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61. 发明公开

KR1020080089528A 다층프린트배선판 有权
公开(公告)号：KR1020080089528A
公开(公告)日：2008-10-06
申请号：KR1020087023063
申请日：2005-02-03
申请人： 이비덴 가부시키가이샤
发明人： 이나가키야스시 , 사노카츠유키
IPC分类号： H05K3/46 , H05K3/40
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/50 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/81 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/13111 , H01L2224/16225 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/19106 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H05K1/056 , H05K3/429 , H05K3/4602 , H05K3/4608 , H05K3/4641 , H05K2201/0352 , H05K2201/09536 , H05K2201/09736 , H05K2201/098 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： Disclosed is a package board wherein a malfunction or error occurs even when a high-frequency IC chip, in particular an IC chip of more than 3 GHz is mounted. A conductor layer (34P) having a thickness of 30 mum is formed on a core substrate (30), and a conductor circuit (58) having a thickness of 15 mum is formed on a interlayer resin insulating layer (50). By forming the conductor layer (34P) thick, the volume of the conductor itself is increased, thereby reducing the resistance. In addition, by using the conductor layer (34) as a power supply layer, there can be improved the supply capacity of the power source to the IC chip.
摘要翻译：公开了即使安装高频IC芯片，特别是3GHz以上的IC芯片，也发生故障或错误的封装板。在核心基板（30）上形成厚度为30μm的导体层（34P），在层间树脂绝缘层（50）上形成厚度为15μm的导体电路（58）。通过形成厚的导体层（34P），导体本身的体积增大，从而降低了电阻。另外，通过使用导体层（34）作为电源层，可以改善IC芯片的电源供应能力。

62. 发明公开

KR1020080021161A 인터포저 失效
标题翻译： INTERPOSER
公开(公告)号：KR1020080021161A
公开(公告)日：2008-03-06
申请号：KR1020087003018
申请日：2005-07-05
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 야카베마사미 , 카가와겐이치 , 호시노도모히사
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H05K1/0222 , H05K1/0306 , H05K3/423 , H05K2201/09809 , H05K2203/0733 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
摘要： A through substrate which comprises a silicon substrate (10) having a through hole (19) penetrating a front surface (11) and a back surface (12), a oxidized silicon film (13) being provided along the inner wall surface of the through hole (19), layers (14, 15) comprising Zn and Cu, respectively, being formed on the inner wall surface of the oxidized silicon film (13), and a Cu plating layer (18) which has been grown from a Cu seed layer (17) along the inner wall surface of layers (14, 15) comprising Zn and Cu, respectively, via an insulating layer (16) between them. The above through substrate can provide a through electrode capable of avoiding the noise due to the cross talk. ® KIPO & WIPO 2008
摘要翻译：一种贯穿基板，包括具有贯通前表面（11）和后表面（12）的通孔（19）的硅基板（10），沿着贯通孔的内壁表面设置的氧化硅膜（13）分别形成在氧化硅膜（13）的内壁面上的包含Zn和Cu的层（14,15），以及从Cu种子生长的Cu镀层（18）层（17）分别经由它们之间的绝缘层（16）沿着包括Zn和Cu的层（14,15）的内壁表面。上述通过基板可以提供能够避免由于串扰引起的噪声的通孔电极。 ®KIPO＆WIPO 2008

63. 发明授权

KR100682172B1 다중층 전극을 가진 적층 세라믹 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有多层电极的层压陶瓷和制造方法
公开(公告)号：KR100682172B1
公开(公告)日：2007-02-12
申请号：KR1020000007504
申请日：2000-02-17
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 버크하트,빈센트이.
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/486 , C04B37/026 , C04B2237/08 , C04B2237/122 , C04B2237/366 , C04B2237/592 , C04B2237/62 , C23C14/50 , H01L21/4857 , H01L21/6833 , H01L23/49827 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 다중층 전극을 가진 적층 세라믹 바디를 포함하는 장치와 이 장치를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 적층 세라믹 바디는 세라믹 물질층으로 구성되고, 이때 특정 층의 일부가 전기적 전도성 물질(electrically conductive material)의 중간층으로 실크 스크린된다. 연이어서 소결(sintering)하여, 전기적 전도성 물질층으로 이루어진 다중층 전극을 보유한 고형 세라믹 바디가 형성된다. 상기 장치는 세라믹 바디 내로 부분적으로 연장되고, 이들 전극 중 적어도 하나와 교차하는 전기적 커넥터(electrical connector)를 추가로 포함한다.

