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1. 发明公开

KR1020050067370A 표시장치 有权
公开(公告)号：KR1020050067370A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：KR1020050044449
申请日：2005-05-26
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H01L29/786 , H05B33/04
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L27/3251 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는데 있다. 화소 내에 형성되는 스위칭용 TFT(201)는 멀티게이트 구조되어 있어, 오프 전류값의 감소에 중점을 둔 구조로 되어 있다. 또한, 전류제어용 TFT(202)는 스위칭용 TFT의 채널 폭보다 더 넓은 채널 폭을 가져, 대전류를 흐르게 하는데 적절한 구조로 되어 있다. 또한, 전류제어용 TFT(202)의 LDD 영역(33)은 게이트 전극(35)의 일부와 겹치도록 형성되어, 핫 캐리어 주입 방지 및 오프 전류값의 감소에 중점을 둔 구조로 되어 있다.
摘要翻译：本发明的一个目的是提供一种具有高操作性能和可靠性的EL显示装置。形成在像素内的开关TFT 201具有多栅极结构。这是重视减小截止电流值的结构。此外，电流控制TFT202具有比开关TFT宽的沟道宽度，以形成适于流动电流的结构。此外，电流控制TFT202的LDD区域33形成为与栅电极35的一部分重叠，从而形成防止热载流子注入和减小截止电流值的重要结构。＆lt;图像＆GT;

2. 发明公开

KR1020050062507A 발광장치 제작방법 有权
标题翻译：制造发光装置的方法
公开(公告)号：KR1020050062507A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020050047811
申请日：2005-06-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/22
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는 데 있다. 화소 전극(양극)(46), EL 층(47) 및 음극(48)으로 이루어진 EL 소자(203) 아래에는 제2 패시베이션 막(45)이 배치되어, 잉크젯 방법에 의해 형성된 EL 소자(203)로부터 TFT로 알칼리 금속이 확산하는 것을 방지한다. 또한, 제2 패시베이션 막(45)은 TFT로부터의 수분 및 산소가 침입하는 것을 방지하고, EL 소자(203)에서 발생한 열을 분산시켜 EL 소자(203)의 열화(劣化)를 억제한다.

3. 发明授权

KR100733900B1 발광장치 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：KR100733900B1
公开(公告)日：2007-07-02
申请号：KR1020050047810
申请日：2005-06-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H05B33/22 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는 데 있다. 화소 전극(양극)(46), EL 층(47) 및 음극(48)으로 이루어진 EL 소자(203) 아래에는 제2 패시베이션 막(45)이 배치되어, 잉크젯 방법에 의해 형성된 EL 소자(203)로부터 TFT로 알칼리 금속이 확산하는 것을 방지한다. 또한, 제2 패시베이션 막(45)은 TFT로부터의 수분 및 산소가 침입하는 것을 방지하고, EL 소자(203)에서 발생한 열을 분산시켜 EL 소자(203)의 열화(劣化)를 억제한다.
EL 표시장치, TFT, 패시베이션 막, 잉크젯 방법
摘要翻译：本发明的目的是提供具有高操作性能和高可靠性的EL显示装置。第二钝化膜45设置在由像素电极（阳极）46，EL层47和阴极48组成的EL元件203的下面，以形成通过喷墨法形成的EL元件203 防止碱金属扩散到TFT中。第二钝化膜45防止湿气和氧进入TFT并分散在EL元件203中产生的热量，从而抑制EL元件203的劣化。

4. 发明授权

KR100707887B1 표시장치 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：KR100707887B1
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：KR1020050044449
申请日：2005-05-26
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H01L29/786 , H05B33/04
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는데 있다. 화소 내에 형성되는 스위칭용 TFT(201)는 멀티게이트 구조되어 있어, 오프 전류값의 감소에 중점을 둔 구조로 되어 있다. 또한, 전류제어용 TFT(202)는 스위칭용 TFT의 채널 폭보다 더 넓은 채널 폭을 가져, 대전류를 흐르게 하는데 적절한 구조로 되어 있다. 또한, 전류제어용 TFT(202)의 LDD 영역(33)은 게이트 전극(35)의 일부와 겹치도록 형성되어, 핫 캐리어 주입 방지 및 오프 전류값의 감소에 중점을 둔 구조로 되어 있다.
전기광학장치, EL 표시장치, 스위칭용 TFT, 전류제어용 TFT, LDD 영역
摘要翻译：本发明的目的是提供具有高操作性能和高可靠性的EL显示装置。形成在像素中的开关TFT 201具有多栅极结构，并着眼于截止电流值的减小。此外，电流控制TFT202具有比开关TFT的沟道宽度更宽的沟道宽度，并且具有适于流过大电流的结构。电流控制TFT202的LDD区域33被形成为与栅电极35的一部分重叠，并着眼于防止热载流子注入和关断电流值的降低。

