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71. 发明公开

KR1019990083433A 수소이온박리법에의한ＳＯＩ웨이퍼의제조방법및이방법으로제조된ＳＯＩ웨이퍼 无效
标题翻译：通过氢离子分层方法制造SOI波形的方法和SOI WAFER制造的方法
公开(公告)号：KR1019990083433A
公开(公告)日：1999-11-25
申请号：KR1019990014591
申请日：1999-04-23
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이나주끼유기오 , 아가히로지 , 고바야시노리히로 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要： 본발명은, 결합열처리후, SOI층의표면을연마함이없이수소를함유하는환원성분위기에서열처리하는수소이온박리법에의한 SOI 웨이퍼의제조방법및 박리열처리후, SOI층의표면을연마함이없이수소를함유하는환원성분위기에서열처리하는수소이온박리법에의한 SOI 웨이퍼의제조방법그리고, 상기방법에의해제조되는 SOI웨이퍼에관한것이다. 박리후에연마하지않고 SOI 층표면상에잔류하는손상층을제거하고표면거칠기를개선하는 SOI웨이퍼의제조방법이제공됨으로써 SOI층의두께균일성이달성될수 있으며공정도간략화될수 있다.
摘要翻译：公开了一种通过氢离子分层方法制造SOI晶片的方法，其特征在于，SOI层的表面不进行抛光，但在结合热处理后在含氢的还原气氛中进行热处理，制造SOI晶片的方法通过氢离子分层方法，其特征在于，SOI层的表面不进行抛光，但在分层热处理后的含氢还原气氛中进行热处理，以及通过该方法制造的SOI晶片。提供了一种通过氢离子分层方法制造SOI晶片的方法，其中去除了在分层之后残留在SOI层的表面上的损伤层，并且在没有抛光的情况下提高了表面粗糙度，从而可以实现SOI层的均匀厚度，并简化其过程。

72. 发明授权

KR101893278B1 SiC 종결정의 가공 변질층의 제거 방법, SiC 종결정, 및 SiC 기판의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101893278B1
公开(公告)日：2018-08-29
申请号：KR1020167022410
申请日：2015-03-10
申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤
发明人： 야부키노리히토 , 도리미사토시 , 노가미사토루
IPC分类号： C30B33/12 , C30B33/02 , C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/04 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02019 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02658 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3247 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L29/1608
摘要： 절단가공된 SiC 종결정을이용하여 MSE법을행하는경우라도성장속도가저하되지않는방법을제공한다. 준안정용매에피택시법(MSE법)의종결정으로서이용되는 SiC 종결정을, Si 분위기하에서가열하여표면을에칭함으로써, 절단가공에의해생긴가공변질층을제거한다. SiC 종결정에생긴가공변질층은 MSE법에서의성장을저해하는것이알려져있기때문에, 이가공변질층을제거함으로써성장속도의저하를방지할수 있다.

73. 发明授权

KR101792066B1 게르마늄층을 열처리하는 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造用于热处理锗层的半导体衬底的方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101792066B1
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020167010034
申请日：2014-10-10
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코
发明人： 토리우미아키라 , 이충현 , 니시무라토모노리
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/28 , H01L29/16 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/28255 , H01L21/322 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L29/16 , H01L29/517 , H01L29/78
摘要： 1×10㎝이상의산소농도를갖는게르마늄층(30)을환원성가스분위기중에있어서, 700℃이상에있어서열처리하는공정을포함하는반도체기판의제조방법. 또는 1×10㎝이상의산소농도를갖는게르마늄층(30)을환원성가스분위기중에있어서, 상기산소농도가감소하도록열처리하는공정을포함하는반도체기판의제조방법.
摘要翻译：以及在700℃或更高的还原气氛中对氧浓度为1×10cm或更大的锗层（30）进行热处理的步骤。或者对氧浓度为1×10cm以上的锗层（30）进行热处理以降低还原气体气氛中的氧浓度的步骤。

74. 发明公开

KR1020170086561A SiC 기판 처리 방법 审中-实审
标题翻译： SiC衬底处理方法
公开(公告)号：KR1020170086561A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020177016191
申请日：2015-11-17
申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤
发明人： 야부키노리히토 , 도리미사토시 , 노가미사토루
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/3247 , H01L21/67115 , H01L21/67346 , H01L21/7602 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L21/02378 , H01L21/02263 , H01L21/265
摘要： 홈(41)이형성된 SiC 기판(40)에대해서, 표면에거침이발생하는것을방지하면서이온을활성화시키는 SiC 기판처리방법을제공한다. 이온이주입된이온주입영역(46)을표면에가지고, 적어도상기이온주입영역(46)을포함하는부분에홈(41)이형성된 SiC 기판(40)을 Si 증기압하에서가열하는이온활성화처리를실시함으로써, SiC 기판(40)에주입된이온을활성화시키면서, 에칭을실시해표면을평탄화한다.
摘要翻译：提供一种处理其中离子被激活的SiC衬底（40）的方法，同时防止在作为凹槽（41）的SiC衬底（40）的表面上发生粗糙。离子与表面注入离子注入区46，进行至少离子注入区域46，在槽41的离子活化处理为加热所述SiC衬底（40）的脱模性的部分在所述Si的蒸气压，包括由此，一边使SiC基板40中注入的离子活化，一边使表面平坦化，由此对SiC基板40的表面进行蚀刻。

