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61. 发明授权

KR100511914B1 피이사이클 시브이디법을 이용한 반도체소자의 제조방법 失效
标题翻译：使用PECYCLE-CVD制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100511914B1
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：KR1020030029316
申请日：2003-05-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김영기 , 우상호 , 최승원
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/50 , H01L21/28562
摘要： 본 발명은 PE CYCLE-CVD를 이용한 반도체소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, Ta
2 O
5 , Al
2 O
3 , HfO
2 , Ru, BST, SB, Pt, TiN, Ti 및 TiO
2 로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어진 소스가스를 1사이클내에 일정시간동안 반응챔버내로 주입시키는 단계; N2, O2, H2, NH3, N2O, CxH(2x)와 같은 고리형태의 포화탄화수소 및 CxH(2x+2)와 같은 포화탄화수소의 일부 또는 전부의 수소가 F 또는 Cl로 치환된 가스로 구성된 그룹으로부터 선택되는 어느 하나로 이루어진 플라즈마 반응가스를 적어도 후속 공정의 플라즈마 종료시점까지 챔버내에 흐르게 한 상태에서 상기 1사이클내에 일정시간동안 퍼지가스를 반응챔버내로 주입시켜 소스가스가 반응후 잔류하는 부산물을 퍼지시키는 단계; 상기 1사이클내에 일정시간동안 플라즈마를 형성하여 상기 반응가스를 흡착시켜 박막을 형성하는 단계; 및 상기 1 사이클내에 일정시간동안 퍼지가스를 반응챔버내로 주입시켜 반응가스가 반응한후 잔류하는 부산물을 제거하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

62. 发明授权

KR100464855B1 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법 失效
标题翻译： 박막형성방법과，이를이용한커패시터형성방법및트랜스터형형형성방박막
公开(公告)号：KR100464855B1
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020020044318
申请日：2002-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박인성 , 정정희 , 여재현
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/405 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/02194 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L28/90
摘要： A thin film is formed using an atomic layer deposition process, by introducing a first reacting material including tantalum precursors and titanium precursors onto a substrate. A portion of the first reacting material is chemisorbed onto the substrate. Then, a second reacting material including oxygen is introduced onto the substrate. A portion of the second reacting material is also chemisorbed onto the substrate, to form an atomic layer of a solid material on the substrate. The solid material may be used as a dielectric layer of the capacitor and/or a gate dielectric layer of the transistor.
摘要翻译：使用原子层沉积工艺，通过将包含钽前体和钛前体的第一反应材料引入到衬底上来形成薄膜。第一反应材料的一部分被化学吸附到基底上。然后，将包含氧的第二反应材料引入到基板上。一部分第二反应材料也被化学吸附到基底上，以在基底上形成固体材料的原子层。固体材料可以用作电容器的介电层和/或晶体管的栅极介电层。

63. 发明公开

KR1020040096337A 피이사이클 시브이디법을 이용한 반도체소자의 제조방법 失效
标题翻译：使用PECYCLE-CVD改进蒸发速度和生产率制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020040096337A
公开(公告)日：2004-11-16
申请号：KR1020030029316
申请日：2003-05-09
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김영기 , 우상호 , 최승원
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/50 , H01L21/28562
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device using PECYCLE-CVD(Plasma Enhanced CYCLE-Chemical Vapor Deposition) is provided to improve a vaporization speed and a productivity of the semiconductor manufacturing. CONSTITUTION: A source gas is introduced to a reaction chamber for a predetermined time interval in one cycle. A purge gas is introduced to the reaction chamber for a predetermined time interval in one cycle while flowing the reaction gas in the chamber until an end point of a plasma process for subsequent processes, in order to purge residues after reaction of the source gas. A film(55) is formed by depositing the reaction gas while forming a plasma during a predetermined time interval in one cycle. The residue is remaining after reaction of the reaction gas is removed by introducing the purge gas in the reaction chamber for a predetermined time interval in one cycle.
摘要翻译：目的：提供使用PECYCLE-CVD（等离子体增强CYCLE-Chemical Vapor Deposition）制造半导体器件的方法，以提高半导体制造的蒸发速度和生产率。构成：在一个循环中将原料气体以预定的时间间隔引入反应室。将吹扫气体在一个循环中引入反应室中预定的时间间隔，同时使反应气体在室中流动直到等离子体处理的终点，以便后续处理，以便在源气体反应之后清除残余物。通过在一个周期内以预定的时间间隔形成等离子体，沉积反应气体形成膜（55）。在通过在一个循环中将反应气体在反应室中引入预定的时间间隔来除去反应气体的反应后残余物残留。