5. 发明授权

KR100733903B1 발광장치 제작방법 有权
标题翻译：发光装置的制造方法
公开(公告)号：KR100733903B1
公开(公告)日：2007-07-02
申请号：KR1020050047811
申请日：2005-06-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H05B33/10 , H05B33/22
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는 데 있다. 화소 전극(양극)(46), EL 층(47) 및 음극(48)으로 이루어진 EL 소자(203) 아래에는 제2 패시베이션 막(45)이 배치되어, 잉크젯 방법에 의해 형성된 EL 소자(203)로부터 TFT로 알칼리 금속이 확산하는 것을 방지한다. 또한, 제2 패시베이션 막(45)은 TFT로부터의 수분 및 산소가 침입하는 것을 방지하고, EL 소자(203)에서 발생한 열을 분산시켜 EL 소자(203)의 열화(劣化)를 억제한다.
EL 표시장치, TFT, 패시베이션 막, 잉크젯 방법
摘要翻译：本发明的目的是提供具有高操作性能和高可靠性的EL显示装置。第二钝化膜45设置在由像素电极（阳极）46，EL层47和阴极48组成的EL元件203的下面，以形成通过喷墨法形成的EL元件203 防止碱金属扩散到TFT中。第二钝化膜45防止湿气和氧进入TFT并分散在EL元件203中产生的热量，从而抑制EL元件203的劣化。

6. 发明公开

KR1020050062506A 전기광학 장치의 제작방법 有权
标题翻译：制造电光器件的方法
公开(公告)号：KR1020050062506A
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：KR1020050047809
申请日：2005-06-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H05B33/10 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는 데 있다. 화소 전극(양극)(46), EL 층(47) 및 음극(48)으로 이루어진 EL 소자(203) 아래에는 제2 패시베이션 막(45)이 배치되어, 잉크젯 방법에 의해 형성된 EL 소자(203)로부터 TFT로 알칼리 금속이 확산하는 것을 방지한다. 또한, 제2 패시베이션 막(45)은 TFT로부터의 수분 및 산소가 침입하는 것을 방지하고, EL 소자(203)에서 발생한 열을 분산시켜 EL 소자(203)의 열화(劣化)를 억제한다.

7. 发明授权

KR100733898B1 전기광학 장치의 제작방법 有权
标题翻译：电光装置的制造方法
公开(公告)号：KR100733898B1
公开(公告)日：2007-07-02
申请号：KR1020050047809
申请日：2005-06-03
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H05B33/10 , C09K11/06
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
摘要： 본 발명의 목적은 동작 성능 및 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제공하는 데 있다. 화소 전극(양극)(46), EL 층(47) 및 음극(48)으로 이루어진 EL 소자(203) 아래에는 제2 패시베이션 막(45)이 배치되어, 잉크젯 방법에 의해 형성된 EL 소자(203)로부터 TFT로 알칼리 금속이 확산하는 것을 방지한다. 또한, 제2 패시베이션 막(45)은 TFT로부터의 수분 및 산소가 침입하는 것을 방지하고, EL 소자(203)에서 발생한 열을 분산시켜 EL 소자(203)의 열화(劣化)를 억제한다.
EL 표시장치, TFT, 패시베이션 막, 잉크젯 방법

8. 发明公开

KR1020070001846A 반도체장치 및 자동차 오디오 시스템 有权
标题翻译：半导体器件和汽车音响系统
公开(公告)号：KR1020070001846A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020060111084
申请日：2006-11-10
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L27/1214 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor apparatus and a car audio system are provided to increase operation performance and reliability of an active matrix type EL(Electroluminescence) display apparatus by using a TFT having optimum a prod performance corresponding to requirement of uct. A switching TFT(201) includes an active layer, a gate dielectric(18), gate electrodes(19a,19b), a first interlayer dielectric(20), a source wire(21), and a drain wire. The active layer includes a source region(13), a drain region(14), LDD regions(15a-15d), a high concentration impurity region(16), and channel forming regions(17a,17b). A current controlling TFT(202) includes an active layer, a gate dielectric(18), a gate electrode(35), a first interlayer dielectric, a source wire(36), and a drain wire(37). The active layer includes a source region(31), a drain region(32), an LDD region(33), and a channel forming region(34). The gate electrode of the current controlling TFT is electrically connected to the drain region of the switching TFT through the drain wire. The source wire is connected to a current supplying wire.
摘要翻译：提供了一种半导体装置和汽车音响系统，以通过使用具有对应于管道的要求的最佳产品性能的TFT来提高有源矩阵型EL（电致发光）显示装置的操作性能和可靠性。开关TFT（201）包括有源层，栅极电介质（18），栅电极（19a，19b），第一层间电介质（20），源极线（21）和漏极导线。有源层包括源极区（13），漏极区（14），LDD区（15a-15d），高浓度杂质区（16）和沟道形成区（17a，17b）。电流控制TFT（202）包括有源层，栅极电介质（18），栅电极（35），第一层间电介质，源极线（36）和漏极导线（37）。有源层包括源极区（31），漏极区（32），LDD区（33）和沟道形成区（34）。电流控制TFT的栅极电极通过漏极线电连接到开关TFT的漏极区域。源极线连接到电流线。

