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1. 发明授权

KR100952320B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100952320B1
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020090108435
申请日：2009-11-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 마루야마준야 , 고토유고 , 크와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要： 본 발명은 곡면(curved surface)을 갖는 기저부(base)에, 피박리층(a layer to be peeled)을 부착시킨 반도체 장치, 및 그의 제조 방법, 더욱 특히 곡면을 갖는 디스플레이 장치, 및 더욱 상세하게는 곡면을 갖는 기저부에 부착된 발광 소자를 갖는 발광 장치를 제공한다. 금속층이거나 질화물층인 제1 재료층과, 산화물층인 제2 재료층의 라미네이트를 사용하여 기판에 탑재된 발광소자를 포함하는 피박리층을 막(film) 위에 전사시킨 다음에, 이 막과 이 피박리층을 만곡(curve)시킴으로써, 곡면을 갖는 디스플레이 장치를 생성한다.
반도체 장치, 박리, 제조, 발광장치, 층
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，其中待剥离层被粘附到具有弯曲表面的基底上，并且更具体地涉及具有弯曲表面的显示装置，提供了一种发光器件，该发光器件具有附着到具有弯曲表面的基底的发光元件。其中金属层或在第一材料层的氮化物层和第二材料层的氧化物层，转移层，以通过使用层压材料，包括所述下，在膜和安装在该基板上在所述层（膜）的发光元件被剥离通过使要剥离的层弯曲，制造具有弯曲表面的显示装置。

2. 发明授权

KR100944886B1 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100944886B1
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：KR1020020066205
申请日：2002-10-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 마루야마준야 , 다카야마토루 , 고토유고
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76275 , H01L21/308 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L27/32 , H01L29/78603 , H01L51/0024 , H01L51/56
摘要： 경량이고, 유연한(벤딩 가능한) 전체적으로 얇은 반도체 소자(박막 트랜지스터, 박막 다이오드, 실리콘 PIN 접합의 광전 변환 소자, 또는 실리콘 저항 소자)를 구비하는 반도체 장치와, 그 반도체 장치를 제조하는 방법이 제공된다. 본 발명에서, 소자는 플라스틱 막에 형성되지 않는다. 대신에, 기판과 같은 평평한 보드, 폼(form)으로 사용되고, 기판(제 3 기판(17))과 소자를 포함하는 층(박리된 층(13))간의 공간은, 제 2 접착제(16)로서 작용하는 응고제(통상적으로, 접착제)로 충전되고, 응고 접착제(제 2 접착제(16))만으로 소자를 포함하는 층(박리된 층(13))을 유지하기 위해 접착제를 응고한 후, 폼으로 사용되는 기판(제 3 기판(17))을 박리한다. 이러한 방법으로, 본 발명은 박막화와 경량화를 달성할 수 있다.
반도체 장치, 막, 기판, 박리, 박막
摘要翻译：具有（弯曲可能），薄半导体器件作为一个整体（薄膜晶体管，该薄膜光电转换元件，或二极管，硅PIN结的硅电阻元件）的重量轻，而且柔性半导体装置中，提供了制造半导体器件的方法。在本发明中，元件不形成在塑料膜中。而是，基板（第三基板17）和包含器件的层（剥离层13）之间的空间用作第二粘合剂16 凝结剂作用填充有（通常用粘接剂）之后，固化粘接剂固化粘接剂，以保持（第二粘合剂16）层（分离层13）仅包括装置，用于形成（第三基板17）被剥离。这样，本发明可以实现减薄和减轻。

3. 发明公开

KR1020070120080A 자동차 有权
标题翻译：汽车
公开(公告)号：KR1020070120080A
公开(公告)日：2007-12-21
申请号：KR1020070122256
申请日：2007-11-28
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 마루야마준야 , 고토유고 , 크와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： B60K35/00 , H01L23/50
CPC分类号： H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要： A vehicle having a display unit having a layer to be peeled off attached to a base member having a curved surface is provided to dispose a light emitting device, and to mount the display unit on any curved surfaces by laminating OLED(Organic Light Emitting Device) comprising organic chemical compounds on a substrate having a flexible adhesive base layer. A vehicle having a layer to be peeled off attached to a base member having a curved surface includes a front glass, a sheet corresponding to the front glass, a ceiling above the sheet, and a light emitting device attached on the sheet. The light emitting device is an OLED(Organic Light Emitting Device) disposed on a substrate(10). The OLED has first, second electrodes, and a light emitting layer disposed between first and second electrodes. The light emitting layer is composed of organic chemical compounds. The light emitting device is a passive type matrix. The light emitting layer includes a light emitting material emitting fluorescence. The light emitting layer includes light emitting material emitting phosphorescence. The organic chemical compound is a high molecular compound. An adhesive layer is disposed on the substrate. The substrate is a flexible substrate.
摘要翻译：提供具有具有附着到具有弯曲表面的基底构件上的要剥离的层的显示单元的车辆以设置发光装置，并且通过层叠OLED（有机发光装置）将显示单元安装在任何曲面上，包括在具有柔性粘合剂基层的基材上的有机化合物。具有附接到具有弯曲表面的基底构件上的要剥离的层的车辆包括前玻璃，与前玻璃相对应的片材，在片材上方的天花板以及附着在片材上的发光装置。发光器件是设置在衬底（10）上的OLED（有机发光器件）。 OLED具有第一，第二电极和设置在第一和第二电极之间的发光层。发光层由有机化合物组成。发光器件是无源型矩阵。发光层包括发射荧光的发光材料。发光层包括发射磷光的发光材料。有机化合物是高分子化合物。粘合剂层设置在基底上。基板是柔性基板。

