압보정함수를복수개 자동계산한다. 이어서, 이온주입중에메커니컬 Y스캔위치를측정하고, 그위치에따른스캔전압보정함수로전환함으로써, 웨이퍼의편측(片側)의빔 스캔에어리어를 D 형상의복수단(複數段) 설정빔 스캔영역으로하여빔 스캔폭을삭감함과함께, 횡방향도즈량균일성을확보한다. 상기와병행하여웨이퍼의다른편측에있어서의일정스캔에어리어측의사이드컵빔 전류량을측정하고, 그변화에따라서메커니컬 Y스캔속도를변화시킴으로써, 종방향도즈량균일성을확보한다.
摘要翻译：在梁调谐，光束扫描宽度计算最大的扫描电压校正功能注入位置射束电流期间的时间测量从离子束电流密度的测定在每个位置上水平扫描宽度最大得到的离子注入位置jinbim 基于扫描电压校正功能，自动计算与每个预定光束扫描宽度相对应的多个扫描电压校正函数，同时满足横向剂量均匀性。接下来，在离子注入期间测量机械Y扫描位置，并且通过根据位置切换到扫描电压校正功能，将晶片的一侧上的光束扫描区域设置为D形修整装置设置光束扫描区域，扫描宽度减小并确保横向剂量均匀性。通过组合并通过测量电流的预定扫描区域并排keopbim量在晶片的另一侧，并因此改变机械Y扫描速度的变化，并确保均匀的纵向剂量。

75. 发明公开

KR1020170101191A 빔 감속을 가지는 이온 주입기의 빔 각도 조정을 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：光束减速离子注入机光束角调整的系统和方法
公开(公告)号：KR1020170101191A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020177013752
申请日：2015-12-28
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 밴더버그,보 , 아이즈너,에드워드
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/1475 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/1478 , H01J37/3171 , H01J2237/0458 , H01J2237/057 , H01J2237/152 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31701
摘要： 이온주입시스템은질량분석과각도보정을위해질량분석기를사용한다. 이온소스는빔 경로를따라이온빔을생성한다. 질량분석기는이온빔의질량분석및 각도보정을수행하는이온소스의하류에위치한다. 개구조립체내의분해개구부는질량분석기의하류및 빔경로를따라위치한다. 상기분해개구부는선택된질량분해능및 상기이온빔의빔 포락선에따른크기및 형상을갖는다. 각도측정시스템은분해개구부의하류에위치하고이온빔의입사각값을얻는다. 제어시스템은각도측정시스템으로부터의이온빔의입사각값에따라질량분석기에대한자기장조정을도출한다.
摘要翻译：离子注入系统使用质谱仪进行质量分析和角度校正。离子源沿着光束路径产生离子束。质谱仪位于离子源的下游，以执行离子束的质量分析和角度校正。孔组件中的分裂开口位于质量分析器的下游并且沿着光束路径。根据离子束的束包络，分解开口具有选择的质量分辨率和尺寸和形状。角度测量系统位于分解开口的下游并获得离子束的入射角度值。控制系统根据来自角度测量系统的离子束的入射角导出用于质谱仪的磁场调节。

