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61. 发明授权

KR101444085B1 카바이도나이트라이드계 형광체들 및 이를 이용한 발광 소자들 有权
标题翻译：基于碳化硅的磷光体和使用其的发光装置
公开(公告)号：KR101444085B1
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020127030764
申请日：2010-07-19
申请人： 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 리유안퀴앙 , 티안용치 , 로마넬리마이클데니스
IPC分类号： C09K11/08 , C09K11/64 , C09K11/79 , H01L33/50
CPC分类号： C09K11/7721 , C04B35/58 , C04B35/584 , C04B35/6268 , C04B2235/3208 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3826 , C04B2235/3852 , C04B2235/386 , C04B2235/3865 , C04B2235/3873 , C04B2235/3891 , C04B2235/40 , C04B2235/445 , C04B2235/761 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L2224/48247 , H01L2224/8592
摘要： 여기서 카바이도나이트라이드 형광체들의 신규한 그룹 및 이런 형광체들을 이용하는 발광 소자가 개시된다. 특정 구체예들에서, 본 발명은 하기와 같이 표현된 카바이도나이트라이드계 형광체들의 신규한 패밀리에 관한 것이되:
(1) ;
(2) ;
(3) ;
(4) ; 및
(4a) ,
여기서 0 xy+z 및 0

62. 发明授权

KR101336902B1 메탈라이즈드 기판을 제조하는 방법, 메탈라이즈드 기판 有权
标题翻译：用于生产金属化基板和金属化基板的方法
公开(公告)号：KR101336902B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020117021361
申请日：2010-03-29
申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마
发明人： 다카하시나오토 , 미나베유이치로
IPC分类号： H01L23/12 , C04B41/88 , H05K1/09
CPC分类号： H05K1/092 , C04B41/009 , C04B41/52 , C04B41/90 , C04B2111/00844 , C23C18/06 , C23C18/08 , H01L23/498 , H01L23/49883 , H01L2924/0002 , Y10T428/24612 , C04B41/4556 , C04B41/5068 , C04B41/4539 , C04B41/4547 , C04B41/5116 , C04B41/5127 , C04B41/5133 , C04B35/58 , C04B35/581 , H01L2924/00
摘要： 질화물 세라믹스 소결체 기판(10) 위에, 소정의 금속 페이스트 조성물을 도포하고, 이것을 소정의 조건, 내열성 용기 내에서 소성하여, 기판(10)과 금속층(30)이 질화티타늄층(20)을 개재(介在)하여 접합된 메탈라이즈드 기판을 제조하는 방법.

63. 发明公开

KR1020130123375A 가열 장치 有权
标题翻译：加热装置
公开(公告)号：KR1020130123375A
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020137007350
申请日：2011-10-11
申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디
发明人： 곤도노부유키 , 와타나베모리미치 , 진도아스미 , 가츠다유지 , 사토요스케 , 이소다요시노리
IPC分类号： C04B35/581 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/67 , B32B18/00 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/645 , C04B37/001 , C04B37/003 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3865 , C04B2235/5445 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C04B2237/08 , C04B2237/34 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/366 , C04B2237/58 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C23C14/3414 , H01L21/6831 , H05B1/00 , H05B3/283 , Y10T428/24942 , C04B35/04 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： 가열 장치는, 반도체를 가열하는 가열면을 갖는 서셉터(2) 및 이 서셉터(2)의 배면에 접합되어 있는 지지부(3)를 구비한다. 서셉터(2)가 마그네슘, 알루미늄, 산소 및 질소를 주성분으로 하는 세라믹스 재료로 이루어지고, 이 세라믹스 재료가, CuKα선을 이용했을 때의 XRD 피크가 적어도 2θ=47˚∼50˚에 나타나는 마그네슘-알루미늄 산질화물상을 주상으로 한다.
摘要翻译：加热装置包括具有用于加热半导体的加热表面的基座2和结合到基座2的后表面的支撑部分3。基座2由以镁，铝，氧和氮为主要成分的陶瓷材料构成，陶瓷材料具有镁 - 氮氧化铝相是柱状相。