64. 发明公开

KR1020040009935A 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법 失效
标题翻译：用于形成薄膜的方法和使用其形成电容器和晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020040009935A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020020044318
申请日：2002-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박인성 , 정정희 , 여재현
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/405 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/02194 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L28/90
摘要： PURPOSE: A method for forming a thin film and a method for forming a capacitor and a transistor using the same are provided to improve a dielectric constant and reduce the amount of leakage current by using an atomic layer deposition method. CONSTITUTION: The first reaction material(2) including a tantalum precursor and a titanium precursor is introduced to a substrate(1). The first reaction material(2) is partially absorbed on the upper surface of the substrate(1) by introducing the first reaction material to the substrate. The second reaction material(6) including oxygen is introduced to the substrate. A solid material(8) is formed on the upper surface by absorbing partially the second reaction material(6) on the upper surface of the substrate. The tantalum precursor is formed with one material selected from a group including TaCl5, Ta(OC2H5)5, Ta(OC4H9)5, Ta(OC2H5)(OC3H7)4, and TAT-DMAE. The titanium precursor is formed with one material selected form a group including TiCl4, Ti(OCH3)4, Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(OC4H9)4, Ti(OC2H5)(OC3H7)4, Ti(OC3H7)2(O2C11H19)2, and Ti(OEt)2(DMAE)2.
摘要翻译：目的：提供一种形成薄膜的方法以及使用其形成电容器和晶体管的方法，以通过使用原子层沉积方法来提高介电常数并减少漏电流量。构成：将包含钽前体和钛前体的第一反应材料（2）引入基材（1）。第一反应材料（2）通过将第一反应材料引入基底而被部分地吸收在基底（1）的上表面上。将包含氧的第二反应材料（6）引入基材。通过在基板的上表面部分地吸收第二反应材料（6），在上表面上形成固体材料（8）。钽前体由选自TaCl 5，Ta（OC 2 H 5）5，Ta（OC 4 H 9）5，Ta（OC 2 H 5）（OC 3 H 7）4和TAT-DMAE）的一种材料形成。钛前体由选自TiCl4，Ti（OCH3）4，Ti（OC2H5）4，Ti（OC3H7）4，Ti（OC4H9）4，Ti（OC2H5）（OC3H7）4，Ti（ OC 3 H 7）2（O 2 C 11 H 19）2和Ti（OEt）2（DMAE）2。

65. 发明授权

KR101905242B1 성막 장치 有权
公开(公告)号：KR101905242B1
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：KR1020150101822
申请日：2015-07-17
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 후쿠시마,고헤이 , 모토야마,유타카 , 초우,파오-화
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/314
CPC分类号： C23C16/4583 , C23C16/345 , C23C16/45542 , C23C16/45544
摘要： 종형의반응용기내에, 복수의기판을선반형상으로유지한기판유지구를배치한상태에서성막을행하는성막장치에있어서, 장치의생산성의향상을도모한다. 기판의배열방향을따른제1 기판유지영역및 제2 기판유지영역중, 제1 기판유지영역, 제2 기판유지영역에각각한정적으로원료가스를공급하는제1 원료가스공급부, 제2 원료가스공급부와, 반응가스공급부와, 제1 기판유지영역및 제2 기판유지영역중 어느한쪽에원료가스가공급되고있을때, 다른쪽에퍼지가스를공급하는퍼지가스공급부와, 상기기판유지구에있어서제1 기판유지영역과제2 기판유지영역의사이에유지되는구획용기판을구비하도록장치를구성한다. 그리고, 제1 기판유지영역, 제2 기판유지영역에의원료가스의공급과반응가스의공급으로이루어지는사이클이, 각각복수회행해지도록제어한다.

66. 发明授权

KR101913443B1 컨포멀 막들의 플라즈마 활성화된 성막 有权
公开(公告)号：KR101913443B1
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：KR1020137010291
申请日：2011-09-21
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 리밍 , 캉후 , 스리람만디암 , 라부아아드리엔
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/401 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76898
摘要： 플라즈마활성화된컨포멀막성막 (CFD) 프로세스들을사용하여컨포멀박막을성막하는방법및 하드웨이가본 명세서에기재된다. 일예에있어서, 컨포멀박막을형성하는방법은, 제 1 페이즈에서, 기판의표면에서떨어져서전구체라디칼들을생성하는단계및 기판에전구체라디칼들을흡착시켜표면활성종을형성하는단계; 제 1 퍼지페이즈에서, 프로세스스테이션으로부터잔류전구체를퍼지하는단계; 제 2 페이즈에서, 표면에반응성플라즈마를공급하는단계로서, 반응성플라즈마는표면활성종과반응하고컨포멀박막을생성하도록구성되는, 반응성플라즈마를공급하는단계; 및제 2 퍼지페이즈에서, 프로세스스테이션으로부터잔류반응물을퍼지하는단계를포함한다.

