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61. 发明授权

KR100742494B1 박막 트랜지스터 및 유기 일렉트로루미네센스 표시 장치 失效
标题翻译：薄膜晶体管和有机电致发光显示装置
公开(公告)号：KR100742494B1
公开(公告)日：2007-07-24
申请号：KR1020060099204
申请日：2006-10-12
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 이께다교지 , 나까이신고 , 오가와다까시 , 우에스기겐야
IPC分类号： H05B33/22
CPC分类号： H01L29/78633 , H01L27/3272 , H01L29/78621 , H01L51/5284
摘要： 본 발명은 외광에 의한 광전류의 발생을 억제함과 함께, 박막 트랜지스터의 특성(예를 들면 임계값)의 변동을 작게 한다. 절연 기판(1)에 아몰퍼스 실리콘을 레이저 어닐에 의해 다결정화해서 이루어지는 능동층(2)(반도체층)이 형성되고, 이 능동층(2) 내에, 서로 대향해서 드레인 영역(2d)과 소스 영역(2s)이 형성되어 있다. 드레인 영역(2d)과 소스 영역(2s)은, 각각 n
- 층과 n
+ 층이 인접해서 형성되어 있는 구조를 갖고 있다. 드레인 영역(2d)의 n
- 층과 소스 영역(2s)의 n
- 층 사이에 p형의 채널 영역(2c)이 형성되어 있다. 드레인 영역(2d)의 n
- 층과 채널 영역(2c)의 경계 영역만을 피복해서 형성되고, 절연 기판(1)을 통하여 경계 영역에 입사하는 외광을 차광하기 위한 차광층(3d)이 형성되어 있다.
능동층, 게이트 전극, 소스 영역, 차광층
摘要翻译：本发明抑制了由于外部光引起的光电流的产生并且减小了薄膜晶体管的特性（例如阈值）的变化。通过激光退火对非晶硅进行多晶化而形成的有源层2（半导体层）形成在绝缘基板1和漏极区域2d以及源极区域 2s形成。漏极区域2d和源极区域2s由n形成

62. 发明公开

KR1020070075316A 표시 장치 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR1020070075316A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：KR1020070002826
申请日：2007-01-10
申请人： 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤
发明人： 세가와야스오 , 오노기도모히데
IPC分类号： G02F1/1368 , H01L29/786
CPC分类号： G02F1/136209 , G02F1/136213 , G02F1/136227 , H01L27/1255 , H01L29/41733 , H01L29/78621 , H01L29/78633 , H01L29/78696 , H01L27/12 , H01L27/13
摘要： A display device is provided to reduce a leak current of a TFT(Thin Film Transistor) of a pixel due to backlight or external light, thereby improving the display quality of an LCD, by forming a light shielding layer below a semiconductor layer. A plurality of pixels are formed on a first substrate(100). Each of the pixels includes a gate line(20) crossing a semiconductor layer(10) with a gate insulation layer(11) therebetween, a drain line(17) connected to a drain region(10d) through a first contact hole(C1) and covering an upper portion of the semiconductor layer extended from a crossing portions, and a source electrode(18) connected to a source region(10s) through a second contact hole(C2) and covering the upper portion of the semiconductor layer extended from the crossing portion. A light shielding layer(12) is formed below the semiconductor layer with a buffer layer(13) therebetween. The light shielding layer shields the semiconductor layer from light.
摘要翻译：提供一种显示装置，用于通过在半导体层下方形成遮光层来减少由于背光或外部光引起的像素的TFT（薄膜晶体管）的泄漏电流，从而提高LCD的显示质量。在第一基板（100）上形成多个像素。每个像素包括与半导体层（10）之间的栅极绝缘层（11）交叉的栅极线（20），经由第一接触孔（C1）连接到漏极区域（10d）的漏极线（17）并且覆盖从交叉部分延伸的半导体层的上部，以及源电极（18），其通过第二接触孔（C2）连接到源极区域（10s），并覆盖从所述第二接触孔（C2）延伸的半导体层的上部交叉部分。在半导体层的下方形成有遮光层（12），其间具有缓冲层（13）。遮光层遮蔽半导体层不受光影响。

