专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明授权

KR101493709B1 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법 有权
标题翻译：双面抛光装置用承载件和双面抛光装置以及使用载体的双面抛光方法
公开(公告)号：KR101493709B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020097000959
申请日：2007-06-05
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 우치야마이사오
IPC分类号： B24B37/28 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/28
摘要： 본 발명은, 양면 연마 장치에 있어서, 연마포가 첩부된 상하 정반 사이에 배설되고, 연마 시에 상기 상하 정반 사이에 끼워진 반도체 웨이퍼를 유지하기 위한 유지공이 형성된 양면 연마 장치용 캐리어로서, 이 캐리어의 재질은 티탄이고, 이 티탄제 캐리어의 표면 거칠기가 Ra로 0.14㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 양면 연마 장치용 캐리어이다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼의 양면 연마 시에, 웨이퍼 외주 처짐이 저감된 높은 평탄도를 갖는 고품질의 웨이퍼를 안정적이면서 효율적으로 생산할 수 있는 것을 가능하게 하는 양면 연마 장치용 캐리어, 이것을 이용한 양면 연마 장치 및 양면 연마 방법이 제공된다.
양면, 연마, 티탄, 캐리어, 외주 처짐, 평탄도

62. 发明授权

KR101487412B1 웨이퍼의 가공 장치 有权
标题翻译：加工过程的装置
公开(公告)号：KR101487412B1
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：KR1020130106111
申请日：2013-09-04
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이재복
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
摘要： 실시예는 복수 개의 캐리어가 배치되는 제1 정반; 상기 제1 정반과 마주보고 배치되는 제2 정반; 상기 제1 정반의 중앙 영역에 배치되고, 상기 복수 개의 캐리어와 맞물리는 제1 기어; 상기 제1 정반의 가장 자리 영역에 배치되고, 상기 복수 개의 캐리어와 맞물리는 제2 기어; 상기 제1 정반 상에 배치되고, 상기 제2 기어를 가이드하는 복수 개의 가이드 핀; 및 상기 가이드 핀을 세정하는 가이드 핀 세정 유닛을 포함하는 웨이퍼의 가공 장치를 제공한다.
摘要翻译：在一个实施例中，一种用于处理晶片的装置包括用于安排载体的第一板; 面对第一板的第二板; 第一齿轮，其布置在第一板的中心区域并且与载体相啮合; 第二齿轮，其布置在第一板的边缘区域中，并与托架相啮合; 引导销布置在第一板上并引导第二齿轮; 以及清洁引导销的引导销清洁单元。

63. 发明公开

KR1020130035884A 연마 장치 및 연마 방법 无效
标题翻译：研磨设备和研磨方法
公开(公告)号：KR1020130035884A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120103833
申请日：2012-09-19
申请人： 소니 주식회사
发明人： 조자키토모히데 , 마츠이슌스케
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/27 , B24B7/24
CPC分类号： B24B37/08 , B24B7/17 , B24B13/015 , B24B37/28
摘要： PURPOSE: A grinding device and a grinding method are provided to prevent the occurrence of cracks based on the cross section of a grinding object. CONSTITUTION: A grinding device comprises an upper plate, a lower plate, a sun gear, an internal gear, and a planetary carrier(5). The lower plate is located on the opposite side of the upper plate, and rotates to the reverse direction of the upper plate. The sun gear and the internal gear rotate to the same rotary axis the upper plate and the lower plate. The planetary carrier is installed between the upper plate and the lower plate, and comprises a cutaway part or clearances(11a, 11b) in a support hole(10). [Reference numerals] (11a,11b) Clearance;
摘要翻译：目的：提供研磨装置和研磨方法，以防止基于研磨对象的横截面产生裂纹。构成：研磨装置包括上板，下板，太阳齿轮，内齿轮和行星架（5）。下板位于上板的相对侧，并向上板的相反方向旋转。太阳齿轮和内齿轮以相同的旋转轴线转动上板和下板。行星齿轮架安装在上板和下板之间，并且在支撑孔（10）中包括切口部分或间隙（11a，11b）。（附图标记）（11a，11b）间隙;