64. 发明授权

KR100544868B1 회로 에너지 조절을 위한 전극 구조 失效
标题翻译：用于电路能量调节的电极装置
公开(公告)号：KR100544868B1
公开(公告)日：2006-01-24
申请号：KR1020037002123
申请日：2001-08-14
申请人： 엑스2와이 어테뉴에이터스, 엘.엘.씨
发明人： 앤쏘니에이.앤쏘니 , 윌리엄엠.앤쏘니
IPC分类号： H01G4/005
CPC分类号： H01C1/06 , H01C1/14 , H01C7/102 , H01G2/22 , H01L2223/6622 , H05K9/0018 , H05K9/0066
摘要： A predetermined electrode arrangement ( 1/1, 1/2, 1/3 A, 1/6 ) comprising a plurality of shielded electrodes ( 213, 215 ) and a plurality of shielding electrodes ( 204, 214, 269 A, 269 B,) that together with other conductive ( 799, 206, 208, 207, 203, 218, 216, 217, 218 ) semi-conductive (not shown) and/or non-conductive material elements ( 212 ) are formed into a multi-functional energy condition assembly ( 1 - 1, 1 - 2, 1 - 3 A, 1 - 6 ) or variant to be selectively coupled into circuitry ( 4 - 1, 5 - 1, 1 - 2 ).

65. 发明公开

KR1020030086594A 개구부에서 다수의 전도층을 구비하는 반도체 구조체, 및이것을 제조하는 방법 失效
标题翻译：在开口中具有多个导电层的半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030086594A
公开(公告)日：2003-11-10
申请号：KR1020037010999
申请日：2002-02-20
申请人： 알비아 인코퍼레이티드
发明人： 하라한패트릭비. , 시니아귀네올레그
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2223/6622 , H01L2224/16 , H01L2924/04941 , H01L2924/12032 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
摘要： 일부 실시예에서, 회로 구조체는 반도체 기판(110), 기판의 제 1 측면과 제 2 측면(110B) 사이에서 기판을 통과하는 개구부(130), 및 개구부에서 복수의 전도층(210,320)을 포함한다. 일부 실시예에서, 하나의 전도층은 기판의 후부상에서 또 다른 전도층으로부터 만들어진 접촉 패드(320C)에 의해 운반된 AC 신호를 기판에서 차단하는 전자기 차폐를 제공한다. 또한 전도층은 콘덴서/정류기 네트워크를 형성하도록 사용될 수 있다. 또한 제조 방법이 제공된다.

66. 发明公开

KR1020030062796A 동축 케이블을 구비한 ＳＭＤ(ＳｕｒｆａｃｅＭｏｕｎｔｅｄＤｅｖｉｃｅ) 형태의 패키지 제조 방법 有权
标题翻译：带有同轴电缆的表面安装器件类型封装
公开(公告)号：KR1020030062796A
公开(公告)日：2003-07-28
申请号：KR1020020003192
申请日：2002-01-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 송일종 , 구자남
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/04
CPC分类号： H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2223/6627 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/1903 , H05K1/0243 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A surface mounted device-type package with a coaxial cable is provided to guarantee sufficient heat capacity by making the coaxial cable included inside the package so that the coaxial cable is used as a signal transmission line. CONSTITUTION: A device settle part is formed inside the package(21). A radio frequency(RF) electronic device for sending and receiving an RF signal is mounted on the device settle part. A transmission line(23) is electrically connected to the device settle part. The coaxial cable(24) penetrates the inside and outside of the package, including an inner conductive line connected to the transmission line.
摘要翻译：目的：提供具有同轴电缆的表面安装器件型封装，以通过使包含在封装内的同轴电缆使得同轴电缆用作信号传输线来保证足够的热容量。构成：在封装（21）内形成器件沉淀部分。用于发送和接收RF信号的射频（RF）电子设备安装在设备安置部分上。传输线（23）电连接到设备定位部分。同轴电缆（24）穿过包装件的内部和外部，包括连接到传输线的内部导线。

67. 发明公开

KR1020030036004A 후막 회로 어셈블리 无效
标题翻译：厚膜电路组件
公开(公告)号：KR1020030036004A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020020066190
申请日：2002-10-29
申请人： 애질런트 테크놀로지스, 인크.
发明人： 도브루이스알 , 카세이존에프 , 블룸안토니알
IPC分类号： H05K1/02
CPC分类号： H05K1/162 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L2223/6622 , H01L2223/6627 , H01L2224/05599 , H01L2224/48091 , H01L2224/484 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01058 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01079 , H01L2924/1903 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H05K1/0221 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K2201/09672 , H05K2201/09809 , H05K2201/09981 , H01L2224/45099
摘要： PURPOSE: A thick film circuit assembly is provided to realize a hybrid circuit employing a high frequency printed board incorporating a capacitor, which enables bypassing or filtering of signals by forming a capacitor without using a through hole. CONSTITUTION: A thick film circuit assembly comprises a substrate(2) having component side and a non-component side, a ground plane(3) directly upon the component side, a component(9) mounted directly on the component side and having a signal terminal, a metallic trace(20) formed on a corresponding trace region of dielectric material itself formed on the ground plane, and approaching the signal terminal, a capacitor(18) formed of metal deposited on a corresponding region of capacitor dielectric material proximate where the metallic trace approaches the signal terminal, the capacitor dielectric material itself formed directly on the ground plane and the metal of the capacitor being coextensive with, and electrically connected to, the metallic trace, and an electrical connection(26) from the metallic trace and the signal terminal of the component.
摘要翻译：目的：提供一种厚膜电路组件，以实现采用包含电容器的高频印刷电路板的混合电路，其能够通过在不使用通孔的情况下形成电容器来旁路或滤波信号。构成：厚膜电路组件包括具有元件侧和非元件侧的基板（2），直接在元件侧的接地平面（3），直接安装在元件侧上并具有信号形成在介电材料的相应迹线区域上的金属迹线（20），其本身形成在接地平面上，并且接近信号端子;沉积在电容器电介质材料的相应区域附近的金属形成的电容器（18）金属迹线接近信号端子，电容器介质材料本身直接形成在接地平面上，并且电容器的金属与金属迹线共同延伸并电连接到金属迹线，并且电连接（26）与金属迹线和信号端子。

