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热词
    • 2. 发明授权
    • 정전기 방지 소자 및 이를 포함하는 복합 전자 부품
    • 抗静电元件及包含该抗静电元件的复合电子部件
    • KR101771726B1
    • 2017-08-25
    • KR1020120064942
    • 2012-06-18
    • 삼성전기주식회사
    • 이상문위성권양주환심원철권영도
    • H01T4/10H01C7/12H01T2/02
    • H02H9/044H01C1/14H01C7/12H01T4/08H01T4/10H05K1/026H05K2201/09736H05K2201/09827
    • 본발명은기판, 상기기판상에이격되어형성되는한 쌍의전극, 및상기전극상에형성되는절연층을포함하며, 상기전극은전극단면으로부터전극면 방향에대하여돌출된형태를가지는것인정전기방지소자, 이의제조방법, 및이를포함하는복합전자부품에관한것이다. 본발명에따르면, 기존의도전성무기재료추가를위한박막증착및 필러분산등의공정이제거되어정전기방지소자제조시양산성을향상시킬수 있다. 또한, 본발명에따른정전기방지소자는전극의형태를다양하게조절하여전극간의갭을정확하게조절하는것이가능하여피크전압을제어할수 있어, 복합전자부품에사용되어정전기를효과적으로방지할수 있다.
    • 电极包括基板,与基板隔开的一对电极以及形成在电极上的绝缘层,电极具有从电极的端面朝向电极表面突出的形状。 其制造方法以及包括该制造方法的复合电子装置。 根据本发明,消除了用于添加常规导电无机材料的诸如薄膜沉积和填料分散的工艺,并且可以在抗静电装置的生产中提高批量生产。 另外,根据本发明的静电放电装置可以通过不同地调节电极的形状来精确地控制电极之间的间隙,并且可以控制峰值电压,使得静电可以有效地用于复合电子部件中。
    • 5. 发明公开
    • 메모리 모듈 및 이의 제조 방법
    • 存储器模块和制造存储器模块的方法
    • KR1020120035289A
    • 2012-04-16
    • KR1020100096695
    • 2010-10-05
    • 삼성전자주식회사
    • 정진산조중찬최현석
    • H01L23/00H05K1/11H05K3/24
    • H05K1/117H01L2924/0002H05K3/244H05K2201/09736H05K2201/09845H05K2201/10159H01L23/562H01L2924/00
    • PURPOSE: A memory module and a manufacturing method thereof are provided to prevent a memory module from being damaged by reducing an insertion force generating in a connector pin of a socket when a module substrate is inserted into the socket of a main board. CONSTITUTION: A module substrate includes one side part(110) inserted into a socket of a main board. A plurality of connection pads(120) is arranged along the one side part of the module substrate. The connection pad includes a stepped part(122) having a first height(H1) from one side of the one side part and a contact part(124) having a second height(H2). A semiconductor package is mounted on at least one side of the module substrate. The semiconductor package is electrically connected to connection pads.
    • 目的:提供一种存储模块及其制造方法,以防止当模块基板插入主板的插座时通过减小在插座的连接器插脚中产生的插入力而损坏存储器模块。 构成:模块基板包括插入主板的插座中的一个侧部(110)。 多个连接焊盘(120)沿模块基板的一个侧面部分布置。 连接垫包括从一个侧部的一侧具有第一高度(H1)的台阶部分(122)和具有第二高度(H2)的接触部分(124)。 半导体封装安装在模块基板的至少一侧。 半导体封装电连接到连接焊盘。