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1. 发明公开

KR1020110074518A 유기 복사 방출 소자의 제조 방법 및 유기 복사 방출 소자 无效
标题翻译：生产有机辐射发射元件和有机辐射发光元件的方法
公开(公告)号：KR1020110074518A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020117007684
申请日：2009-08-10
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 가디츠,크리스토프 , 팻졸드,랄프
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/52 , H01L21/316 , H01L51/44
CPC分类号： H01L51/445 , H01L21/31683 , H01L51/5206 , H01L51/5212 , H01L2251/308 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4213 , H01L51/422 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L51/448 , H01L51/5203 , H01L51/5253
摘要： 유기 복사 방출 소자의 제조 방법이 제공되며, 본 방법은 특히, A) 기판(1)상에 제1전극층(2)을 제공하는 단계, B) 상기 제1전극층(2)상에 금속을 함유하며 구조화된 전기 전도층(3)의 적층 단계, C) 상기 제1전극층(2)과 다른 쪽의 방향을 향해 있는 전기 전도층(3)의 표면(31)에 금속의 산화에 의한 전기 전도층(3)의 금속 산화물을 포함한 전기 절연층(4)을 생성하는 단계, D) 상기 제1전극층(2) 및 전기 절연층(4)상에 적어도 하나의 유기 기능층(5)의 적층 단계, 및 E) 상기 적어도 하나의 유기 기능층(5)상에 제2전극층(9)의 적층 단계를 포함한다. 또한, 유기 복사 방출 소자도 제공된다.

2. 发明授权

KR100976790B1 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件电容器的制造方法
公开(公告)号：KR100976790B1
公开(公告)日：2010-08-20
申请号：KR1020040042971
申请日：2004-06-11
申请人： 동부일렉트로닉스 주식회사
发明人： 김재희
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/84 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02307 , H01L21/31683
摘要： 본 발명은 반도체 소자의 캐패시터에 관한 것으로, 특히 MIM 캐패시터의 상부, 하부 커플링 면적을 늘려 캐패시터의 용량과 신뢰도를 향상하는 캐패시터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 하부 전극 형성용 금속층을 증착하는 단계와, 상기 금속층의 그레인 경계 영역에서 산화 속도 차이를 이용하여 요철 형태를 갖도록 형성 하는 단계와, 상기 요철 형태를 갖는 하부 전극 상에 유전체를 형성하는 단계와, 상기 유전체 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써, 캐패시터의 접촉 표면적을 증가시켜 캐패시터의 용량을 증가시키며, 하부 전극과 절연층 사이 경계면의 이물질을 제거할 수 있어 전류 전압(dc/dv) 특성을 향상시키는 효과가 있다.
MIM 캐패시터, 하부 전극, 그레인, 산화막

3. 发明公开

KR1020090128506A 반도체 디바이스 无效
标题翻译：用于高电压基于GAN的异质晶体管的终止和接触结构
公开(公告)号：KR1020090128506A
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：KR1020097021926
申请日：2008-03-20
申请人： 파워 인티그레이션즈, 인크.
发明人： 머피마이클 , 팝리스틱밀란
IPC分类号： H01L29/205 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/31683 , H01L23/3171 , H01L29/205 , H01L29/432 , H01L29/7786 , H01L2924/0002 , H01L2924/10346 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device is provided that includes a substrate, a first active layer disposed over the substrate, and a second active layer disposed on the first active layer. The second active layer has a higher bandgap than the first active layer such that a two-dimensional electron gas layer arises between the first active layer and the second active layer. A termination layer, which is disposed on the second active layer, includes InGaN. Source, gate and drain contacts are disposed on the termination layer.
摘要翻译：提供了一种半导体器件，其包括衬底，设置在衬底上的第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层。第二有源层具有比第一有源层更高的带隙，使得在第一有源层和第二有源层之间产生二维电子气层。设置在第二有源层上的端接层包括InGaN。源极，栅极和漏极触点设置在端接层上。

4. 发明授权

KR100538677B1 ＣＭＯＳ 애플리케이션에 적층형 고-유전 상수 게이트유전체를 증착하는 방법 失效
标题翻译：在CMOS应用中沉积堆叠高k栅极电介质的方法
公开(公告)号：KR100538677B1
公开(公告)日：2005-12-23
申请号：KR1020030055079
申请日：2003-08-08
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 콘리존에프주니어 , 오노요시 , 솔란끼라젠드라
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/28194 , C23C16/405 , C23C16/45529 , H01L21/3141 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L21/823857 , H01L28/56 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66545
摘要： 집적 회로에 고 유전 상수 유전체 재료층을 형성하는 방법은, 실리콘 기판을 준비하는 단계; ALD 를 이용하여 금속 질화물 전구체로 제 1 금속 산화물층을 증착하는 단계; ALD 를 이용하여 금속 염화물 전구체로 다른 금속 산화물층을 증착하는 단계; 및 집적 회로를 완성하는 단계를 포함한다.