76. 发明公开

KR1020170098836A 하이브리드 스캐닝 이온 주입기의 생산성을 향상시키는 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：提高混合式扫描离子注入机的生产率的系统和方法
公开(公告)号：KR1020170098836A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020177017084
申请日：2015-12-28
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 밴더버그,보 , 레이,앤디
IPC分类号： H01J37/304 , H01J37/317 , H01J37/30
CPC分类号： H01J37/3045 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24405 , H01J2237/24514 , H01J2237/24528 , H01J2237/24535
摘要： 최적의스캐닝폭을결정함으로써하이브리드스캐닝주입기의생산성을향상시키는방법이제공된다. 스캐닝된 이온빔을튜닝하는방법이제공되며, 소정의빔 전류가소정의특성을갖는공작물을주입하도록결정된다. 스캐닝된 빔은설치패러데이컵을사용하여조정된다. 스캐닝폭은셋업패러데이시간신호를사용하여최적의스캐닝폭을얻도록조정된다. 광학시스템은소정의도즈량에상응하는소정의플럭스값에대해조정된다. 상기소정의플럭스값이얻어지면플럭스분포의균일성이제어된다. 이온빔의각도분포가더 측정된다.
摘要翻译：提供了一种通过确定最佳扫描宽度来提高混合式扫描注射器的生产率的方法。提供调谐扫描离子束的方法，并且确定预定射束电流以注射具有预定特性的工件。扫描光束使用法拉第安装杯进行调整。使用设定法拉第时间信号调整扫描宽度以获得最佳扫描宽度。光学系统被调整为对应于预定剂量的预定通量值。当获得预定的通量值时，控制通量分布的均匀性。进一步测量离子束的角度分布。

77. 发明公开

KR1020170085146A 높은 처리량의 가열 이온 주입 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：高通量热离子注入系统和方法
公开(公告)号：KR1020170085146A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020177019380
申请日：2015-06-12
申请人： 액셀리스 테크놀러지스, 인크.
发明人： 휴세이노빅,알민 , 페라라,조셉 , 테리,브라이언
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/18 , H01J37/20 , H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67201 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01L21/265 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/67161 , H01L21/67213 , H01L21/67712
摘要： 이온주입시스템은공통벽에의해분리된제 1 및제 2 챔버를각각구비하는제 1 및제 2 이중로드락 조립체에결합된이온주입장치를구비한다. 각각의제 1 챔버는작업대상물을제 1 온도로가열하도록형성된예열장치를구비한다. 각각의제 2 챔버는작업대상물을제 2 온도로냉각시키도록형성된후 냉각장치를구비한다. 써멀척은이온주입을위해, 프로세스챔버에서작업대상물을유지하고, 작업대상물을제 3 온도까지가열하도록형성된다. 펌프및 벤트는제 1 및제 2 챔버와선택적으로유체소통한다. 제어기는예열장치를통해대기환경에서작업대상물을제 1 온도로가열하도록형성되고, 써멀척을통해작업대상물을상기제 2 온도로가열하도록형성되고, 이온주입장치를통해작업대상물에이온을주입하도록형성되고, 예열장치, 후냉각장치, 펌프, 벤트및 써멀척의제어를통해, 작업대상물을대기환경과진공환경사이에서이송하도록형성된다.
摘要翻译：离子注入系统包括耦合到第一和第二双负载锁定组件的离子注入装置，每个双重负载锁定组件具有由公共壁分开的第一和第二腔室。每个第一腔室具有配置成将工件加热到第一温度的预热装置。每个第二腔室设有冷却装置，该冷却装置然后构造成将工件冷却到第二温度。热卡盘被构造成将工件保持在处理室中用于离子注入并将工件加热至第三温度。泵和通气口选择性地与第一和第二腔室流体连通。控制器被配置为通过预热装置将工件加热到大气环境中的第一温度并且经由热卡盘将工件加热到第二温度并且经由离子注入器将离子注入到工件中并且通过预热装置，后冷却装置，泵，通风口和热卡盘的控制在大气环境与真空环境之间转移工件。

