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1. 发明公开

KR20180071138A 칩들 사이에 열 전달 블록을 배치한 반도체 패키지 및 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180071138A
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR20160173987
申请日：2016-12-19
申请人： SK HYNIX INC
发明人： SUNG KI JUN , JEONG RAE HYUNG
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/00 , H01L23/373 , H01L23/498
CPC分类号： H01L25/18 , H01L21/32115 , H01L21/565 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/3736 , H01L23/5381 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/562 , H01L24/16 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16227 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/351
摘要： 인터커넥트(interconnect)층에상호이격되어배치된제1반도체칩 및제2반도체칩과, 반도체재질의열 전달블록(heat transferring block), 열전달블록의상면(top surface)에연결되고봉지재의상면을덮도록연장된방열층을포함하는반도체패키지및 제조방법을제시한다.

2. 发明授权

KR101869583B1 집적 회로 및 집적 회로의 회로 설계 방법 有权
公开(公告)号：KR101869583B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020137032158
申请日：2012-03-29
申请人： 자일링크스 인코포레이티드
发明人： 라만애리퍼
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/498 , H01L23/14 , H01L23/00 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L23/147 , H01L23/49827 , H01L23/562 , H01L25/0657 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2224/0401
摘要： 인터포저를갖는집적회로(IC)를포함하는회로설계방법은인터포저상의정규화된응력량을초과하는응력량에노출된인터포저(205 및 505)의구역(465, 470, 및 535) 내의 IC(200 및 500) 내에구현된능동리소스를식별하는단계; 및 IC 내에구현된회로설계의응력인식분석에따라 IC 내에구현될상기회로설계의요소를상기능동리소스에선택적으로할당하는단계를포함한다. 다른구역(620)은나머지구역전체에걸쳐실질적으로정규화된응력을특징으로한다.

3. 发明授权

KR101843621B1 반도체 패키지의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 패키지 有权
公开(公告)号：KR101843621B1
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR1020150172532
申请日：2015-12-04
申请人： 앰코테크놀로지코리아(주)
发明人： 고영범 , 이재진 , 오광석
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/00 , H01L23/488 , H01L23/522 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4882 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3736 , H01L23/4334 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/13024 , H01L2224/32245 , H01L2224/97 , H01L2924/3511 , H01L2224/83
摘要： 본발명은워페이지현상을줄이고패키지의신뢰성을향상시킬수 있는반도체패키지의제조방법및 이를이용한반도체패키지에관한것이다. 일례로, 상면에도전성범프가형성된적어도하나의반도체다이를준비하는반도체다이준비단계; 상기적어도하나의반도체다이를메탈플레이트에부착하는반도체다이부착단계; 상기메탈플레이트의상부에서상기적어도하나의반도체다이를인캡슐란트로인캡슐레이션하는인캡슐레이션단계; 및상기메탈플레이트및 상기인캡슐란트를다이싱하여반도체패키지를형성하는다이싱단계를포함하는것을특징으로하는반도체패키지의제조방법을개시한다.

4. 发明授权

KR101831057B1 응력 감소 구조체를 갖는 인터커넥트 배열 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有应力消除结构的互连阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR101831057B1
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR1020160068788
申请日：2016-06-02
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 린이루에이 , 펭옌밍 , 양한웨이 , 라이첸충
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L23/3192 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/76822 , H01L21/76877 , H01L23/3171 , H01L23/3178 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체장치구조체및 이를제조하는방법의실시예들이제공된다. 반도체장치구조체는기판및 기판위에형성된제1 층을포함한다. 반도체장치구조체는제1 층에형성된응력감소구조체를더 포함하고, 응력감소구조체에의해제1 층의일부가둘러싸인다. 반도체장치구조체는응력감소구조체에의해둘러싸인제1 층의일부에형성된전도성피처를더 포함한다.
摘要翻译：提供了半导体器件结构的实施例及其制造方法。该半导体器件结构包括衬底和在衬底上形成的第一层。半导体器件结构还包括形成在第一层中的应力降低结构，并且第一释放层的与应力降低结构的一部分被包围。半导体器件结构还包括形成在由应力降低结构围绕的第一层的一部分中的导电部件。

5. 发明授权

KR101827054B1 반도체 패키지 구조체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体封装结构及其制造方法
公开(公告)号：KR101827054B1
公开(公告)日：2018-02-07
申请号：KR1020150143363
申请日：2015-10-14
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 쳉후아웨이 , 투샹윤 , 첸수시엔 , 리우하오쥬인 , 첸첸시엔 , 쳉밍훙 , 추앙치타
IPC分类号： H01L23/043 , H01L23/06 , H01L23/488 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/563 , H01L23/3142 , H01L23/3157 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/53214 , H01L23/53233 , H01L23/53257 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0231 , H01L2224/02351 , H01L2224/0239 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/03831 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05017 , H01L2224/05085 , H01L2224/05548 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/1132 , H01L2224/11424 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11472 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13018 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81815 , H01L2224/83102 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121 , H01L2924/381 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/0103 , H01L2924/01083 , H01L2924/01049 , H01L2924/01079 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01013 , H01L2924/00
摘要： 반도체패키지구조체는도전성패드를포함하는제1 반도체기판과, 도전성패드상에있고제1 반도체기판과제2 반도체기판사이에배치된도전성필러를포함한다. 도전성패드는제1 반도체기판의회로와결합된다. 도전성필러는종축을따라제2 반도체기판을향해연장한다. 도전성필러는종축을향해노치형성하는거친면을갖는측벽을포함한다.
摘要翻译：该半导体封装结构包括第一半导体衬底，该第一半导体衬底包括导电焊盘和位于导电焊盘上的导电填充物并且设置在第一半导体衬底与第二半导体衬底之间导电焊盘耦合到第一半导体衬底电路。导电填料沿纵向轴线朝向第二半导体衬底延伸。导电填料包括具有朝向纵向轴线切口的粗糙表面的侧壁。