5. 发明授权

KR100500940B1 반도체 장치의 캐패시터 제조방법 失效
公开(公告)号：KR100500940B1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：KR1020020035096
申请日：2002-06-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박종범 , 오훈정 , 김경민
IPC分类号： H01L27/04
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/02247 , H01L21/02263 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3144 , H01L21/31604 , H01L21/31616 , H01L21/31683 , H01L21/31691 , H01L28/56 , H01L28/90
摘要： 본 발명은 하부전극상에 안정적으로 질화막을 형성시키고, 누설전류특성 및 안정적인 캐패시턴스를 확보할수 있는 캐패시터 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판상에 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극상에 질화계 제1 보조 유전체 박막을 형성하는 단계; 상기 제1 유전체 박막상에 누설전류 특성향상을 위해 Al
2 O
3 막을 제2 보조 유전체 박막으로 형성하는 단계; 상기 제2 보조 유전체 박막상에 상기 제2 보조 유전체 박막보다 더 높은 유전율을 가지는 메인 유전체 박막을 형성하는 단계; 및 상기 메인 유전체 박막상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법을 제공한다.

6. 发明授权

KR100464855B1 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법 失效
标题翻译： 박막형성방법과，이를이용한커패시터형성방법및트랜스터형형형성방박막
公开(公告)号：KR100464855B1
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020020044318
申请日：2002-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박인성 , 정정희 , 여재현
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/405 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/02194 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L28/90
摘要： A thin film is formed using an atomic layer deposition process, by introducing a first reacting material including tantalum precursors and titanium precursors onto a substrate. A portion of the first reacting material is chemisorbed onto the substrate. Then, a second reacting material including oxygen is introduced onto the substrate. A portion of the second reacting material is also chemisorbed onto the substrate, to form an atomic layer of a solid material on the substrate. The solid material may be used as a dielectric layer of the capacitor and/or a gate dielectric layer of the transistor.
摘要翻译：使用原子层沉积工艺，通过将包含钽前体和钛前体的第一反应材料引入到衬底上来形成薄膜。第一反应材料的一部分被化学吸附到基底上。然后，将包含氧的第二反应材料引入到基板上。一部分第二反应材料也被化学吸附到基底上，以在基底上形成固体材料的原子层。固体材料可以用作电容器的介电层和/或晶体管的栅极介电层。

7. 发明公开

KR1020040016779A 원자층 증착법을 이용한 산화막의 형성방법 및 이를이용한 반도체 장치의 캐패시터 형성방법 有权
标题翻译：通过原子层沉积法形成氧化层的方法和使用其形成半导体器件的电容器的方法
公开(公告)号：KR1020040016779A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：KR1020030052909
申请日：2003-07-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이윤정 , 박인성 , 임기빈 , 여재현 , 박기연
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02181 , C23C16/401 , C23C16/45553 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/31604 , H01L21/3162 , H01L21/3165 , H01L21/31683 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： PURPOSE: A method for forming an oxide layer by an atomic layer deposition(ALD) method is provided to increase a deposition rate and improve a deposition characteristic of a metal oxide layer by performing an ALD method using an oxidizing agent and a precursor including Hf and an amino group. CONSTITUTION: The surface of a substrate(1) is exposed to a precursor including an amino group to form a chemically absorbed precursor layer on the surface of the substrate. The chemically absorbed precursor layer is oxidized by using an oxidizing agent to form an oxide layer on the substrate.
摘要翻译：目的：提供一种通过原子层沉积（ALD）方法形成氧化物层的方法，以通过使用氧化剂和包含Hf的前体的ALD方法来提高沉积速率并提高金属氧化物层的沉积特性，氨基。构成：将衬底（1）的表面暴露于包含氨基的前体，以在衬底的表面上形成化学吸收的前体层。通过使用氧化剂将化学吸收的前体层氧化，以在衬底上形成氧化物层。

