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1. 发明授权

KR101142138B1 적층기판의 세척방법, 기판의 접합방법 및 접합 웨이퍼의제조방법 有权
标题翻译：多层基板清洗方法，基板粘合方法和粘结晶片制造方法
公开(公告)号：KR101142138B1
公开(公告)日：2012-05-10
申请号：KR1020067004789
申请日：2004-09-07
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 요코카와이사오 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/76254
摘要： 본 발명은 적층기판 최표층의 SiGe층 표면에 보호막을 형성하고, 그 다음 보호막을 에칭할 수 있는 세정액으로 보호막이 잔존하도록 세척하는 적층기판의 세척방법 및 그 방법으로 세척한 적층기판의 최표층과 다른 기판의 표층을 접합시키는 기판의 접합방법 및 Si단결정 본드 웨이퍼의 표면에 Si
1
-
X Ge
X 층, 보호층을 순차적으로 형성하고, 보호층을 통해 이온 주입하여 이온 주입층을 형성하고, 본드 웨이퍼를 세척하고, 보호층 표면과 베이스 웨이퍼를 밀착시키고, 이온 주입층에서 박리를 수행하고, 박리에 의해 베이스 웨이퍼 측으로 이설한 박리층의 표면에 열산화막을 형성, 제거하여 농축 SiGe층을 노출시키고, 그 표면에 Si단결정층을 에피택셜 성장시키는 접합 웨이퍼의 제조방법이다. 이로써 적층기판 최표층의 SiGe층의 표면 거침을 방지하는 세척방법 및 접합방법, 이온주입에 따른 접합 불량을 방지하는 접합 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.
적층기판, 보호막, 본드 웨이퍼, 베이스 웨이퍼, 이온 주입층, 접합 웨이퍼

2. 发明授权

KR100733113B1 박리 웨이퍼의 재생처리방법 有权
标题翻译：循环分离方法
公开(公告)号：KR100733113B1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020017009511
申请日：2000-11-27
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 , 소이텍
发明人： 쿠와바라수수무 , 미타니키요시 , 테잇네오토 , 나카노마사타게 , 바지치에리 , 마레빌크리스토퍼
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84
摘要： 이온주입박리법에 의해 결합 웨이퍼를 제조할 때 부생(副生)되는 박리 웨이퍼를 재생처리하는 방법에 있어서, 상기 박리 웨이퍼의 적어도 모서리부분의 이온주입층을 제거한 후, 웨이퍼 표면을 연마한다. 또는 상기 웨이퍼를 열처리한 후 연마한다. 재생처리된 박리 웨이퍼에 열처리를 실시하여도 파-티클이 발생되지 않으며, 재생된 웨이퍼의 품질이 우수하고 수율이 양호한 박리 웨이퍼의 재생처리방법 및 재생된 박리 웨이퍼가 제공된다.
이온주입박리법, 박리 웨이퍼, 결합 웨이퍼, 재생처리

3. 发明公开

KR1020000011407A ＳＯＩ웨이퍼의 제조방법 및 이 방법으로 제조된 ＳＯＩ웨이퍼 有权
标题翻译： SOI WAFER生产方法和SOI WAFER生产这种方式
公开(公告)号：KR1020000011407A
公开(公告)日：2000-02-25
申请号：KR1019990026312
申请日：1999-07-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 미타니키요시 , 요코카와이사오
IPC分类号： H01L21/34
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76251 , Y10S438/977
摘要： PURPOSE: An SOI wafer production method and an SOI wafer produced in this way is produced to improve the uniformity of the thickness of SOI layer by minimizing the impact of the thickness deviation of the oxide film formed on the bond wafer. CONSTITUTION: The SOI wafer is produced in the process of: step 1, to prepare a bond wafer(2) and a base wafer(1) a supporting substrate and forming at least an oxide film on the bond wafer, and injecting hydrogen ion or a rare gas ion through the oxide film so that a fine bubble layer may be formed in the bond wafer part; step 2, to have the ion injected part and the surface of the base wafer stick together tight, and to thermo treat the bond wafer. Therefore a control is made so that the thickness deviation of the oxide film formed on the bond wafer is smaller than the depth deviation of an ion injection and the uniformity of the thickness of the SOI layer is improved.
摘要翻译：目的：制造以这种方式制造的SOI晶片制造方法和SOI晶片，通过最小化形成在接合晶片上的氧化膜的厚度偏差的影响来提高SOI层的厚度的均匀性。构成：在以下步骤中制造SOI晶片：步骤1，制备接合晶片（2）和基底晶片（1）支撑衬底，并在接合晶片上形成至少一个氧化膜，并注入氢离子或通过氧化膜的稀有气体离子，使得可以在接合晶片部分形成微小的气泡层; 步骤2，使离子注入部分和基底晶片的表面牢固地粘在一起，并且对接合晶片进行热处理。因此，进行控制，使得形成在接合晶片上的氧化膜的厚度偏差小于离子注入的深度偏差，并且提高了SOI层的厚度的均匀性。