64. 发明公开

KR1020130008572A 동시 양면 웨이퍼 연삭기에서의 유체정역학적 패드 압력 조정 有权
标题翻译：同时双面砂轮砂浆中的静压垫压力调节
公开(公告)号：KR1020130008572A
公开(公告)日：2013-01-22
申请号：KR1020127025126
申请日：2011-03-18
申请人： 썬에디슨, 인크.
发明人： 바가바트,수미트에스. , 반다메,롤랜드알. , 고무라,도모미
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/461 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/00 , B24B9/14
CPC分类号： B24B9/148 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/00 , H01L21/78 , B24B1/00 , B24B7/17 , H01L21/304 , H01L21/461
摘要： 한 쌍의 연삭 휠을 갖는 양면 웨이퍼 연삭기에서 정역학적 압력을 조절하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 이 시스템 및 방법은 연삭 휠들에 의해 유도되는 전류의 양을 측정하기 위해 프로세서를 이용한다. 패턴 검출 소프트웨어는 측정된 전류에 기초하여 연삭 스테이지를 예측하는데 이용된다. 정역학적 압력이 각 스테이지에서 유량 제어 밸브들에 의해 변경되어 웨이퍼에 가해지는 클램핑 압력을 변경함으로써 처리된 웨이퍼에서의 나노토폴로지를 향상시킨다.
摘要翻译：公开了用于调节具有一对砂轮的双面晶圆研磨机中的静水压力的系统和方法。系统和方法使用处理器来测量由砂轮吸取的电流量。模式检测软件用于基于测量的电流来预测磨削阶段。在每个阶段通过流量控制阀改变静水压力，以改变施加到晶片的夹紧压力，从而改善加工晶片中的纳米拓扑。

65. 发明授权

KR101193406B1 양면 연마 장치용 캐리어 및 이를 이용한 양면 연마 장치,양면 연마 방법 有权
标题翻译：双面抛光机和双面抛光机的运输机和双面抛光方法
公开(公告)号：KR101193406B1
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020077019071
申请日：2006-02-20
申请人： 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
发明人： 우에노주니치
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/28
摘要： The present invention is a carrier for a double-side polishing apparatus in which, in a double-side polishing apparatus, the carrier is set between upper and lower turn tables to which polishing pads are attached, and a holding hole to hold a wafer sandwiched between the upper and lower turn tables in polishing is formed in the carrier, wherein the carrier is made of titanium. Thereby, there is provided a carrier for a double-side polishing apparatus in which the strength of the carrier itself is high, and at the same time, contamination of a wafer such as a silicon wafer by impurities is suppressed, and sag in a peripheral portion of the wafer after being polished is suppressed.

66. 发明公开

KR1020120083838A 양면 연마 장치 审中-实审
标题翻译：双面抛光装置
公开(公告)号：KR1020120083838A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：KR1020110125717
申请日：2011-11-29
申请人： 후지코시 기카이 고교 가부시키가이샤
发明人： 미야시타타다카즈 , 코야마쇼고
IPC分类号： B24B37/04 , B24B7/17 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/28
摘要： PURPOSE: A double side polishing apparatus is provided to exactly polish works by fixing a polishing pad using a simple structure. CONSTITUTION: A double side polishing apparatus(30) comprises a lower polishing plate(32), an upper polishing pad(36), a carrier(44), a plate driving unit, a carrier driving unit, a slurry supply hole(76), and a slurry supply pipe(78). The lower polishing plate comprises an upper polishing surface, in which a polishing pad is attached. The upper polishing pad is on the lower polishing plate, moves up and down, and comprises a lower polishing surface. The carrier is placed between the lower polishing plate and an upper polishing plate, and comprises a through hole to support works. The plate driving unit rotates the lower polishing plate and the upper polishing plate about a shaft. The carrier driving unit rotates the carrier. The slurry feeding hole is formed on the polishing plate.
摘要翻译：目的：提供双面抛光装置，通过使用简单的结构固定抛光垫来精确抛光作品。构造：双面抛光装置（30）包括下抛光板（32），上抛光垫（36），载体（44），板驱动单元，载体驱动单元，浆料供应孔（76），和浆料供给管（78）。下抛光板包括上抛光表面，其中附着有抛光垫。上抛光垫在下抛光板上，上下移动，并包括下抛光面。载体放置在下抛光板和上抛光板之间，并且包括用于支撑工件的通孔。板驱动单元围绕轴旋转下抛光板和上抛光板。载体驱动单元使载体旋转。浆料供给孔形成在研磨板上。

67. 发明公开

KR1020120067302A 적어도 3개의 반도체 웨이퍼의 양면을 동시에 재료 제거 처리하는 방법 有权
标题翻译：用于同时进行三维半导体晶片两面同步材料去除处理的方法
公开(公告)号：KR1020120067302A
公开(公告)日：2012-06-25
申请号：KR1020110134673
申请日：2011-12-14
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 피츠흐게오르그
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/02013 , H01L21/02024
摘要： PURPOSE: A method for processing both sides of three or more semiconductor wafers at the same time is provided to improve both sides process method having planet kinematics in order to economically manufacture plane-parallel semiconductor wafers of large size. CONSTITUTION: The intermediate point(5) of an opening(1) is arranged on a pitch circle(2). The radius(r) of the opening is larger than the radius of a semiconductor wafer. The opening sweeps a domain which is contiguous to a circular envelope(6) arranged to a concentric circle. A plurality of carriers(13) precisely comprises one opening. The plurality of carriers has the pitch-circle diameter(7) of an external saw blade of 720mm.
摘要翻译：目的：提供同时处理三个或更多个半导体晶片的两面的方法，以改善具有行星运动学的双面加工方法，以经济地制造大尺寸的平行平行半导体晶片。构成：开口（1）的中间点（5）布置在节圆（2）上。开口的半径（r）大于半导体晶片的半径。开口扫过与设置在同心圆上的圆形信封（6）相邻的区域。多个载体（13）精确地包括一个开口。多个载体具有720mm的外部锯片的节圆直径（7）。

