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1. 发明公开

KR1020170100586A 코발트 및/또는 코발트 합금을 포함하는 기판의 폴리싱을 위한 화학 기계적 폴리싱 (CMP) 조성물의 사용 审中-实审
标题翻译：使用化学机械抛光（CMP）组合物抛光包含钴和/或钴合金的基材
公开(公告)号：KR1020170100586A
公开(公告)日：2017-09-04
申请号：KR1020177020430
申请日：2015-12-11
申请人： 바스프 에스이
发明人： 라이하르트로베르트 , 지베르트막스 , 란용칭 , 라우터미하엘 , 우스만이브라힘쉐익안사르 , 골자리안레자 , 귀벤크하지오스만 , 프뢸쓰율리안 , 로이니쎈레오나르두스
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/321
CPC分类号： C09G1/02 , C09G1/04 , C09K13/00 , H01L21/461
摘要： (i) 코발트및/또는 (ii) 코발트합금을포함하는기판 (S) 의화학기계적폴리싱을위한화학기계적폴리싱 (CMP) 조성물 (Q) 의사용으로서, 상기 CMP 조성물 (Q) 은, (A) 무기입자 (B) 일반식 (I) 의트리아진유도체로서,여기서 R, R, R, R, R및 R은서로독립적으로 H, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸, C-C-알킬카르복실산, 하이드록시메틸, 비닐또는알릴인, 상기트리아진유도체 (C) 적어도 1 종의아미노산 (D) 적어도 1 종의산화제 (E) 수성매질을포함하고, 상기 CMP 조성물 (Q) 은 7 내지 10 의 pH 를갖는, 화학기계적폴리싱 (CMP) 조성물 (Q) 의사용.
摘要翻译：（I）的钴和/或（ii）对基板（S）的药物化学机械抛光包括钴合金（Q），作为医生的化学机械抛光（CMP）组合物，该CMP组合物（Q）是，（A）无机粒子（B）通式（I）的三嗪衍生物，其中R，R，R，R，R和R eunseo独立为H，甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，CC-烷基羧酸，羟甲基，乙烯基或（C）的氨基酸种（d）至少一种三嗪衍生物的烯丙基的至少一种包含水性介质中的氧化剂（E），其中，所述CMP组合物（Q）为7〜10的pH的（Q）组合物用于化学机械抛光（CMP）组合物。

2. 发明公开

KR1020140060160A 혼합 기공 구조를 갖는 ＣＭＰ패드 有权
标题翻译：具有混合孔结构的CMP PAD及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140060160A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120126926
申请日：2012-11-09
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 김건 , 김성민 , 정재상 , 변재정 , 정헌경
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/461 , B24B37/24 , B24B37/26
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/30625 , H01L21/461
摘要： The present invention provides a CMP pad comprising a first pore formed inside the pad and the surface thereof and a second pore formed on the surface of the pad, wherein the first pore has a diameter of 20 to 200 μm and a porosity of 10 to 30%, and the second pore has a diameter of 250 to 500 μm and an area of 10 to 40% with respect to the total area of the CMP pad.
摘要翻译：本发明提供一种CMP垫，其包括形成在垫内表面的第一孔和形成在垫表面上的第二孔，其中第一孔的直径为20-200μm，孔隙率为10-30 ％，第二孔相对于CMP垫的总面积为250〜500μm，面积为10〜40％。

3. 发明公开

KR1020130008572A 동시 양면 웨이퍼 연삭기에서의 유체정역학적 패드 압력 조정 有权
标题翻译：同时双面砂轮砂浆中的静压垫压力调节
公开(公告)号：KR1020130008572A
公开(公告)日：2013-01-22
申请号：KR1020127025126
申请日：2011-03-18
申请人： 썬에디슨, 인크.
发明人： 바가바트,수미트에스. , 반다메,롤랜드알. , 고무라,도모미
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/461 , B24B37/04 , B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/00 , B24B9/14
CPC分类号： B24B9/148 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/28 , B24B49/00 , H01L21/78 , B24B1/00 , B24B7/17 , H01L21/304 , H01L21/461
摘要： 한 쌍의 연삭 휠을 갖는 양면 웨이퍼 연삭기에서 정역학적 압력을 조절하기 위한 시스템 및 방법이 개시된다. 이 시스템 및 방법은 연삭 휠들에 의해 유도되는 전류의 양을 측정하기 위해 프로세서를 이용한다. 패턴 검출 소프트웨어는 측정된 전류에 기초하여 연삭 스테이지를 예측하는데 이용된다. 정역학적 압력이 각 스테이지에서 유량 제어 밸브들에 의해 변경되어 웨이퍼에 가해지는 클램핑 압력을 변경함으로써 처리된 웨이퍼에서의 나노토폴로지를 향상시킨다.
摘要翻译：公开了用于调节具有一对砂轮的双面晶圆研磨机中的静水压力的系统和方法。系统和方法使用处理器来测量由砂轮吸取的电流量。模式检测软件用于基于测量的电流来预测磨削阶段。在每个阶段通过流量控制阀改变静水压力，以改变施加到晶片的夹紧压力，从而改善加工晶片中的纳米拓扑。