8. 发明公开

KR1020040009935A 박막 형성 방법과, 이를 이용한 커패시터 형성 방법 및트랜지스터 형성 방법 失效
标题翻译：用于形成薄膜的方法和使用其形成电容器和晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020040009935A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020020044318
申请日：2002-07-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 박인성 , 정정희 , 여재현
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/405 , C23C16/45531 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , H01L21/02194 , H01L21/02205 , H01L21/02274 , H01L21/02277 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L28/90
摘要： PURPOSE: A method for forming a thin film and a method for forming a capacitor and a transistor using the same are provided to improve a dielectric constant and reduce the amount of leakage current by using an atomic layer deposition method. CONSTITUTION: The first reaction material(2) including a tantalum precursor and a titanium precursor is introduced to a substrate(1). The first reaction material(2) is partially absorbed on the upper surface of the substrate(1) by introducing the first reaction material to the substrate. The second reaction material(6) including oxygen is introduced to the substrate. A solid material(8) is formed on the upper surface by absorbing partially the second reaction material(6) on the upper surface of the substrate. The tantalum precursor is formed with one material selected from a group including TaCl5, Ta(OC2H5)5, Ta(OC4H9)5, Ta(OC2H5)(OC3H7)4, and TAT-DMAE. The titanium precursor is formed with one material selected form a group including TiCl4, Ti(OCH3)4, Ti(OC2H5)4, Ti(OC3H7)4, Ti(OC4H9)4, Ti(OC2H5)(OC3H7)4, Ti(OC3H7)2(O2C11H19)2, and Ti(OEt)2(DMAE)2.
摘要翻译：目的：提供一种形成薄膜的方法以及使用其形成电容器和晶体管的方法，以通过使用原子层沉积方法来提高介电常数并减少漏电流量。构成：将包含钽前体和钛前体的第一反应材料（2）引入基材（1）。第一反应材料（2）通过将第一反应材料引入基底而被部分地吸收在基底（1）的上表面上。将包含氧的第二反应材料（6）引入基材。通过在基板的上表面部分地吸收第二反应材料（6），在上表面上形成固体材料（8）。钽前体由选自TaCl 5，Ta（OC 2 H 5）5，Ta（OC 4 H 9）5，Ta（OC 2 H 5）（OC 3 H 7）4和TAT-DMAE）的一种材料形成。钛前体由选自TiCl4，Ti（OCH3）4，Ti（OC2H5）4，Ti（OC3H7）4，Ti（OC4H9）4，Ti（OC2H5）（OC3H7）4，Ti（ OC 3 H 7）2（O 2 C 11 H 19）2和Ti（OEt）2（DMAE）2。

9. 发明公开

KR1020040000915A 피로 현상을 억제하기 위한 금속산화막을 갖는 강유전체캐패시터 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有金属氧化物层的电磁电容器用于限制疲劳电极及其制造方法
公开(公告)号：KR1020040000915A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：KR1020020035929
申请日：2002-06-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이문숙 , 박건상
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/56 , H01L21/31683 , H01L27/10814 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/60
摘要： PURPOSE: A ferroelectric capacitor having a metal oxide layer for restricting a fatigue phenomenon and a fabricating method therefor are provided to simplify a fabrication process by oxidizing a surface of a bottom electrode to form a metal oxide layer. CONSTITUTION: A bottom electrode(232) is formed on an upper surface of a substrate(202). A metal oxide layer(234) is formed on a surface of the bottom electrode(232) by oxidizing the bottom electrode(232). A ferroelectric layer(240) for restricting the reduction of the metal oxide layer(234) is formed on an upper surface of the bottom electrode(232) on which the metal oxide layer(234) is formed. An upper electrode(242) is formed on an upper surface of the ferroelectric layer(240).
摘要翻译：目的：提供具有用于限制疲劳现象的金属氧化物层的铁电电容器及其制造方法，以通过氧化底部电极的表面以形成金属氧化物层来简化制造工艺。构成：底部电极（232）形成在基板（202）的上表面上。通过氧化底部电极（232），在底部电极（232）的表面上形成金属氧化物层（234）。用于限制金属氧化物层（234）的还原的铁电体层（240）形成在其上形成有金属氧化物层（234）的底部电极（232）的上表面上。上电极（242）形成在强电介质层（240）的上表面上。

10. 发明授权

KR100390849B1 하프늄산화막을 구비하는 캐패시터의 제조 방법 失效
标题翻译：在这种情况下，你可以使用任何其他的方法
公开(公告)号：KR100390849B1
公开(公告)日：2003-07-12
申请号：KR1020010038756
申请日：2001-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 송창록
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L28/40 , H01L21/28568 , H01L21/31604 , H01L21/31683 , H01L28/60 , Y10S148/014
摘要： Disclosed herein is a method of fabricating a capacitor. The method includes the steps of: forming a Ti1-xHfxN layer on a substrate, wherein x is in a range from 0 to 0.5; forming an electrode layer on the Ti1-xHfxN layer; and forming a HfO2 layer on an interface between the electrode layer and the Ti1-xHfxN layer by performing a thermal treatment in an oxygen gas-containing atmosphere.
摘要翻译：本文公开了一种制造电容器的方法。该方法包括以下步骤：在衬底上形成Ti1-xHfxN层，其中x在0至0.5的范围内; 在Ti1-xHfxN层上形成电极层; 以及通过在含氧气氛中进行热处理，在电极层和Ti 1-x Hf x N层之间的界面上形成HfO 2层。

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