68. 发明授权

KR100319495B1 반도체 장치 失效
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100319495B1
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：KR1019990004046
申请日：1999-02-05
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 구니끼요다쯔야
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L2223/6622 , H01L2224/14515 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H05K1/0218 , H05K3/3436
摘要： BGA 구조로된 CSP 구성의수지밀봉형반도체장치의실장에있어서, 전극범프의응력을완화할수 있고, 노이즈를적게할 수있을뿐만아니라, 신호용전극의상호크로스토크를억제할수 있으며, 열발산효율을높게할 수있고, 중성자선의통과를저지할수 있는실장체를제공한다. 반도체칩을응력완화막을통해서절연성기판에적층함과동시에, (a) 열팽창율에의한응력분포밀도가가장높은영역인칩의주연부에응력완화막을접착하고, 절연성기판의주연부에차폐용전극이제공되며, 칩과신호용전극의분담응력을경감한다. (b) 칩의주연부에차폐층부착응력완화막을접착한다. 또는절연성기판상에제공된신호용전극 1개마다에동축형으로통형차폐층어레이를배열한다. (c) 히트싱크부착패키지로한다. (d) 절연성기판, 밀봉재, 패키지등, 어느 1개이상을중수소를포함하는수지로구성한다.
摘要翻译：在CSP的树脂密封型半导体装置的安装由BGA结构的，并且可以放松电极凸块的应力，以及，以减少噪声，并且可以抑制一个信号电极的相互串扰，散热效率并可以防止中子束的通过。和同时通过应力缓和膜层叠在绝缘基板上的半导体芯片中，（a）中的应力分布密度由于在芯片，最高区的周边的热膨胀和粘接膜的应力松弛，在绝缘基板的周缘部设置有屏蔽电极并降低芯片和信号电极的共享应力。（b）带有屏蔽层的应力消除薄膜附着在芯片周围。或者为设置在绝缘基板上的每个信号电极同轴地布置圆柱形屏蔽层阵列。（c）带散热片的包装。（d）绝缘基板，密封材料和封装中的至少一个由包含氘的树脂制成。

69. 发明授权

KR101750795B1 전자 시스템을 위한 고 전도성 고 주파수 비아 有权
标题翻译：用于电子系统的高导电高频通孔
公开(公告)号：KR101750795B1
公开(公告)日：2017-06-26
申请号：KR1020157033714
申请日：2013-06-27
申请人： 인텔 아이피 코포레이션
发明人： 바르스한스-요아힘 , 만코프레인하르드 , 몰제르볼프강 , 고스너하랄드 , 무엘러크리스티안
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L23/53276 , H01L23/66 , H01L2221/1094 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 고주파수에서전도성을갖는관통형실리콘비아가설명된다. 일예에서, 비아는실리콘다이의적어도일부를관통하는채널을포함한다. 제1 전도층은제1 전기적전도성을갖는다. 제2 전도층은제1 전도층의외부표면을덮고제1 전기적전도성보다더 높은제2 전기적전도성을갖는다.
摘要翻译：描述了具有高频导电性的硅通孔。在一个示例中，通孔包括延伸穿过硅管芯的至少一部分的通道。第一导电层具有第一电导率。第二导电层覆盖第一导电层的外表面并且具有比第一导电率高的第二导电率。

70. 发明公开

KR1020140068106A 3D 집적 회로 적층을 위한 층간 통신들 有权
标题翻译：用于3D集成电路堆栈的层间通信
公开(公告)号：KR1020140068106A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020147008172
申请日：2011-09-30
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 드로에게,구이도 , 린케뷔치,니클라스 , 쉐퍼,안드레
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C5/04 , G11C5/063 , G11C7/1057 , G11C7/1084 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/642 , H01L2223/6622 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544
摘要： 일부 실시예들은 3D 적층된 모듈들을 위한 용량성 AC 커플링 층간 통신들을 제공한다.

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