75. 发明授权

KR101722401B1 접합 웨이퍼의 제조 방법 有权
标题翻译：制造键合晶圆的方法
公开(公告)号：KR101722401B1
公开(公告)日：2017-04-03
申请号：KR1020127017904
申请日：2010-11-18
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 오카,사토시 , 아가,히로지 , 카토,마사히로 , 노토,노부히코
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/3065 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/76254
摘要： 본발명은, 이온주입박리법에의해제작한접합웨이퍼에, 수소또는염화수소를포함하는분위기중에서박막의표면을평탄화하는열처리를실시하는접합웨이퍼의제조방법에있어서, 평탄화열처리시에이용하는상기접합웨이퍼를재치하기위한서셉터의표면을, 미리실리콘막으로코팅해두는것을특징으로하는접합웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 이온주입박리법에있어서, 박리후의접합웨이퍼의박막표면을평탄화하기위한열처리를행한경우에도, 막두께균일성이우수한박막을가지는접합웨이퍼를얻을수 있는접합웨이퍼의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明中，在由注入剥离法来制造贴合晶片的离子，制造贴合晶片进行热处理，在含有氢或氯化氢的气氛中平坦化的薄膜的表面的方法中，在平坦化热处理过程中使用的贴合晶片其中用于安装硅晶片的基座的表面预先涂有硅膜。 Yiettara，在注入剥离法的离子，即使当经受用于剥离后的贴合晶片的薄膜的表面平坦化热处理，提供了一种制造具有薄膜的贴合晶片的方法，得到具有薄膜的膜厚均匀性优异的贴合晶片。

76. 发明公开

KR1020170005513A 전기화학적 도금 방법들 审中-实审
标题翻译：电化学镀方法
公开(公告)号：KR1020170005513A
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020177000162
申请日：2015-03-16
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 램,존,더블유. , 에메쉬,이스마일 , 사비브,로이
IPC分类号： H01L21/288 , C25D7/12 , H01L21/324 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L21/2885 , C23C18/1653 , C25D3/12 , C25D5/10 , C25D5/14 , C25D5/50 , C25D7/00 , C25D7/123 , H01L21/3247 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/53257 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 시드층을갖는기판상에전도성막을적용하기위한전기화학적프로세스는, 기판을코발트또는니켈을함유하는전기화학적도금배스(plating bath)와접촉하도록배치하는단계를포함하고, 도금배스는 4.0 내지 9.0의 pH를갖는다. 배스를통해기판으로전류가전도된다. 배스에서의코발트또는니켈이온들이시드층 상에증착된다. 도금배스는코발트클로라이드및 글리신을함유할수 있다. 전류는 1 내지 50 mA/cm의범위에있을수 있다. 전기화학적프로세스의완료후에, 기판은도금배스로부터제거될수 있고, 린싱되고건조될수 있고, 그후에, 재료특성들을개선하고시임라인결함들을감소시키기위해 200 내지 400 ℃의온도에서어닐링될수 있다. 도금및 어닐링프로세스는다수의사이클들을통해수행될수 있다.
摘要翻译：用于将导电膜施加到具有籽晶层的基底上的电化学方法包括将基底与包含钴或镍的电化学镀浴接触，镀浴的pH为4.0至9.0。电流通过熔池传导到基板。浴中的钴或镍离子沉积到种子层上。电镀浴可能含有氯化钴和甘氨酸。电流可以为1-50毫安每平方厘米。电化学工艺完成后，可以将基板从镀液中除去，漂洗并干燥，然后在200-400℃的温度下退火，以改善材料性能并减少接缝线缺陷。电镀和退火工艺可以通过多个循环进行。

77. 发明公开

KR1020160040441A 반도체 디바이스의 개선된 낮은 저항 접촉 审中-实审
标题翻译：改进的半导体器件的低电阻接触
公开(公告)号：KR1020160040441A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：KR1020157022658
申请日：2014-01-30
申请人： 엑시코 프랑스 , 유니버시티 컬리지 코르크-내셔날 유니버시티 오브 아일랜드, 코르크
发明人： 듀피,레이 , 세이에스테,마리암 , 휴에트,카림
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/268 , H01L21/285 , H01L29/08 , H01L29/16 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/268 , H01L21/28512 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L29/78
摘要： 본발명은게르마늄의제1층(120)과금속의제2층을제공함으로써반도체디바이스제공을위한기재위에금속게르마나이드접촉을형성하는방법을제공한다. 본발명은상기제1층과의사이에본질적으로평탄한계면을갖는게르마나이드금속층(160A)을얻기위하여고밀도에너지펄스로상기제2층을상기제1층과반응시키는단계를제공한다.