63. 发明授权

KR100733892B1 반도체장치 有权
公开(公告)号：KR100733892B1
公开(公告)日：2007-07-02
申请号：KR1020000018404
申请日：2000-04-08
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 다카야마토루 , 하마타니토시지
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： G02F1/13454 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78684
摘要： 본 발명은 액티브 매트릭스형 표시장치의 화면의 대면적화를 가능하게 하는 게이트 전극 및 게이트 배선을 제공하는 것을 목적으로 하고, 이 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 구성은, 표시 영역에 설치된 화소 TFT와, 그 표시 영역 주변에 설치된 구동회로 TFT를 동일 기판상에 가지는 반도체장치에 있어서, 화소 TFT 및 구동회로 TFT의 게이트 전극들이 제1 도전층으로 형성되고, 이들 게이트 전극은 제2 도전층으로 형성된 게이트 배선과 접속부를 통해 전기적으로 접촉되고, 그 접속부는 화소 TFT 및 구동회로 TFT의 채널 형성 영역 외측으로 설치된다.

64. 发明公开

KR1020070060160A 에칭 방법 및 반도체장치의 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件的蚀刻方法和制造方法
公开(公告)号：KR1020070060160A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020077010574
申请日：2005-10-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 사사가와신야 , 모노에시게하루
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/31116 , H01L27/1214 , H01L29/78621
摘要： The present invention discloses technique of etching selectively a layer containing siloxane. The present invention provides a semiconductor device with reduced operation deterioration due to etching failure. A method for manufacturing a semiconductor device comprises steps of forming a conductive layer electrically connecting to a transistor, an insulating layer covering the conductive layer, and a mask formed over the insulating layer; and etching the insulating layer with a processing gas including a hydrogen bromide gas.
摘要翻译：本发明公开了选择性地蚀刻含有硅氧烷的层的技术。本发明提供一种半导体器件，其由于蚀刻失效而导致操作劣化减小。一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成电连接到晶体管的导电层，覆盖导电层的绝缘层和形成在绝缘层上的掩模; 并用包括溴化氢气体的处理气体蚀刻绝缘层。

65. 发明公开

KR1020070052252A 반도체 디바이스 및 이를 제작하는 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070052252A
公开(公告)日：2007-05-21
申请号：KR1020070039389
申请日：2007-04-23
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 수자와히데오미 , 오노코지 , 타카야마토루
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66598 , H01L29/78621 , H01L2029/7863
摘要： In the fabrication of semiconductor devices such as active matrix displays, the need to pattern resist masks in photolithography increases the number of steps in the fabrication process and the time required to complete them and consequently represents a substantial cost. This invention provides a method for forming an impurity region in a semiconductor layer 303 by doping an impurity element into the semiconductor layer self-aligningly using as a mask the upper layer (a second conducting film 306) of a gate electrode formed in two layers. The impurity element is doped into the semiconductor layer through the lower layer of the gate electrode (a first conducting film 305), and through a gate insulating film 304. By this means, an LDD region 313 of a GOLD structure is formed in the semiconductor layer 303.
摘要翻译：当制造诸如有源矩阵显示器的半导体器件时，需要在光刻中图案化抗蚀剂掩模增加完成它们所需的制造步骤的数量和时间，从而增加实际成本。本发明的特征在于，使用由两层形成的栅电极的顶层（第二导电膜306）作为掩模，通过以自对准方式掺杂半导体层来掺杂杂质元素， Lt。杂质元素通过栅极电极和栅极绝缘膜304的下层（第一导电膜305）掺杂到半导体层。结果，在半导体层303中形成GOLD结构的LDD区域313。