78. 发明公开

KR1020170078490A 붕소 이온 주입 동안에 이온빔 전류 및 성능을 개선하기 위한 붕소-함유 도펀트 조성물, 시스템 및 그의 사용 방법 审中-实审
标题翻译：含硼掺杂剂组合物，其用于在硼离子注入期间改善离子束电流和性能的系统及其使用方法
公开(公告)号：KR1020170078490A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020160030797
申请日：2016-03-15
申请人： 프랙스에어 테크놀로지, 인코포레이티드
发明人： 시나아쉬위니케이 , 스미쓰스탠리엠 , 헤이더만더글러스시 , 캠퍼세르지엠
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/08 , C01B3/00
CPC分类号： H01J37/3171 , C01B3/00 , H01J27/22 , H01J37/08 , H01J37/32458 , H01J37/32807 , H01J2237/006 , H01J2237/0473 , H01J2237/08 , H01J2237/0815 , H01J2237/31701 , H01J2237/3365 , Y02E60/324
摘要： 붕소이온주입동안에빔 전류를개선하기위한신규한조성물, 시스템및 방법이제공된다. 바람직한측면에서, 붕소이온주입공정은특정농도범위의 B2H6, 11BF3 및 H2를이용하는것을포함한다. B2H6은활성수소이온화학종의생성및 주입동안에이용되는이온공급원의동작아크전압에서 BF3보다큰 이온화단면적을갖는것으로선택된다. 수소는 F 이온스캐빈저능력의감소없이, 보다높은수준의 B2H6이 BF3에도입되도록한다. 활성붕소이온은통상의붕소전구물질로부터발생된빔 전류와비교하였을때, 이온공급원의열화발생없이빔 전류수준의유지또는증가를특징으로하는개선된빔 전류를발생시킨다.
摘要翻译：提供了新的组合物，系统和方法用于在硼离子注入期间改善束电流。在优选的方面，硼离子注入工艺涉及使用特定浓度范围的B 2 H 6，11BF 3和H 2。在形成和注入活性氢离子物质期间使用的离子源的操作电弧电压下，B2H6被选择为具有大于BF3的离子化横截面。氢气允许更高水平的B2H6进入BF3而不降低F离子舱的低能力。活化的硼离子产生改进的束电流，其特征在于与由常规硼前体产生的束电流相比，维持或增加束电流水平而没有发生离子源劣化。

79. 发明授权

KR101755577B1 애퍼처 어레이 냉각장치를 갖춘 하전 입자 리소그래피 시스템 有权
标题翻译：带孔径阵列冷却系统的带电粒子光刻系统
公开(公告)号：KR101755577B1
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：KR1020137015246
申请日：2011-11-14
申请人： 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이.
发明人： 빌란트,마르코얀-야코 , 반벤,알렉산데르헨드릭빈센트 , 데종,헨드릭얀
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/22 , H01J37/317 , H01J37/09
CPC分类号： H01J37/045 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3177 , H01J2237/002 , H01J2237/0437
摘要： 타겟의표면으로패턴을전달하기위한하전입자리소그래피시스템으로서, 복수의하전입자빔렛들을발생시키기위한빔 발생기(복수의빔렛들은컬럼을정의함), 및제 1 애퍼처어레이, 블랭커어레이, 빔중단어레이, 및투영렌즈어레이를포함하는복수의애퍼처어레이엘리먼트들을포함한다. 각각의애퍼처어레이엘리먼트는복수의그룹들로배열된복수의애퍼처들을포함하고, 상기애퍼처들은빔렛들이애퍼처어레이엘리먼트를통과하도록하며, 각각의애퍼처어레이엘리먼트의애퍼처들의그룹들은빔 영역들사이에형성되고빔렛들의통과를위한어떠한애퍼처들도포함하지않는복수의논-빔영역들과는구별되는별도의빔 어레이를형성하고, 애퍼처어레이엘리먼트들의빔 영역들은빔 샤프트들을형성하도록정렬되고, 상기빔 샤프트들각각은복수의빔렛들을포함하고, 애퍼처어레이엘리먼트들의논-빔영역들은빔렛들이존재하지않는논-빔샤프트들을형성하도록정렬된다. 제 1 애퍼처어레이엘리먼트에는제 1 애퍼처어레이엘리먼트를냉각시키기위한냉매의전달을위해적응된냉각채널들이제공되며, 상기냉각채널들은제 1 애퍼처어레이엘리먼트의논-빔영역내에제공된다.
摘要翻译：用于将图案转移到目标，用于产生多个带电粒子子束（多个子束被限定列）的一个束发生器的表面的带电粒子光刻系统，mitje第一孔径阵列，消隐器阵列，所述波束停止阵列以及包括投影透镜阵列的多个孔径阵列元件。每个孔阵列元件包括多个布置在多个组中的孔，并且其中所述孔被子束是，并穿过孔径阵列元件，一组每个孔的阵列元件的孔径是光多个可讨论的任何孔也不包括区之间和用于子束束区域的从单独的形式的那些光束的区域的光束阵列，并且加以区别孔径阵列元件的通道形成对准以形成光束轴各轴的束包括多个子束和孔径阵列元件交谈束区是非子束都存在 - 被对准以形成所述梁的轴。第一孔径阵列元件设置有适于输送用于冷却第一孔径阵列元件的冷却剂的冷却通道，冷却通道可包括所讨论的第一孔径阵列的元素 - 在光束区域中设置。