78. 发明公开

KR1020160030055A 매립된 공동부 및 유전체 지지 구조체를 가진 반도체 기판을 형성하는 방법 有权
标题翻译：形成半导体衬底的方法，具有覆盖CAVITIES和电介质支持结构
公开(公告)号：KR1020160030055A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020150126122
申请日：2015-09-07
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 데이네스마테오 , 라벤요하네스조지 , 슐즈한스-요아힘
IPC分类号： H01L21/762 , H01L27/12
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L21/02233 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L21/02667 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/324 , H01L21/3247 , H01L21/743 , H01L21/76232 , H01L21/76248 , H01L21/76877 , H01L23/3677 , H01L23/5286 , H01L23/562 , H01L27/0922 , H01L28/40 , H01L29/0649
摘要： 반도체장치를형성하는방법은반도체기판의제 1 표면으로부터반도체기판내로연장되는복수의트렌치를형성하는단계를포함한다. 트렌치각각은좁은부분에의해제 1 표면으로부터이격되는넓은부분과개방적으로연통하는좁은부분을포함한다. 인접한트렌치의좁은부분은반도체기판의제 1 영역에의해횡방향으로분리된다. 인접한트렌치의넓은부분은제 1 영역보다좁은반도체기판의제 2 영역에의해횡방향으로분리된다. 방법은추가로반도체기판의제 1 영역을지지하는유전체지지구조체를형성하기위해인접한트렌치사이의반도체기판의제 2 영역을산화시키도록트렌치의좁은부분을통해트렌치의넓은부분에산화제를도입하는단계를포함한다.
摘要翻译：形成半导体器件的方法包括从半导体衬底的第一表面形成延伸到半导体衬底中的多个沟槽的步骤。每个沟槽包括与较窄部分开放连通的较窄部分，其较窄部分与第一表面间隔开。相邻沟槽的较窄部分由半导体衬底的第一区域横向隔开。相邻沟槽的较宽部分被半导体衬底的比第一区域窄的第二区域侧向分开。该方法还包括通过沟槽的较窄部分将氧化剂引入沟槽的较宽部分以氧化相邻沟槽之间的半导体衬底的第二区域以形成支撑半导体的第一区域的电介质支撑结构。

79. 发明公开

KR1020150105077A 반도체 소자의 제조방법 审中-实审
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150105077A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140027277
申请日：2014-03-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤병문 , 김영옥 , 김경현 , 구주선
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/31055 , H01L21/31111 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L21/0274
摘要： 반도체 기판 상에 하부 구조물을 형성하고; 상기 하부 구조물을 갖는 반도체 기판 상에 상기 반도체 기판의 표면으로부터 제1높이에 있는 제1표면을 갖는 제1영역과 상기 제1높이보다 낮은 제2높이에 있는 제2표면을 갖는 제2영역을 가지는 물질막을 형성하고; 및 상기 물질막을 평탄화하는 것을 포함하되, 상기 물질막을 평탄화하는 것은, 상기 반도체 기판 상의 상기 물질막 상에 식각 용액을 도포하고; 및 상기 물질막의 상기 제1영역을 선택적으로 가열하여, 상기 물질막의 상기 제1 영역의 식각율을 상기 물질막의 제2 영역의 식각율 보다 증가시키는 것을 포함하는 반도체 소자의 제조방법이 설명된다.
摘要翻译：描述了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成下部结构; 形成材料层，所述材料层具有第一区域，所述第一区域在具有所述下基板的所述半导体衬底上具有从所述半导体衬底的表面起第一高度的第一表面，以及第二区域，所述第二区域具有第二高度低于所述第二高度的第二表面第一高度并平坦化材料层。平面化材料层的过程包括：在半导体衬底上的材料层上施加蚀刻溶液; 以及与材料层的第二区域的蚀刻速率相比，选择性地加热材料层的第一区域以增加材料层的第一区域的蚀刻速率。

80. 发明公开

KR1020140123505A 접합 SOI 웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译：粘结SOI波形制造方法
公开(公告)号：KR1020140123505A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：KR1020147020725
申请日：2012-12-26
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 코바야시,노리히로 , 이시즈카,토루 , 아가,히로지
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/3247
摘要： 본 발명은, 이온주입 박리법에 의해 얻어진 박리 후의 접합 SOI 웨이퍼에 대하여 RTO처리를 행하고, 이 RTO처리에 의해 상기 SOI층 표면에 형성된 산화막을 제거한 후, 상기 SOI층 표면의 실리콘 원자에 마이그레이션을 발생시키는 평탄화 열처리를 행하여 상기 SOI층 표면을 평탄화하고, 그 후, 희생 산화처리를 행하여 상기 SOI층의 막두께를 조정하는 것을 특징으로 하는 접합 SOI 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 의해, SOI층 표면의 표면 거칠기를 충분히 저감하고, 또한, SOI층 표면의 깊은 피트가 저감된 고품질의 SOI층을 갖는 SOI 웨이퍼를 효율좋게 제조할 수 있는 접합 SOI 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.

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