66. 发明授权

KR100714946B1 일렉트로 루미네센스 표시 장치 有权
标题翻译：电致发光显示装置
公开(公告)号：KR100714946B1
公开(公告)日：2007-05-07
申请号：KR1020000002561
申请日：2000-01-20
申请人： 산요덴키가부시키가이샤
发明人： 야마다쯔또무
IPC分类号： H05B33/00
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78672
摘要： 고속의 기록과 유지 특성이 좋은 제1 TFT와, 전류 제어성이 좋은 제2 TFT를 구비하고 있으므로, 양호한 계조 표시가 가능한 EL 표시 장치를 제공한다.
스위칭용의 제1 TFT(30)와, 유기 EL 소자 구동용의 제2 TFT와, 양극(61), 음극(66) 및 상기 양전극 사이에 끼워진 발광 소자층(65)으로 이루어지는 유기 EL 소자(60)를 구비한 유기 EL 표시 장치로서, 제1 TFT(30)는 n형 채널을 지니고 LDD 구조를 구비하고 있고, 제2 TFT는 p형 채널을 갖고 있는 구조이므로, 온전류를 높게 누설 전류를 작게 할 수가 있음과 함께, 양호한 계조 표시를 얻을 수 있다.
게이트, 소스, 드레인, 채널, LDD 영역, TFT , 구동 전원, 유기 EL 소자
摘要翻译：提供了一种能够令人满意的灰度显示的EL显示装置，因为它包括具有高速写入和维持特性的第一TFT和具有高电流可控性的第二TFT。

67. 发明授权

KR100707887B1 표시장치 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR100707887B1
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020050044449
申请日：2005-05-26
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H01L29/786 , H05B33/04
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는데 있다. 화소 내에 형성되는 스위칭용 TFT(201)는 멀티게이트 구조되어 있어, 오프 전류값의 감소에 중점을 둔 구조로 되어 있다. 또한, 전류제어용 TFT(202)는 스위칭용 TFT의 채널 폭보다 더 넓은 채널 폭을 가져, 대전류를 흐르게 하는데 적절한 구조로 되어 있다. 또한, 전류제어용 TFT(202)의 LDD 영역(33)은 게이트 전극(35)의 일부와 겹치도록 형성되어, 핫 캐리어 주입 방지 및 오프 전류값의 감소에 중점을 둔 구조로 되어 있다.
전기광학장치, EL 표시장치, 스위칭용 TFT, 전류제어용 TFT, LDD 영역
摘要翻译：本发明的目的是提供具有高操作性能和高可靠性的EL显示装置。形成在像素中的开关TFT 201具有多栅极结构，并着眼于截止电流值的减小。此外，电流控制TFT202具有比开关TFT的沟道宽度更宽的沟道宽度，并且具有适于流过大电流的结构。电流控制TFT202的LDD区域33被形成为与栅电极35的一部分重叠，并着眼于防止热载流子注入和关断电流值的降低。

68. 发明公开

KR1020070032974A ＥＬ 디스플레이 디바이스 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： EL显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070032974A
公开(公告)日：2007-03-23
申请号：KR1020070019382
申请日：2007-02-27
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이
IPC分类号： H05B33/26 , H01L31/12 , H05B33/02
CPC分类号： H01L51/5225 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3281 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L51/5203 , H01L51/5206 , H01L51/5231 , H01L51/5268 , H01L51/5281 , H01L2251/5315 , H01L2251/5353
摘要： EL 디스플레이 디바이스 및 EL 디스플레이 디바이스가 구비된 전자 디바이스의 제작 비용을 감소시키는 것이 목적이다. 돌출부들이 캐소드 표면상에 형성된 텍스쳐 구조(textured structure)가 사용된다. 외부 미광(external stray light)은 상기 캐소드 표면에 의해 반사될 때, 돌출부들의 작용에 의해 난반사(불규칙적으로)되며, 그러므로 관찰자의 얼굴 또는 주위 경치가 캐소드 표면에서 반사되는 결점이 방지될 수 있다. 이것은 일반적으로 필요한 높은 가격의 원형 편광막(circular polarizing film)을 사용하지 않고 완성될 수 있으며, 그러므로 EL 디스플레이 디바이스의 제작 비용을 감소시키는 것이 가능하다.
EL 디스플레이 디바이스, 캐소드, 외부 미광, 돌출부, 난반사
摘要翻译：目的是降低EL显示装置和具有该EL显示装置的电子装置的制造成本。使用纹理结构，其中在阴极表面上形成突起。当由杂散光外的阴极表面（杂散外部光），和漫反射（不规则的），由于突起的作用，因此观察者的面部或周围的景色可以防止从阴极表面反射的缺点反射。这可以在不使用通常需要的高价圆偏振膜的情况下完成，因此可以降低EL显示装置的制造成本。