64. 发明公开

KR1020130090788A 세라믹 대 세라믹 접합부 및 관련 방법 审中-实审
标题翻译：陶瓷与陶瓷接头及相关方法
公开(公告)号：KR1020130090788A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020127033278
申请日：2011-05-20
申请人： 세라마테크, 인코오포레이티드
发明人： 펠로우즈조셉 , 윌슨메릴
IPC分类号： C04B37/00 , C04B35/56 , C04B35/565 , C04B35/58
CPC分类号： C04B37/006 , C04B2235/662 , C04B2235/75 , C04B2235/96 , C04B2237/121 , C04B2237/365 , C04B2237/368 , C04B2237/52 , C04B2237/60 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B37/00 , C04B35/56 , C04B35/565 , C04B35/58
摘要： 본 발명은 세라믹 대 세라믹 접합부 및 당해 접합부를 제조하는 방법을 제공한다. 일반적으로, 상기 접합부는 제1 (15) 세라믹 부분 및 제2 (20) 세라믹 부분을 포함하며, 여기서, 상기 제1 (15) 및 제2 (20) 세라믹 부분은 각각 세라믹-탄화물 또는 세라믹-질화물 물질을 포함한다. 몇 가지 경우, 알루미늄-개시된 접합 영역이 제1 (15) 세라믹 부분과 제2 (20) 세라믹 부분을 접합시킨다. 이러한 접합 영역은 전형적으로, 상기 접합 영역으로 확산된 제1 (15) 및 제2 (20) 세라믹 부분으로부터의 화학 종을 포함한다. 또한, 제1 (15) 및 제2 (20) 세라믹 부분은 각각 전형적으로, 접합 영역에 인접하여 배치되고 접합 확산 구역(이는, 상기 접합 확산 구역으로 확산되는 상기 접합 영역으로부터의 알루미늄 종을 포함한다)을 포함한다. 또 다른 실시가 또한 기재되어 있다.
摘要翻译：本发明提供一种陶瓷陶瓷接合体及其制造方法。通常，接头包括第一陶瓷部件和第二陶瓷部件，其中第一和第二陶瓷部件各自包括陶瓷碳化物或陶瓷氮化物材料。在一些情况下，铝引发的接合区域连接第一和第二陶瓷部件。该接合区域通常包括已经扩散到接合区域的来自第一和第二陶瓷部件的化学物质。另外，第一陶瓷部件和第二陶瓷部件通常包括接合扩散区域，该接合扩散区域邻近接合区域布置，并且包括从接合区域扩散到接合扩散区域中的铝物质。还描述了其他实现。

65. 发明公开

KR1020130087726A 저저항, 고열전도도 베타상 탄화규소 소재 제조용 조성물, 탄화규소 소재 및 소재의 제조방법 有权
标题翻译：具有低电阻率，高导热性，烧结体及其生产方法的碳化硅（β-SiC）材料的组合物
公开(公告)号：KR1020130087726A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：KR1020120008805
申请日：2012-01-30
申请人： 서울시립대학교 산학협력단
发明人： 김영욱 , 임광영
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/645 , C04B35/50
CPC分类号： C04B35/565 , C01B32/956 , C04B35/5156 , C04B35/58 , C04B35/645 , C04B2235/3826 , C04B2235/9607
摘要： PURPOSE: A composition of β-phase silicon carbide material having low resistivity and high thermal conductivity is provided to enable the densification of silicon carbide and nitrogen doping with high concentration by using at least two kinds of sintering aids which consist of different cations. CONSTITUTION: A composition of β-phase silicon carbide material having low resistivity and high thermal conductivity consists of β-phase silicon carbide and at least two kinds of sintering aids which consist of different cations. The sintering aid is selected among scandium nitrate, yttrium nitrate, lanthanum nitrate, praseodymium nitrate, neodymium nitrate, samarium nitrate, gadolinium nitrate, dysprosium nitrate, holmium nitrate, lutetium nitrate, and the hydrate. The β-phase silicon carbide is 88.0-99.8 weight%, and the sintering aid is 0.2-12 weight% based on the total weight of the composition.
摘要翻译：目的：提供具有低电阻率和高导热性的β相碳化硅材料的组合物，以通过使用由不同阳离子组成的至少两种烧结助剂，使碳化硅致密化和高浓度氮掺杂。构成：具有低电阻率和高导热性的β相碳化硅材料的组成由β-相碳化硅和由不同阳离子组成的至少两种烧结助剂组成。烧结助剂选自硝酸钪，硝酸钇，硝酸镧，硝酸镨，硝酸钕，硝酸钐，硝酸钆，硝酸镝，硝酸镧，硝酸镥和水合物。 β相碳化硅为88.0-99.8重量％，烧结助剂为组合物总重的0.2-12重量％。