80. 发明公开

KR1020170074794A 멀티 하전 입자빔 장치 审中-实审
标题翻译：多电荷粒子束装置
公开(公告)号：KR1020170074794A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020160174629
申请日：2016-12-20
申请人： 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
发明人： 오가사와라무네히로
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/30 , H01J37/28 , G03F1/20
CPC分类号： H01J37/3177 , H01J37/045 , H01J37/10 , H01J37/141 , H01J37/145 , H01J37/153 , H01J37/226 , H01J2237/0435 , H01J2237/31774
摘要： 본발명의일 태양의멀티하전입자빔장치는, 하전입자빔을방출하는방출원과, 하전입자빔을조명하는조명렌즈와, 복수의제1 개구부가형성되고, 복수의제1 개구부전체가포함되는영역에조명된하전입자빔의조사를받아, 복수의제1 개구부를하전입자빔의일부가각각통과함으로써멀티빔을형성하는제1 애퍼처어레이기판과, 제1 애퍼처어레이기판을격자로서이용한오목렌즈를구성하는제1 격자렌즈와, 복수의제2 개구부가형성되고, 복수의제2 개구부를멀티빔중 대응되는빔의적어도일부가각각통과하는제2 애퍼처어레이기판과, 제1 애퍼처어레이기판과제2 애퍼처어레이기판의사이이며멀티빔의제1 수렴점위치에배치되어, 제1 수렴점에서벗어난하전입자의통과를제한하는제1 제한애퍼처기판과, 제2 애퍼처어레이기판을통과한멀티빔중 적어도일부의빔군의조사를받는시료를재치하는연속이동가능한스테이지를구비하고, 제1 애퍼처어레이기판과제2 애퍼처어레이기판의사이에발생하는자계의부호가반대이고또한동일한크기의자계가계속되는자계분포및 제1 격자렌즈에의해발생하는전기장분포에의해구성되는렌즈작용에의해, 제1 성형애퍼처어레이기판을통과한제1 애퍼처어레이상이제2 애퍼처어레이기판상에형성되는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的该方面，以及用于照亮所述发光光源和用于发射带电粒子束的带电粒子束的照明透镜中的一个多带电粒子射线装置，形成有多个第一开口，所述多个第一的包括整个开口接收所述带电粒子束的光的照射而在区域，第一孔径阵列面板中，所述多个带电粒子束通过穿过每一个格子的形成多束第一开口中的部分上的第一孔径阵列面板第二光阑阵列基板，其中形成有多个第二开口，并且其中，所述多个光束中的相应光束的至少一部分分别穿过所述第二光阑阵列; 孔径阵列基板任务2孔径阵列，和设置在多波束的所述第一聚光点位置时，第一极限孔径板基板，以及用于将来自第一会聚点限制的带电粒子的通路离开的第二孔之间照射穿过阵列基板的多束光束中的至少一些光束组具有连续可移动台的孔径阵列中的基板任务安装的受试者样品，第一2孔径阵列基板，也具有相同的尺寸椅子磁场分布，并且第一光栅透镜连续边界之间发生的磁场相对的的符号现在通过第一成形孔阵列基板的第一孔径阵列通过由第二孔径阵列基板产生的电场分布形成的透镜作用形成在双孔阵列基板上。

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