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1. 发明授权

KR102019658B1 SOI 웨이퍼의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102019658B1
公开(公告)日：2019-09-09
申请号：KR1020157005145
申请日：2013-07-30
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가,히로지 , 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/311

2. 发明授权

KR101729474B1 접합 ＳＯＩ 웨이퍼의 제조방법 및 접합 ＳＯＩ 웨이퍼 有权
标题翻译：制造键合SOI晶片的方法和制造键合SOI晶片的方法
公开(公告)号：KR101729474B1
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020127024972
申请日：2011-03-01
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 카토,마사히로 , 오카,사토시 , 코바야시,노리히로 , 이시즈카,토루 , 노토,노부히코
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/76254 , H01L29/78603
摘要： 본발명은, 실리콘단결정기판의주표면에에피텍셜층을기상성장시킨실리콘에피텍셜웨이퍼로서, 실리콘단결정기판의주표면은, [100]축으로대하여 (100)면으로부터 [011]방향또는 [0-1-1]방향으로각도θ만큼경사지고, [01-1]방향또는 [0-11]방향으로각도φ만큼경사지며, θ및 φ가 10´ 미만이고, 실리콘에피텍셜층의도펀트농도가 1×10/cm이상인것을특징으로하는실리콘에피텍셜웨이퍼이다. 이에의하여, 실리콘단결정기판주표면에, 도펀트농도가 1×10/cm이상의에피텍셜층이형성된에피텍셜웨이퍼에대해도, 에피텍셜층표면의호상의요철이억제된에피텍셜웨이퍼및 그제조방법, 상기실리콘에피텍셜웨이퍼를사용한접합 SOI 웨이퍼및 그제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明是一种具有外延层的单晶硅衬底的主表面上的汽相生长硅外延晶片，单晶硅衬底的主表面相对于所述轴线的[100] [011]方向或[0从表面100 -1-1]由角度θ倾斜的方向，角度φ成为由[01-1]方向或[0-11]方向倾斜，并且θ和φ小于10' 中，硅外延层的掺杂浓度 1×10 / cm或更多。以这种方式，在硅单结晶基板的主表面，1×10 / cm以上的外延层的掺杂剂浓度是外延形成也，外延层是条纹凹坑和凸起外延抑制晶片到晶片及其制造方法的在其表面上，提供了一种使用硅外延晶片的键合SOI晶片及其制造方法。

3. 发明公开

KR1020150087181A SOI 웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：KR1020150087181A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020157005866
申请日：2013-10-11
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가,히로지 , 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/316 , H01L27/118
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/26506 , H01L21/31111
摘要： 본발명은, 반도체단결정기판으로이루어진본드웨이퍼에산화막을형성하고, 이산화막을통해수소및 희가스중 적어도 1종류의가스이온을이온주입하여상기본드웨이퍼에이온주입층을형성하고, 이본드웨이퍼의이온주입한표면과베이스웨이퍼표면을상기산화막을개재하여접합한후, 상기이온주입층에서상기본드웨이퍼를박리함으로써 SOI 웨이퍼를제작하는 SOI 웨이퍼의제조방법에있어서, 상기본드웨이퍼에형성하는산화막을, 접합면의산화막보다배면의산화막을두껍게하는 SOI 웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 이온주입박리법에의해박리한경우에발생하는 SOI 웨이퍼와박리후의본드웨이퍼의휨형상에기인하여발생하는스크래치나 SOI 막두께이상을억제할수 있는 SOI 웨이퍼의제조방법이제공된다.

4. 发明授权

KR102022504B1 접합 웨이퍼의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102022504B1
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：KR1020157033535
申请日：2014-03-25
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이시즈카,토루 , 코바야시,노리히로
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/683 , H01L27/12