66. 发明授权

KR101186232B1 프리-스탠딩 질화갈륨 기판 제조방법 失效
标题翻译：制备无定型氮化铝基板的方法
公开(公告)号：KR101186232B1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：KR1020110074053
申请日：2011-07-26
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 박봉모 , 우광제 , 최준성 , 김준회 , 박철민
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C04B35/58 , C04B41/009 , C04B41/5062 , C04B41/87 , C04B2111/0025 , C04B2111/00844 , C04B2235/3852 , C30B25/02 , C30B25/20 , C30B29/406 , H01L33/0075 , C04B41/4531
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing a free-standing gallium nitride substrate is provided to prevent a substrate from being bent and crack generation by manufacturing the free-standing gallium nitride substrate using polycrystalline gallium nitride substrate having similar thermal expansion coefficients. CONSTITUTION: Polycrystalline gallium nitride powder deposited on a reactor or a susceptor is collected. The collected polycrystalline gallium nitride powder is put in a molding frame. A polycrystalline gallium nitride substrate is manufactured by sintering the polycrystalline gallium nitride powder. A single crystal gallium nitride layer letting single crystal gallium nitride grow is formed on the polycrystalline gallium nitride substrate. [Reference numerals] (AA) Power collection step; (BB) Mounting step; (CC) Polycrystalline gallium nitride substrate manufacturing step; (DD) Single crystal gallium nitride layer forming step
摘要翻译：目的：提供一种用于制造独立式氮化镓衬底的方法，以通过使用具有相似热膨胀系数的多晶氮化镓衬底制造独立的氮化镓衬底来防止衬底弯曲和产生裂纹。构成：沉积在反应器或基座上的多晶氮化镓粉末被收集。将收集的多晶氮化镓粉末放入模制框架中。通过烧结多晶氮化镓粉末来制造多晶氮化镓衬底。在多晶氮化镓衬底上形成使单晶氮化镓生长的单晶氮化镓层。（附图标记）（AA）电力收集步骤; （BB）安装步骤; （CC）多晶氮化镓衬底制造步骤; （DD）单晶氮化镓层形成步骤

67. 发明公开

KR1020120089795A 스퍼터링 타깃, 스퍼터링 타깃의 제작 방법, 및 반도체 장치의 제작 방법 审中-实审
标题翻译：溅射靶，其制造方法和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020120089795A
公开(公告)日：2012-08-13
申请号：KR1020110136200
申请日：2011-12-16
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/58 , H01L21/203
CPC分类号： H01L29/4908 , C04B35/453 , C04B35/58 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3852 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C23C14/0676 , C23C14/3414 , H01L21/02565 , H01L21/443 , H01L29/4966
摘要： PURPOSE: A sputtering target, a manufacturing method of the sputtering target, and a manufacturing method of a semiconductor device are provided to increase the ratio of heavy rare gases in sputtering gas by securing a desired concentration of nitrogen in a target, thereby improving productivity in a semiconductor device manufacturing process. CONSTITUTION: A sputtering target comprises an oxynitride sintered body(11) containing two or more of indium, gallium, zinc, and tin. In the sintered body, the concentration of nitrogen is 4 atomic% or greater, the concentration of alkali metal is 5×10^16atoms/cm^3 or less, and the concentration of hydrogen is 1×10^16atoms/cm^3 or less.
摘要翻译：目的：提供一种溅射靶，溅射靶的制造方法和半导体装置的制造方法，以通过确保目标物中所需的氮浓度来提高溅射气体中的重稀有气体的比例，从而提高溅射靶的生产率半导体器件制造工艺。构成：溅射靶包括含有铟，镓，锌和锡中的两种或更多种的氧氮化物烧结体（11）。在烧结体中，氮的浓度为4原子％以上，碱金属的浓度为5×10 ^ 16atoms / cm 3以下，氢浓度为1×10 ^ 16atoms / cm 3或减。