6. 发明公开

KR20180008379A 스트레인 재분배 층을 갖는 신장가능 전자 장치 제조 방법 审中-公开
标题翻译：一种制造具有应变重分布层的可拉伸电子器件的方法
公开(公告)号：KR20180008379A
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR20177022402
申请日：2015-03-11
申请人： INTEL CORP
发明人： DIAS RAJENDRA C , ANDRYUSHCHENKO TATYANA N , KOBRINSKY MAURO J , ALEKSOV ALEKSANDAR , STAINES DAVID W
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/00 , H01L23/16 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/16 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/49838 , H01L23/4985 , H01L24/16 , H01L24/48 , H01L2224/05554 , H01L2224/16 , H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2924/069 , H01L2924/0715 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/186 , H01L2924/35121 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 본발명의실시예들은마이크로전자디바이스및 마이크로전자디바이스를형성하는방법들을포함한다. 실시예에서, 마이크로전자디바이스는도전성트레이스에의해콘택패드에각각전기적으로결합되는하나이상의다이콘택을갖는반도체다이를포함한다. 반도체다이는제1 탄성모듈러스를가질수 있다. 마이크로전자디바이스는또한반도체다이및 도전성트레이스위에캡슐화층을포함할수 있다. 캡슐화층은제1 탄성모듈러스보다작은제2 탄성모듈러스를가질수 있다. 마이크로전자디바이스는또한캡슐화층 내에제1 스트레인재분배층을포함할수 있다. 제1 스트레인재분배층은반도체다이및 도전성트레이스들의부분을커버하는풋프린트를가질수 있다. 스트레인재분배층은제1 탄성모듈러스보다작고제2 탄성모듈러스보다큰 제3 탄성모듈러스를가질수 있다.
摘要翻译：本发明的实施例包括形成微电子器件和微电子器件的方法。在一个实施例中，微电子器件包括具有一个或多个管芯触点的半导体管芯，每个管芯触点通过导电迹线电耦合到接触焊盘。半导体管芯可以具有第一弹性模量。微电子器件还可以包括在半导体管芯和导电迹线上的封装层。包封层可以具有小于第一弹性模量的第二弹性模量。微电子器件还可以包括封装层内的第一应变重分布层。第一应变重分布层可以具有覆盖半导体管芯的一部分和导电迹线的覆盖区。应变再分配层可以具有比第一弹性模量小并且大于第二弹性模量的第三弹性模量。

7. 发明授权

KR101803668B1 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101803668B1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：KR1020167005822
申请日：2014-09-04
申请人： 도요타 지도샤(주)
发明人： 오리모토노리무네
IPC分类号： H01L23/492 , H01L23/16 , H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/00 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/4882 , H01L21/565 , H01L23/16 , H01L23/3114 , H01L23/3121 , H01L23/3672 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49562 , H01L2224/32245
摘要： 반도체장치는, 중간플레이트; 상기중간플레이트의표면들중 한쪽의표면에땜납재에의해접속되어있는반도체소자; 상기중간플레이트의표면들중 다른한쪽의표면에땜납재에의해접속되어있는메인플레이트; 및수지층을포함하며, 중간플레이트는상기중간플레이트가땜납재에접속되어있는영역에대하여외측으로연장되는외부영역을갖고, 제 1 관통공이상기외부영역에상기중간플레이트를통하여연장되고, 상기수지층은적어도상기땜납재, 상기중간플레이트, 및상기메인플레이트가상기중간플레이트에대향하는상기메인플레이트의표면을덮고, 상기수지층은또한제 1 관통공의내부에배치되어있다.