68. 发明公开

KR1020110135401A 양면 연삭 기계에서 매우 얇은 작업물을 재료 제거 가공하기 위한 방법 有权
标题翻译：在双面磨床中进行非常薄的加工的材料的方法
公开(公告)号：KR1020110135401A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020117023576
申请日：2010-04-01
申请人： 페터 볼터스 게엠베하
发明人： 룬켈프랭크
IPC分类号： B24B7/17 , B24B37/28 , B24B49/12 , B24B7/22 , H01L21/304
CPC分类号： B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/28 , B24B49/12 , H01L21/304
摘要： 본 발명은 편평한 캐리어(28)에 분리가능하게 고정되는 매우 편평한 작업물(38)을 연삭 또는 폴리싱 가공하는 방법에 관한 것이다. 작업물(38)은 캐리어(28)와 함께 양면 연삭 기계(10)의 적어도 하나의 로터 디스크(22)의 홈(23)안으로 삽입되어 양면 연삭 기계(10)의 작업 표면 사이에서 사이클로이드 경로를 따라 움직이게 된다. 양면 연삭 기계(10)의 작업 표면에서의 제거율은 동일하거나, 한 가공면에서의 제거율은 반대측 작업 표면에서의 제거율 보다 실질적으로 작거나, 또는 한 작업 표면에서는 재료 제거가 수행되지 않는다. 일 실시 형태에서, 두 작업물(38)이 캐리어(28)에 분리가능하게 고정되는데, 즉 상부면과 하부면에 고정된다.

69. 发明授权

KR101050089B1 웨이퍼의 양면 가공장치 有权
标题翻译：用于双面加工的设备
公开(公告)号：KR101050089B1
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：KR1020100021096
申请日：2010-03-10
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 이재훈 , 오현정 , 남병욱 , 이상훈
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/28
摘要： PURPOSE: An apparatus for processing both sides of a wafer is provided to improve the unbalance of the pressure applied to a platen by installing a pressure support on the platen between carriers. CONSTITUTION: An upper platen and a bottom platen(200) face each other and are rotated in opposite directions to each other. A plurality of carriers(210) are loaded on the bottom platen and a plurality of wafers are inserted in. A sun gear is provided at a center of the bottom platen to rotate the carriers. An internal gear is formed at an edge between the upper platen and the lower platen to rotate the carriers. A pressure support is formed between an adjacent carrier and an internal gear to support the pressure applied to the bottom platen.
摘要翻译：目的：提供用于处理晶片两侧的装置，以通过在载体之间安装压板上的压力支撑来改善施加到压板的压力的不平衡。构成：上压板和底压板（200）彼此面对并且彼此相反地旋转。多个载体（210）装载在底部压板上并插入多个晶片。太阳齿轮设置在底部压板的中心以使载体旋转。在上压板和下压板之间的边缘处形成内齿轮以使载体旋转。在相邻的载体和内齿轮之间形成压力支撑以支撑施加到底部压板的压力。

70. 发明公开

KR1020110059145A 웨이퍼 캐리어 및 이를 채용한 웨이퍼 양면 연마장치 有权
标题翻译：用于抛光具有相同方向的波浪的两边的波浪载体和装置
公开(公告)号：KR1020110059145A
公开(公告)日：2011-06-02
申请号：KR1020090115789
申请日：2009-11-27
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 구성민
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/673
CPC分类号： B24B37/28 , B24B37/08
摘要： PURPOSE: A wafer carrier and an apparatus for polishing both sides of a wafer adopting the same are provided to improve flatness by changing the structure of a carrier mounting hole for mounting the wafer. CONSTITUTION: A polishing pad is attached to the upper side of a bottom surface plate. A polishing pad is attached to the lower side of a top surface plate. The top surface plate rotates and pressurizes the wafer. A wafer carrier(100) is interposed between the top surface plate and the bottom surface plate. A mounting hole(110) is formed on the wafer carrier.
摘要翻译：目的：提供一种晶片载体和用于抛光采用该晶片载体的晶片的两侧的装置，通过改变用于安装晶片的载体安装孔的结构来提高平坦度。构成：抛光垫安装在底面板的上侧。抛光垫安装在顶面板的下侧。顶面板旋转并加压晶片。晶片载体（100）介于顶面板和底面板之间。在晶片载体上形成安装孔（110）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式