68. 发明公开

KR1020120072884A 지르코늄디보라이드-실리콘카바이드 복합소재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：二硼化钛 - 碳化硅复合材料及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120072884A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：KR1020100134806
申请日：2010-12-24
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 김성원 , 채정민 , 오윤석 , 이성민 , 김형태 , 김경자
IPC分类号： C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/645
CPC分类号： C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/645 , C04B2235/5454
摘要： PURPOSE: A zirconium diboride-silicon carbide composite material and a manufacturing method thereof are provided to improve mechanical strength and oxidation resistance of ZrB2-SiC composite material and to prevent growth of zirconium diboride. CONSTITUTION: A manufacturing method of A zirconium diboride-silicon carbide composite material comprises the following steps: mixing zirconium diboride with a solvent in which polycarbosilane is dissolved; obtaining zirconium which is coated with polycarbosilane by drying the mixture; a first heat treating the zirconium diboride at 1100-1500 deg. Celsius and converting the polycarbosilane into silicon carbide by pyrolysis; and increasing temperature of the zirconium diboride which is surrounded with the silicon carbide to a second heat treating temperature; and sintering while pressurizing. The second heat treating temperature is higher than 1100-1500 deg. Celsius.
摘要翻译：目的：提供二硼化锆 - 碳化硅复合材料及其制造方法，以提高ZrB2-SiC复合材料的机械强度和抗氧化性，并防止二硼化锆的生长。构成：二硼化锆 - 碳化硅复合材料的制造方法包括以下步骤：将二硼化锆与溶解有聚碳硅烷的溶剂混合; 通过干燥混合物获得涂覆有聚碳硅烷的锆; 在1100-1500度下首先热处理二硼化锆。摄氏度，并通过热解将聚碳硅烷转化为碳化硅; 并且将由碳化硅包围的二硼化锆的温度升高至第二热处理温度; 并加压烧结。第二热处理温度高于1100-1500度。摄氏度。

69. 发明授权

KR101157006B1 형광체의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101157006B1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：KR1020097016000
申请日：2004-11-25
申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 히로사키나오토 , 우에다교타 , 야마모토하지메
IPC分类号： C09K11/86 , C09K11/85 , C09K11/57 , C09K11/55
CPC分类号： C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181
摘要： 본 발명의 목적은 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체의 경우에 비해 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하는 형광 특성을 갖는 무기 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명은 CaSiAlN
3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.
형광체, 조명 기구

70. 发明公开

KR1020120040278A 형광체의 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1020120040278A
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：KR1020127008869
申请日：2004-11-25
申请人： 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 , 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 히로사키나오토 , 우에다교타 , 야마모토하지메
IPC分类号： C09K11/80 , C09K11/79
CPC分类号： C09K11/7792 , C01B21/0602 , C01B21/0821 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/447 , C04B35/58 , C04B35/581 , C04B35/584 , C04B35/597 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3262 , C04B2235/3852 , C04B2235/3865 , C04B2235/3878 , C04B2235/3886 , C04B2235/445 , C04B2235/6567 , C04B2235/761 , C04B2235/77 , C09K11/0883 , C09K11/643 , C09K11/646 , C09K11/7703 , C09K11/7706 , C09K11/7718 , C09K11/7721 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7746 , C09K11/7749 , C09K11/7761 , C09K11/7764 , C09K11/7774 , C09K11/7783 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , Y02B20/181
摘要： 본 발명의 목적은 희토류로 활성된 종래의 사이알론 형광체의 경우에 비해 보다 긴 파장을 갖는 주황색 또는 적색광을 방출하는 형광 특성을 갖는 무기 형광체를 제공하는 것이다.
본 발명은 CaSiAlN
3 결정상과 동일한 결정 구조를 갖는 무기 화합물을 모체 결정으로 사용하고, M [여기서, M 은 Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, 및 Yb 로부터 선택된 하나 이상의 것임] 이 발광 중심으로서 첨가되는 고용체 결정상 형광체를 이용함으로써, 적색 성분이 풍부하고 양호한 연색성을 갖는 백색 발광 다이오드의 설계에 관한 것이다.

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