4. 发明公开

KR1020030017393A 박리 방법 및 반도체 장치 제조 방법 有权
标题翻译：用于制造半导体器件的剥离方法和方法
公开(公告)号：KR1020030017393A
公开(公告)日：2003-03-03
申请号：KR1020020049677
申请日：2002-08-22
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 마루야마준야 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1266 , B32B7/06 , B32B43/006 , B32B2310/0843 , B32B2457/08 , B32B2457/14 , G02F1/1368 , G02F2001/13613 , H01L21/3221 , H01L21/76251 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L29/6675 , H01L29/66757 , H01L29/78663 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2227/323 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y10S438/977 , Y10T156/1137 , Y10T156/1939
摘要： PURPOSE: A peeling method is provided to peel not only a layer to be peeled having a small area but also a layer to be peeled having a large area over the entire surface at a high yield without a damage to the layer to be peeled. CONSTITUTION: Processing for partially reducing contact property between the first material layer(11) and the second material layer(12)(laser light irradiation, pressure application, or the like) is performed before peeling. Peeling is conducted by physical unit. Sufficient separation can be easily conducted in an inner portion of the second material layer or an interface thereof.
摘要翻译：目的：提供剥离方法，以高产率剥离整个表面上具有小面积的被剥离层，而且剥离面积大的区域，而不会损坏待剥离层。构成：在剥离之前进行用于部分降低第一材料层（11）和第二材料层（12）之间的接触性能的处理（激光照射，压力施加等）。剥皮是通过物理单位进行的。在第二材料层或其界面的内部可以容易地进行分离。

5. 发明公开

KR1020010008453A 반도체장치 제작방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020010008453A
公开(公告)日：2001-02-05
申请号：KR1019990002854
申请日：1999-01-29
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 장홍용 , 야마자키순페이 , 다케무라야스히코
IPC分类号： H01L21/205
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to form a semiconductor layer endured under a thermal process condition of a temperature of 550 degrees centigrade during 4 hours. CONSTITUTION: A material for crystallizing a silicon is added on a semiconductor layer including an amorphous silicon formed on an insulating surface. A thermal process for the semiconductor layer is performed to obtain the crystallized semiconductor layer. Phosphorus ions are implanted a selected region of the crystallized semiconductor layer except for a channel region of a thin film transistor. An annealing process for the crystallized semiconductor layer is performed.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以形成在550℃的温度下在4小时内承受的半导体层。构成：在绝缘表面上形成的包含非晶硅的半导体层上添加用于结晶硅的材料。进行半导体层的热处理，得到结晶化的半导体层。除了薄膜晶体管的沟道区域之外，磷离子注入结晶化半导体层的选定区域。进行结晶半导体层的退火处理。

6. 发明公开

KR1019940020514A 반도체 제작방법 및 반도체장치 제작방법 失效
公开(公告)号：KR1019940020514A
公开(公告)日：1994-09-16
申请号：KR1019940002195
申请日：1994-02-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 장홍용 , 야마자키순페이 , 다케무라야스히코
IPC分类号： H01L21/205

7. 发明授权

KR101243622B1 디스플레이 장치를 포함하는 자동차 有权
公开(公告)号：KR101243622B1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020100092767
申请日：2010-09-24
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 마루야마준야 , 고토유고 , 크와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： B60K35/00 , H01L23/50 , B60K37/02
CPC分类号： H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要： 본 발명은 곡면(curved surface)을 갖는 기저부(base)에, 피박리층(a layer to be peeled)을 부착시킨 반도체 장치, 및 그의 제조 방법, 더욱 특히 곡면을 갖는 디스플레이 장치, 및 더욱 상세하게는 곡면을 갖는 기저부에 부착된 발광 소자를 갖는 발광 장치를 제공한다. 금속층이거나 질화물층인 제1 재료층과, 산화물층인 제2 재료층의 라미네이트를 사용하여 기판에 탑재된 발광소자를 포함하는 피박리층을 막(film) 위에 전사시킨 다음에, 이 막과 이 피박리층을 만곡(curve)시킴으로써, 곡면을 갖는 디스플레이 장치를 생성한다.