9. 发明公开

KR1020010039644A 전기광학 장치의 제작방법 有权
标题翻译：制造电光器件的方法
公开(公告)号：KR1020010039644A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000030753
申请日：2000-06-05
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an electro-optical device is provided to provide have good operation performance and high reliability and increase the quality of electronic equipment (an electronic device) having the electro-optical device as a display by increasing the image quality of the electro-optical device. CONSTITUTION: The gate electrodes(19a,19b) become a double gate structure electrically connected by a gate wiring(211) which is formed by a different material(a material having a lower resistance than the gate electrodes(19a,19b)). Of course, not only a double gate structure, but a so-called multi-gate structure (a structure containing an active layer having two or more channel forming regions connected in series), such as a triple gate structure, may also be used. The multi-gate structure is extremely effective in lowering the value of the off current, and by making the switching TFT of the pixel into a multi-gate structure with the present invention, a low off current value can be realized for the switching TFT. The active layer is formed by a semiconductor film containing a crystal structure. In other words, a single crystal semiconductor film may be used, and a polycrystalline semiconductor film or a microcrystalline semiconductor film may also be used. Further, the gate insulating film may be formed by an insulating film containing silicon. Additionally, any conducting film can be used for the gate electrodes, the source wiring, and the drain wiring. In addition, the LDD regions in the switching TFT are formed so as not to overlay with the gate electrodes(19a-19b) by interposing the gate insulating film.
摘要翻译：目的：提供一种制造电光装置的方法，通过提高电光装置的图像质量，具有良好的操作性能和高可靠性，并且提高了具有电光装置作为显示器的电子设备（电子装置）的质量电光装置。构成：栅电极（19a，19b）成为由栅极布线（211）电连接的双栅极结构，栅极布线由不同的材料（具有比栅电极（19a，19b）的电阻低的材料）形成。当然，不仅可以使用双栅结构，而且可以使用所谓的多栅极结构（包含具有两个或更多个串联连接的沟道形成区的有源层的结构），例如三栅极结构。多栅极结构在降低截止电流的值方面是非常有效的，并且通过将本发明的像素的开关TFT制成多栅极结构，可以实现开关TFT的低截止电流值。有源层由含有晶体结构的半导体膜形成。换句话说，可以使用单晶半导体膜，也可以使用多晶半导体膜或微晶半导体膜。此外，栅绝缘膜可以由含硅的绝缘膜形成。此外，任何导电膜可用于栅电极，源极布线和漏极布线。此外，开关TFT中的LDD区域通过插入栅极绝缘膜而形成为不与栅电极（19a-19b）覆盖。

10. 发明公开

KR1020010039643A 전계발광(EL) 표시장치 有权
标题翻译：电光器件和电子器件
公开(公告)号：KR1020010039643A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000030752
申请日：2000-06-05
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자키순페이 , 고야마준 , 야마모토쿠니타카 , 고누마토시미츠
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L33/08 , H01L27/1218 , H01L27/1255 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78645 , H01L29/78696 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L51/529 , H01L2251/5315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: An electro-optical device and an electronic device are provided to have high operational performance and reliability and increase the quality of electronic equipment (an electronic device) having the electro-optical device as a display by increasing the image quality of the electro-optical device. CONSTITUTION: A switching thin film transistor(TFT)(201) formed in a pixel has a multigate structure for the main purpose of decreasing the off current. A current controlling TFT(202) has a larger channel width than that of the switching TFT and this structure is suitable to apply a current. An LDD(Lightly Doped Drain) region(33) of the current controlling TFT(202) is formed as partly overlapped with the gate electrode(35). This structure is formed mainly to prevent injection of hot carriers and to decrease the off current.
摘要翻译：目的：提供一种电光装置和电子装置，其具有高操作性能和可靠性，并且通过提高电光装置的图像质量，提高具有电光装置的电子设备（电子装置）的质量，光学装置。构成：形成在像素中的开关薄膜晶体管（201）具有用于减小截止电流的主要目的的多电平结构。电流控制TFT（202）具有比开关TFT的通道宽度更大的沟道宽度，并且该结构适用于施加电流。电流控制TFT（202）的LDD（轻掺杂漏极）区域（33）形成为与栅电极（35）部分重叠。该结构主要是为了防止热载流子的注入和减小截止电流。

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