67. 发明授权

KR101899634B1 성막 장치, 성막 방법 및 기억 매체 有权
公开(公告)号：KR101899634B1
公开(公告)日：2018-09-17
申请号：KR1020150151152
申请日：2015-10-29
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 가토,히토시 , 미우라,시게히로 , 기구치,히로유키 , 아이카와,가츠요시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/4409 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/321 , H01J37/32926 , H01L21/67253 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L21/68792
摘要： 본발명은회전테이블에적재된기판을공전시켜서성막을행함에있어서, 기판의면내의둘레방향에서의막 두께의균일성을높게할 수있는기술을제공한다. 기판이자전하도록, 회전테이블에서의기판의적재영역을회전시키는회전기구와, 회전테이블의일면측에서의가스공급영역에처리가스를공급하여, 공전에의해당해가스공급영역을복수회반복통과하는기판에성막을행하기위한처리가스공급기구와, 회전테이블의회전속도를포함하는파라미터에기초하여, 기판의자전속도를연산하고, 연산된자전속도로기판을자전시키도록제어신호를출력하는제어부를구비하도록장치를구성한다. 이장치에서는, 가스공급영역에기판이위치할때마다기판의방향이바뀌도록처리를행할수 있기때문에, 둘레방향에서의막 두께의균일성을높게할 수있다.

68. 发明公开

KR20180037096A 다공성의 낮은 유전상수 필름 상에 기공 밀봉 층을 제공하기 위한 방법 및 조성물 审中-公开
公开(公告)号：KR20180037096A
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：KR20170031107
申请日：2017-03-13
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/02 , H01L21/3105 , H01L51/00
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/401 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
摘要： 본원에서는밑에있는층의유전상수의추가손실을방지하기위해서적어도다공성의낮은 k 층의표면상에본원에서기공밀봉층으로일컬어지는추가의얇은유전필름을제공함으로써다공성의낮은유전상수("낮은 k") 층의기공을밀봉하기위한방법및 조성물이기재된다. 한가지양태로, 그러한방법은흡수된유기규소화합물을제공하기위해서다공성의낮은유전상수필름을하나이상의유기규소화합물과접촉시키고, 흡수된유기규소화합물을자외선광, 플라즈마또는이들둘 모두로처리하고, 요망되는두께의기공밀봉층이형성될때까지이를반복함을포함한다.

69. 发明授权

KR101827620B1 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，衬底处理设备和程序
公开(公告)号：KR101827620B1
公开(公告)日：2018-02-08
申请号：KR1020160004957
申请日：2016-01-14
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 하시모토,요시토모 , 히로세,요시로 , 마츠오카,다츠루 , 하라다,가츠요시
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/36 , C23C16/452 , C23C16/45542 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01J37/32513 , H01J37/32522 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32623 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/0228
摘要： 기판상에형성하는질화막의조성의제어성이나막질등을향상시킨다. 표면에산소함유막이형성된기판에대하여제1 원료와제1 질화제를공급하여, 산소함유막상에초기막을형성하는공정과, 초기막을플라즈마질화함으로써, 초기막을제1 질화막으로개질하는공정과, 기판에대하여제2 원료와제2 질화제를공급하여, 제1 질화막상에제2 질화막을형성하는공정을갖는다.
摘要翻译：由此改善衬底上形成的氮化物膜的可控性和膜质量。相对于所述基材薄膜上形成包含具有第一质量剂提供第一材料，通过在含氧的膜和等离子体初始氮化物膜形成的初始膜的表面上的氧，以及修改所述初始膜的步骤是在第一氮化膜，该基板并且向第一氮化物膜供应第二原料和第二氮化剂以在第一氮化物膜上形成第二氮化物膜。

70. 发明公开

KR1020170124074A 멀티-스테이션 증착 시스템에서 막 두께 매칭을 위한 가변 사이클 및 시간 RF 활성화 방법 审中-实审
标题翻译：用于多工位沉积系统中膜厚匹配的可变周期和时间RF激活方法
公开(公告)号：KR1020170124074A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：KR1020170049539
申请日：2017-04-18
申请人： 램 리써치 코포레이션
发明人： 카림이슈타크 , 조기용 , 라보이애드리언 , 굴리아니재스윈더 , 쿠마프루쇼탐 , 첸준
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/52 , C23C16/54
摘要： 멀티-스테이션증착장치의분리된스테이션들에서동시에프로세싱된적어도 2 개의기판들상에거의같은두께의재료를증착하기위한방법들및 장치들이제공된다.
摘要翻译：提供了用于在多站沉积设备的分开的站中同时处理的至少两个基底上沉积大致相同厚度的材料的方法和装置。

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