8. 发明授权

KR101095294B1 자동차 有权
标题翻译：一辆汽车
公开(公告)号：KR101095294B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020070122256
申请日：2007-11-28
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 마루야마준야 , 고토유고 , 크와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： B60K35/00 , H01L23/50
CPC分类号： H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要： 본 발명은 곡면(curved surface)을 갖는 기저부(base)에, 피박리층(a layer to be peeled)을 부착시킨 반도체 장치, 및 그의 제조 방법, 더욱 특히 곡면을 갖는 디스플레이 장치, 및 더욱 상세하게는 곡면을 갖는 기저부에 부착된 발광 소자를 갖는 발광 장치를 제공한다. 금속층이거나 질화물층인 제1 재료층과, 산화물층인 제2 재료층의 라미네이트를 사용하여 기판에 탑재된 발광소자를 포함하는 피박리층을 막(film) 위에 전사시킨 다음에, 이 막과 이 피박리층을 만곡(curve)시킴으로써, 곡면을 갖는 디스플레이 장치를 생성한다.
반도체 장치, 박리, 제조, 발광장치, 층

9. 发明公开

KR1020090122170A 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020090122170A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：KR1020090108435
申请日：2009-11-11
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 다카야마토루 , 마루야마준야 , 고토유고 , 크와바라히데아키 , 야마자키순페이
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L27/1266 , B60R1/00 , B60R11/0229 , B60R11/04 , B60R2011/004 , B60R2300/202 , B60R2300/802 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L27/1218 , H01L27/3244 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2227/323 , H01L2227/326
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to obtain a circuit comprised of the transferred thin film transistors by attaching a layer to be stripped to a base unit. CONSTITUTION: A layer(11b) to be stripped including one of a light emitting device and a semiconductor device is formed on a first substrate(10). The layer containing an organic compound functions as a light emitting layer. The layer to be stripped and a film coated on the layer to be stripped layer are interposed between the first substrate and the second substrate by attaching the second substrate to the film coated on the layer to be stripped with a first adhesive. The layer to be stripped and the first substrate are separated. The layer to be stripped is interposed between the second substrate and the third substrate by attaching the third substrate to the layer to be stripped with the second adhesive. The film, the second adhesive, and the third substrate are used as the supporter by separating the film and the second substrate. The third substrate is bent.
摘要翻译：目的：提供一种制造半导体器件的方法，以通过将要剥离的层附接到基底单元来获得由所转印的薄膜晶体管构成的电路。构成：在第一衬底（10）上形成包括发光器件和半导体器件中的一个的要剥离的层（11b）。含有有机化合物的层用作发光层。要剥离的层和涂覆在待剥离层上的膜被插入在第一基板和第二基板之间，通过用第一粘合剂将第二基板附接到涂覆在待剥离层上的膜上。要剥离的层和第一衬底被分离。通过用第二粘合剂将第三基板附着到待剥离的层上，将待剥离的层插入在第二基板和第三基板之间。通过分离膜和第二基板，将膜，第二粘合剂和第三基板用作支撑体。第三基板弯曲。

10. 发明授权

KR100793044B1 반도체 장치 제조방법 有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR100793044B1
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020010031760
申请日：2001-06-07
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 아라오타츠야 , 수자와히데오미 , 오노코지 , 다카야마토루
IPC分类号： H01L29/786
摘要： 통상, LDD 구조를 갖춘 TFT 혹은 GOLD 구조를 갖춘 TFT를 형성할 때, 제조공정이 복잡하게 되어 제조단계 수가 증가하게 되는 문제가 있다. 서로 폭이 상이한, 제1 도전층(18b)과 제2 도전층(17c)과의 적층으로 형성된 전극을 형성한다. 제1 도전층(18b)이 선택적으로 에칭되어 제1 도전층(18c)을 형성한 후에, 제1 도전층(18c)에 중첩하는 저농도 불순물 영역(25a)과 제1 도전층(18c)에 중첩하지 않는 저농도 불순물 영역(25b)은 저농도로 불순물 원소를 도핑함으로써 형성된다.
반도체층, 절연막, 제1 도전층, 제2 도전층, 불순물 원소, 적층
摘要翻译：通常，当形成具有LDD结构的TFT或具有GOLD结构的TFT时，存在制造工艺变得复杂并且制造步骤数量增加的问题。形成通过堆叠具有彼此不同宽度的第一导电层18b和第二导电层17c而形成的电极。在选择性蚀刻第一导电层18b以形成第一导电层18c之后，轻掺杂杂质区域25a和第一导电层18c与第一导电层18c重叠浓度杂质区域25b通过以低浓度掺杂杂质元素而形成。

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