4. 发明授权

KR101307929B1 접합기판의 제조방법 有权
标题翻译：制造粘结基板的方法
公开(公告)号：KR101307929B1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020087014172
申请日：2006-11-27
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/12 , H01L21/304 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/76254
摘要： 본 발명은 활성층용 웨이퍼와 지지기판용 웨이퍼를 접합시킨 접합기판의 제조방법에 있어서, 상기 활성층용 웨이퍼의 표면에 외주부를 따라 내측에 전주(全周)에 걸쳐 홈을 형성하는 제1공정과 상기 홈을 형성한 면을 접합면으로 하여, 상기 활성층용 웨이퍼와 상기 지지기판용 웨이퍼를 접합시키는 제2공정과, 상기 활성층용 웨이퍼를 박막화함과 함께, 상기 활성층용 웨이퍼의 홈으로부터 외측의 미결합부분도 제거하는 제３공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 접합기판의 제조방법이다.
이것에 의해, 활성층용 웨이퍼를 박막화할 때, 공정을 간략화하고, 깨어짐이나 떨어짐, 발진 등을 방지하고, 또한, 활성층용 웨이퍼의 에지부의 형상을 관리할 수 있는 접합기판의 제조방법이 제공된다.
웨이퍼, 접합, 기판, 활성층, 지지기판, 외주부, 에지부, 홈,

5. 发明授权

KR100583591B1 접합웨이퍼의 제조방법 및 접합웨이퍼 有权
标题翻译：制造粘结波形和粘结波形的方法
公开(公告)号：KR100583591B1
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1019990027867
申请日：1999-07-10
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 요코카와이사오 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/2007 , H01L21/76254 , Y10S438/974 , Y10T428/265
摘要： 본건 발명의 과제는, 수소이온박리법에 의해 얻어지는 접합웨이퍼의 결합불량을 감소하고, 결합계면에서의 박리나 보이드(void)가 없는 접합웨이퍼를, 생산성 좋고, 저렴하게 제공하는 것이다. 또한, 본건 발명의 해결수단은, 수소이온박리법에 의해 접합웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 쌍방의 웨이퍼를 밀착한 밀착면의 탄소농도를 3 ×10
14 atoms/㎠ 이하로 하는 것이다.
웨이퍼, 수소이온박리법.

6. 发明公开

KR1020040029292A 접합 웨이퍼의 제조방법 有权
标题翻译：制造键合晶圆的方法
公开(公告)号：KR1020040029292A
公开(公告)日：2004-04-06
申请号：KR1020037003660
申请日：2002-07-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가히로지 , 토미자와신이치 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： 본 발명은 적어도, 가스이온의 주입에 의해 형성된 미소기포층을 갖는 본드 웨이퍼와 지지기판으로 되는 베이스 웨이퍼를 접합하는 공정과, 상기 미소기포층을 경계로 하여 본드 웨이퍼를 박리하여 베이스 웨이퍼상에 박막을 형성하는 공정을 갖는 이온주입박리법에 의하여 접합웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 상기 본드 웨이퍼를 박리한 후의 접합웨이퍼에 불활성 가스, 수소가스, 또는 이들의 혼합가스분위기하에서 열처리를 실시하고, 그 후, 이 접합웨이퍼에 열산화를 행하여 상기 박막의 표면에 열산화막을 형성하고, 이 열산화막을 제거하는 것에 의하여 상기 박막의 두께를 줄이는 접합 웨이퍼의 제조방법이다.
이것에 의하여, 이온주입박리법에 의해 제조된 접합웨이퍼의 박막의 막두께 균일성을 유지하면서 표면의 손상 및 결함을 확실히 제거할 수 있고, 그리고 양산기술로서 충분히 적용가능한 접합 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.