8. 发明公开

KR1020170127363A 반도체 밀봉용 기재 부착 밀봉재, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于半导体封装的具有衬底的密封材料，半导体器件和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020170127363A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：KR1020170057162
申请日：2017-05-08
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 나카무라,도모아키 , 아키바,히데키 , 시오바라,도시오
IPC分类号： H01L23/29 , H01L21/56 , H01L21/78
CPC分类号： H01L23/295 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/562 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/3511
摘要： [과제] 대면적의패키지를밀봉하는경우에도, 패키지의휨을억제할수 있는반도체밀봉용기재부착밀봉재를제공한다. [해결수단] 반도체소자를탑재한반도체소자탑재기판의소자탑재면, 또는반도체소자를형성한반도체소자형성웨이퍼의소자형성면을일괄밀봉하기위한반도체밀봉용기재부착밀봉재이며, 해당반도체밀봉용기재부착밀봉재가, 기재와, 해당기재의한쪽표면에형성된미경화또는반경화된열 경화성수지성분을포함하는밀봉수지층을갖는것이며, 해당반도체밀봉용기재부착밀봉재에의해밀봉되는상기반도체소자의선팽창계수α, 상기밀봉수지층의경화물의선팽창계수α및상기기재의선팽창계수α이, 하기식 (1) 및 (2)를동시에충족하는것인반도체밀봉용기재부착밀봉재.(단, 선팽창계수의단위는 ppm/K이다)
摘要翻译： [问题]提供了一个基座安装的密封材料的半导体封装，其可以抑制封装体的翘曲，即使在大面积的包装密封。 [解决问题的手段]的半导体封装用基底为整体密封安装基板元件的表面贴装，或形成在半导体元件形成安装附连到所述密封构件的半导体元件的半导体器件晶片的半导体元件的元件形成表面，所述半导体成型为基体材料安装密封部件的基材，以及具有密封树脂层的意愿包含非固化或半固化，形成在基体材料的一个表面上的热固性树脂组合物，半导体元件的线膨胀由所述基板安装用于半导体密封的密封材料密封系数α，线性膨胀系数α的密封树脂层uigyeong产物，和线性膨胀系数α是，下面的公式（1）和（2）同时满足haneungeot半导体封装安装在衬底的密封材料的基片（其中，线性膨胀系数的单位是ppm / K）

9. 发明授权

KR101798800B1 생체 측정 센서 스택 구조 有权
公开(公告)号：KR101798800B1
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：KR1020167008952
申请日：2014-09-09
申请人： 애플 인크.
发明人： 마이어스,스콧에이.
IPC分类号： G06K9/00 , G06K9/20
CPC分类号： G06K9/0002 , G06K9/00053 , H01L23/10 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 생체측정센서, 예컨대용량성생체측정센서를패키징하기위한다양한구조및 방법들이개시된다. 실시예들은생체측정센서, 생체측정센서를둘러싸는구조체, 연결구조체들(전기적, 물리적, 또는둘 모두)의다양한배치, 센서이미징보강, 센서유지, 및생체측정센서위의적절한위치로사용자손가락을안내하기위한기술들을포함한다. 예를들어, 생체측정센서조립체는트림내에형성되는개구를포함하고, 개구내에캡이배치될수 있다. 캡아래에생체측정센서가위치설정되고, 측정센서아래에스위치가위치설정될 수있다.

10. 发明公开

KR1020170123299A 반도체 패키징 방법 및 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：半导体封装方法和电子器件
公开(公告)号：KR1020170123299A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：KR1020170138547
申请日：2017-10-24
申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 린네,글렌 , 젠다,딘 , 베리,크리스토퍼제이. , 란조네,로버트 , 반코드,루도비코
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/488 , H01L23/04
CPC分类号： H01L24/13 , H01L21/4846 , H01L23/49811 , H01L23/49894 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/05567 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/11474 , H01L2224/1182 , H01L2224/11831 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/11903 , H01L2224/13017 , H01L2224/13021 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/1369 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/83192 , H01L2924/15311 , H01L2924/3651 , H01L2224/32225 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/562 , H01L23/04 , H01L23/28 , H01L23/488
摘要： 카파필라보호를위한방법들은반도체다이위의컨택트위에측벽을포함하는메탈포스트를형성함을포함할수 있다. 메탈캡이메탈포스트위에형성될수 있고메탈포스트의폭보다넓을수 있다. 솔더범프가메탈캡 위에형성될수 있고, 그리고컨포멀패시베이션층이적어도메탈포스트의측벽위에형성될수 있다. 메탈캡은단면에있어원형모양또는직사각모양일수 있다. 메탈포스트및 메탈캡은카파를포함할수 있다. 메탈캡은카파층및 니켈층을포함할수 있다. 시드메탈층이하나이상의티타늄, 텅스텐, 및카파를포함할수 있다. 컨포멀패시베이션층이비젖음성폴리머를포함할수 있다. 컨포멀패시베이션층의수평부분들이플라즈마식각과같은비등방성식각을이용하여제거될수 있다.
摘要翻译：用于容性保护的方法可以包括在半导体管芯上的触点上方形成包括侧壁的金属柱。金属帽可以形成在金属柱上并且可以比金属柱的宽度更宽。可以在金属盖上形成焊料凸点，并且可以在金属柱的至少侧壁上形成保形钝化层。金属帽的横截面可以是圆形或矩形。金属杆和金属帽可能包括卡帕。金属帽可以包括卡帕层和镍层。种子金属层可以包括钛，钨和κ中的一种或多种。共形钝化层可以包含不可润湿的聚合物。可以使用诸如等离子体蚀刻的各向异性蚀刻来去除共形钝化层的水平部分。

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