5. 发明公开

KR1020150093703A SOI웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：KR1020150093703A
公开(公告)日：2015-08-18
申请号：KR1020157015578
申请日：2013-11-07
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가,히로지 , 요코카와,이사오 , 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/265 , H01L21/76251 , H01L27/12
摘要： 본 발명은, 반도체 단결정 기판으로 이루어지는 본드웨이퍼의 표면으로부터 수소 및 희가스 중 1종류 이상의 가스이온을 이온주입하여 이온주입층을 형성하고, 이 본드웨이퍼의 이온주입한 표면과 베이스웨이퍼 표면을 산화막을 개재하여 접합한 후, 열처리로에서 박리열처리를 행하여 상기 이온주입층에서 본드웨이퍼를 박리함으로써 SOI웨이퍼를 제작하는 SOI웨이퍼의 제조방법에 있어서, 상기 박리열처리 후, 3.0℃/min보다 느린 강온속도로 250℃ 이하까지 강온하고 나서 박리 후의 SOI웨이퍼 및 본드웨이퍼를 열처리로로부터 취출하는 SOI웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, 스크래치 및 SOI막두께 이상이 억제된 SOI웨이퍼를 제조할 수 있는 방법이 제공된다.

6. 发明公开

KR1020150052041A SOI 웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：KR1020150052041A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：KR1020157005145
申请日：2013-07-30
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가,히로지 , 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26533 , H01L21/31105
摘要： 본발명은, 접합전에절연막을적어도본드웨이퍼의전체면에형성하고, 이온주입층에서본드웨이퍼를박리하기전의접합웨이퍼를, 본드웨이퍼의접합면과는반대측인배면의절연막을보호하면서, 절연막을용해가능한액체에접촉시키거나, 절연막을용해가능한기체에노출시킴으로써, 본드웨이퍼와베이스웨이퍼사이에위치하는절연막을, 접합웨이퍼의외주단으로부터중심방향으로에칭하는공정을갖는 SOI 웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 본드웨이퍼에절연막을형성하여접합을행할때에, 테라스의폭을제어하여, SOI 섬의발생을방지함과함께, 스크래치및 SOI막두께분포이상(異常)을억제할수 있는 SOI 웨이퍼의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明中，而一个绝缘膜贴合至少将接合晶片之前，剥离在离子注入层将接合晶片的贴合晶片，和键合晶片的结合表面的整个表面之前形成是相反的一侧的背面上的保护绝缘膜，绝缘膜溶解在液体中，或可能的话，通过暴露可溶性气体，在结合晶片与具有被称为位于基底晶片，从周缘令人惊讶的键合晶片之间的绝缘膜的中心方向的处理的SOI晶片的绝缘膜的制造方法接触。因此，当在键合片上形成绝缘膜并进行键合时，控制台的宽度以防止发生SOI岛，并抑制划痕和SOI膜厚度分布异常。提供方法。

7. 发明公开

KR1020150013164A SOI 웨이퍼의 제조방법 审中-实审
标题翻译： SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：KR1020150013164A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020147031656
申请日：2013-04-19
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가,히로지 , 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/31 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/2007 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3226 , H01L21/76251 , H01L21/76256
摘要： 본 발명은, 절연막을 적어도 베이스웨이퍼의 전체면에 형성하고, 이온 주입층에서 본드웨이퍼를 박리하기 전의 접합웨이퍼를, 베이스웨이퍼의 접합면과는 반대측인 배면의 절연막을 보호하면서, 절연막을 용해 가능한 액체에 접촉시키거나, 절연막을 용해 가능한 기체에 노출함으로써, 본드웨이퍼와 베이스웨이퍼의 사이에 위치하는 절연막을, 접합웨이퍼의 외주단으로부터 중심방향으로 에칭하는 공정을 가지는 SOI 웨이퍼의 제조방법이다. 이에 따라, 베이스웨이퍼에 절연막을 형성하여 접합을 행할 때에, 테라스폭을 제어하고, SOI도의 발생을 방지함과 함께, SOI 웨이퍼의 휨을 억제할 수 있는 SOI 웨이퍼의 제조방법이 제공된다.
摘要翻译：本发明提供了一种制造SOI晶片的方法，其中至少在基片的所有表面上形成绝缘膜，同时在绝缘膜的相对侧的背面保护绝缘膜的第一部分，基底晶片的表面，沿着注入离子的层分离接合晶片之前的接合晶片与能够溶解绝缘体膜或暴露于能够溶解绝缘体膜的气体的液体接触，使得第二插入接合晶片和基底晶片之间的绝缘体膜的一部分从接合晶片的外周边缘朝向接合晶片的中心蚀刻。该方法可以控制平台宽度，防止SOI岛的出现，并且在与其上形成有绝缘膜的基底晶片的接合工艺中抑制SOI晶片的翘曲。