7. 发明公开

KR1020030089712A ＳＯＩ 웨이퍼 및 그 제조방법 无效
标题翻译： SOI晶片及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030089712A
公开(公告)日：2003-11-22
申请号：KR1020037013109
申请日：2002-03-29
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가히로지 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 본 발명에 의하면 이온 주입 박리법에 의하여 제작된 ＳＯＩ 웨이퍼이고，ＳＯＩ 웨이퍼 에지부에 발생한 베이스 웨이퍼 표면이 노출한 테라스 부의 ＳＯＩ도(島) 영역폭이 １ｍｍ보다 좁은 것 및 ＬＰＤ 검사로 검출된 ＳＯＩ층 표면에 존재한 사이즈가 ０．１９μｍ 이상의 피트상 결함의 밀도가 １ｃｏｕｎｔｓ／ｃｍ
2 이하인 ＳＯＩ 웨이퍼 및 그 제조 방법． 이것에 의해 이온 주입 박리법에 의하여 제작된 ＳＯＩ 웨이퍼에서 박리시에 생기는 ＳＯＩ도(島)의 발생을 억제함과 동시에，ＳＯＩ 웨이퍼 표면에 존재한 ＬＰＤ 결함 밀도를 저감한 ＳＯＩ 웨이퍼와 그 제조 방법을 제공하고，디바이스 불량을 저감할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020090064476A 접합기판의 제조방법 无效
标题翻译：粘结基材的生产方法
公开(公告)号：KR1020090064476A
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020097009265
申请日：2002-04-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 요코카와이사오 , 나카노마사타게 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要： A production method for bonded substrates comprising the step of joining at least two substrates, and the step of heat treating the joined substrates to firmly bond them, characterized in that the cleaning step of removing contaminants is carried out at least prior to joining the substrates, and then the step of drying cleaned substrate surfaces is carried out without using a water substituting method to leave water content on unjointed substrates, thereby increasing the joining strength of the joined substrates.The production method for a bonded substrate as described above can produce, with high productivity and yield, substrates enhanced in joining strength at the joint interface between joined substrates and free from defects such as voids and blisters at the joint interface between bonded substrates after bonded by heat treating.
摘要翻译：一种接合基材的制造方法，其特征在于，包括至少两个基板的接合工序以及对所述接合基板进行热处理以使其牢固结合的步骤，其特征在于，至少在接合所述基板之前进行除去污染物的清洗工序，然后在不使用取水方法的情况下进行干燥清洗的基板表面的步骤，以使其在未接合的基板上留下水分，从而提高接合基板的接合强度。如上所述的接合基板的制造方法可以与高的生产率和产率，在接合的基底之间的接合界面处的接合强度增加的基底，并且在通过热处理粘合后在接合的基底之间的接合界面处没有诸如空隙和起泡的缺陷。

9. 发明授权

KR100874724B1 접합 웨이퍼의 제조방법 有权
标题翻译： 접합웨이퍼의제조방법
公开(公告)号：KR100874724B1
公开(公告)日：2008-12-19
申请号：KR1020037003660
申请日：2002-07-09
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가히로지 , 토미자와신이치 , 미타니키요시
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10S438/977
摘要： A method for producing a bonded wafer by the ion implantation delamination method includes at least a step of bonding a bond wafer having a micro bubble layer formed by gaseous ion implantation and a base wafer serving as a support substrate and a step of delaminating the bond wafer at the micro bubble layer as a border to form a thin film on the base wafer. After the delamination of the bond wafer, the bonded wafer is subjected to a heat treatment in an atmosphere of an inert gas, hydrogen or a mixed gas thereof, then the bonded wafer is subjected to thermal oxidation to form a thermal oxide film on the surface of the thin film, and then the thermal oxide film is removed to reduce thickness of the thin film.
摘要翻译：通过离子注入剥离法制造键合晶片的方法至少包括以下步骤：将具有通过气体离子注入形成的微泡层和用作支撑衬底的基底晶片的键合晶片键合;以及将键合晶片剥离的步骤在微泡层处作为边界以在基底晶片上形成薄膜。在键合晶片分层之后，将键合晶片在惰性气体，氢气或其混合气体的气氛中进行热处理，然后对键合晶片进行热氧化以在表面上形成热氧化膜然后去除热氧化膜以减小薄膜的厚度。

10. 发明授权

KR100733112B1 접합웨이퍼의 제조방법 有权
标题翻译：粘结水泥生产方法
公开(公告)号：KR100733112B1
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：KR1020017007169
申请日：2000-09-29
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 나카노마사타케 , 미타니키요시 , 토미자와시니치
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/84
摘要： 적어도 베이스웨이퍼와 가스이온주입에 의해 형성된 미소기포층을 갖는 본드웨이퍼를 접합하는 공정과 상기 미소기포층을 경계로 하여 박리하는 공정을 포함하는 수소이온박리법에 의해 접합 웨이퍼를 제조하는 방법에 있어서, 박리공정후 베이스웨이퍼상에 형성된 박막의 주변부를 제거한다. 바람직하게는, 베이스웨이퍼의 외주단으로부터 1~5mm까지의 영역을 제거한다. 수소이온박리법으로 접합웨이퍼를 제조할 때, 그 웨이퍼의 주변부로부터 파티클이 발생하거나 SOI층 등에 크랙이 생기는 문제가 발생하지 않는 접합웨이퍼가 제조된다.

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