69. 发明公开

KR1020070029040A 박막트랜지스터, 반도체장치, 표시장치, 결정화방법, 및박막트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：薄膜晶体管，半导体器件，显示器，结晶方法和制造薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020070029040A
公开(公告)日：2007-03-13
申请号：KR1020060048616
申请日：2006-05-30
申请人： 가부시키가이샤 에키쇼센탄 기쥬쓰 가이하쓰센타
发明人： 가토토모야 , 마츠무라마사키요 , 나카자키요시아키
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L29/04 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78675 , H01L29/78678
摘要： A thin film transistor, a semiconductor device, a display device, a crystallizing method, and a method for manufacturing the thin film transistor are provided to enhance the mobility and to minimize the nonuniformity of mobility and threshold voltage characteristics. A thin film transistor includes a substrate, a semiconductor thin film directly or indirectly arranged on the substrate, a grain array, and source/drain regions. The grain array(5) is formed on the semiconductor thin film. The grain array is composed of a band type grains adjacent to each other. The source/drain regions(S,D) include a plurality of grains of the grain array to flow current in a longitudinal direction of the grain.
摘要翻译：提供薄膜晶体管，半导体器件，显示器件，结晶方法以及制造薄膜晶体管的方法，以增强迁移率并最小化迁移率和阈值电压特性的不均匀性。薄膜晶体管包括基板，直接或间接布置在基板上的半导体薄膜，晶粒阵列和源极/漏极区域。晶粒阵列（5）形成在半导体薄膜上。晶粒阵列由彼此相邻的带状晶粒组成。源极/漏极区域（S，D）包括晶粒阵列的多个晶粒以沿着晶粒的纵向方向流动电流。

70. 发明授权

KR100685239B1 트랜지스터어레이 및 그 제조방법 및 화상처리장치 有权
标题翻译：一种晶体管阵列，其制造方法和图像处理装置
公开(公告)号：KR100685239B1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050007875
申请日：2005-01-28
申请人： 가시오게산키 가부시키가이샤
发明人： 사사키가즈히로 , 마츠모토히로시 , 스미시노부
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L21/8221 , H01L27/1251 , H01L29/78621
摘要： 본 발명은 트랜지스터어레이 및 그 제조방법 및 그것을 이용한 화상처리장치에 관한 것으로서,
기판상에 복수의 트랜지스터가 설치된 트랜지스터어레이 및 그것을 이용한 화상처리장치는 상기 기판상에 형성된 폴리실리콘으로 이루어지는 제 1 반도체층을 이용하여 형성된 복수의 폴리실리콘박막트랜지스터와, 상기 제 1 반도체층보다도 상층측에 설치된 비정질실리콘으로 이루어지는 제 2 반도체층을 이용하여 형성된 복수의 비정질실리콘박막트랜지스터 구조를 갖는 기능소자를 구비하는 것이며, 여기에서 상기 폴리실리콘박막트랜지스터 및 상기 기능소자는 도전체층으로 이루어지는 복수의 전극층을 갖는 예를 들면 상기 기능소자의 적어도 어느 쪽인가 1개의 상기 전극층은 상기 폴리실리콘박막트랜지스터의 어느 쪽인가 1개의 상기 전극층과 같은 층에 설치되는 것을 특징으로 한다.
트랜지스터어레이, 폴리실리콘박막트랜지스터, 비정질실리콘박막트랜지스터, 반도체층, 게이트전극, 절연막

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