8. 发明授权

KR101901872B1 SOI웨이퍼의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101901872B1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：KR1020157015578
申请日：2013-11-07
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 아가,히로지 , 요코카와,이사오 , 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/0223 , H01L21/02255 , H01L21/265 , H01L21/76251 , H01L27/12
摘要： 본발명은, 반도체단결정기판으로이루어지는본드웨이퍼의표면으로부터수소및 희가스중 1종류이상의가스이온을이온주입하여이온주입층을형성하고, 이본드웨이퍼의이온주입한표면과베이스웨이퍼표면을산화막을개재하여접합한후, 열처리로에서박리열처리를행하여상기이온주입층에서본드웨이퍼를박리함으로써 SOI웨이퍼를제작하는 SOI웨이퍼의제조방법에있어서, 상기박리열처리후, 3.0℃/min보다느린강온속도로 250℃이하까지강온하고나서박리후의 SOI웨이퍼및 본드웨이퍼를열처리로로부터취출하는 SOI웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 스크래치및 SOI막두께이상이억제된 SOI웨이퍼를제조할수 있는방법이제공된다.

9. 发明授权

KR101855812B1 접합웨이퍼의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101855812B1
公开(公告)日：2018-05-10
申请号：KR1020147029823
申请日：2013-04-02
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 이시즈카,토루
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/58 , H01L21/78 , H05H1/46 , H01L27/12 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76254 , H01J37/32412 , H01L21/02043 , H01L21/306 , H01L21/6875
摘要： 본발명은, 접합웨이퍼의제조방법에있어서, 접합공정전에, 본드웨이퍼및 베이스웨이퍼중 적어도한쪽의접합면에대하여플라즈마활성화처리를행하는공정을가지며, 상기플라즈마활성화처리공정에있어서, 상기본드웨이퍼및 상기베이스웨이퍼중 적어도한쪽의이면을스테이지상에점접촉혹은선접촉시킨상태로재치하면서상기플라즈마활성화처리를행하는것을특징으로하는접합웨이퍼의제조방법이다. 이에따라, 플라즈마활성화처리를행할때에, 웨이퍼이면에파티클등의부착물이증가하는것을억제하고, 특히플라즈마활성화처리후의웨이퍼를배치식세정기로세정할때에, 웨이퍼의접합면에부착물이재부착되는것을방지할수 있는접합웨이퍼의제조방법이제공된다.

10. 发明授权

KR101846931B1 접합 SOI 웨이퍼의 제조방법 有权
标题翻译：制造键合SOI晶片的方法
公开(公告)号：KR101846931B1
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：KR1020147020725
申请日：2012-12-26
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 코바야시,노리히로 , 이시즈카,토루 , 아가,히로지
IPC分类号： H01L21/84 , H01L27/12 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/2253 , H01L21/2255 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/3247
摘要： 본발명은, 이온주입박리법에의해얻어진박리후의접합 SOI 웨이퍼에대하여 RTO처리를행하고, 이 RTO처리에의해상기 SOI층표면에형성된산화막을제거한후, 상기 SOI층표면의실리콘원자에마이그레이션을발생시키는평탄화열처리를행하여상기 SOI층표면을평탄화하고, 그후, 희생산화처리를행하여상기 SOI층의막두께를조정하는것을특징으로하는접합 SOI 웨이퍼의제조방법이다. 이에의해, SOI층표면의표면거칠기를충분히저감하고, 또한, SOI층표면의깊은피트가저감된고품질의 SOI층을갖는 SOI 웨이퍼를효율좋게제조할수 있는접합 SOI 웨이퍼의제조방법이제공된다.
摘要翻译：本发明中，离子注入是通过剥离方法剥离获得之后进行的键合SOI晶片上的RTO处理，然后由RTO工艺去除形成在SOI层的表面上的氧化膜，导致迁移到SOI层表面的硅原子经受用于制造键合的SOI晶片，其特征在于，平坦化SOI层表面平坦化的方法加热处理，其后，进行牺牲氧化处理来调整SOI层的膜厚度。其结果是，在充分地降低SOI层表面的表面粗糙度，另外，设置在SOI层键合SOI晶片的制造方法，其可深凹坑被有效地制备具有表面的降低的质量的SOI层中的SOI晶片。

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