4. 发明授权

KR101176061B1 천판 및 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：顶板和等离子体加工设备
公开(公告)号：KR101176061B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020097004902
申请日：2008-08-20
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 티엔차이쫑 , 니시즈카테츠야 , 이시바시키요타카 , 노자와토시히사
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/511
CPC分类号： H01L21/461 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H05H1/46 , Y10T428/24273
摘要： 진공흡인 가능한 처리 용기의 천정부에 형성되어, 나란히 형성되는 평면 안테나 부재의 슬롯으로부터 방사(radiation)되는 마이크로파를 처리 용기 내로 투과 가능한 천판(top plate)으로서, 천판의 처리 용기 내를 향하는 면측에 방사상으로 형성된 복수의 돌기부를 구비하는 천판을 개시한다.
천판, 돌기부, 방사상

5. 发明公开

KR1020100047802A 반도체 웨이퍼 양면 연마 방법 有权
标题翻译：用于抛光半导体波形的两面的方法
公开(公告)号：KR1020100047802A
公开(公告)日：2010-05-10
申请号：KR1020090100171
申请日：2009-10-21
申请人： 실트로닉 아게
发明人： 슈반트너쥐르겐
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/461 , Y10T428/24355
摘要： PURPOSE: A method for polishing both sides of a semiconductor wafer is provided to improve flatness of a semiconductor wafer by improving a locally geometrical shape on an edge part. CONSTITUTION: The rear side of a semiconductor wafer is polished on a polishing pad including an abrasive fixed to a polishing pad by inputting a polishing agent solution without solid. The front side of the semiconductor wafer is stock-polished on the polishing pad including the abrasive fixed to the polishing pad by inputting the polishing agent solution without the solid. The micro roughness and the micro defect are removed from the front side of the semiconductor wafer by inputting an abrasive suspension including the abrasive. The front side of the semiconductor wafer is finish-polished by polishing the front side of the semiconductor wafer on the polishing pad without the abrasive fixed to the polishing pad by inputting the abrasive suspension.
摘要翻译：目的：提供一种用于抛光半导体晶片的两侧的方法，以通过改善边缘部分上的局部几何形状来改善半导体晶片的平坦度。构成：通过输入不含固体的抛光剂溶液，在包括固定在抛光垫上的研磨剂的抛光垫上抛光半导体晶片的背面。通过输入不含固体的抛光剂溶液，在包括研磨垫固定在研磨垫上的抛光垫上对半导体晶片的前侧进行抛光。通过输入包括研磨剂的研磨悬浮液，从半导体晶片的正面去除微观粗糙度和微观缺陷。通过在抛光垫上抛光半导体晶片的前侧而抛光半导体晶片的正面，而不需要通过输入研磨悬浮液将磨料固定在抛光垫上。

6. 发明公开

KR1020160111343A 전이 금속 칼코겐화합물 채널을 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有过渡金属二氯化碳通道的场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160111343A
公开(公告)日：2016-09-26
申请号：KR1020160031394
申请日：2016-03-16
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 예오이치아 , 썬유안첸 , 예링옌
IPC分类号： H01L29/49 , H01L29/772 , H01L21/02 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L21/8234
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02658 , H01L21/461 , H01L21/8256 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/785
摘要： 전이금속칼코겐화합물재료로형성되는트랜지스터가제공된다. 전이금속칼코겐화합물재료는직접성막프로세스를사용하여형성되고하나이상의핀으로패터닝된다. 하나이상의핀 위에게이트유전체및 게이트전극이형성된다. 대안으로서, 전이금속칼코겐화합물재료는, 비-전이금속칼코겐화합물재료의성막다음에전이금속칼코겐화합물재료를형성하기위한처리를사용하여형성될수 있다. 또한, 전이금속칼코겐화합물재료를이용한핀은, 기판에수직이거나또는기판에대해경사진측벽을갖도록형성될수 있다.
摘要翻译：提供了形成有过渡金属二硫属化物材料的晶体管。通过使用直接沉积工艺形成过渡金属二硫属元素材料，并将其图案化成一个或多个翅片。栅电介质和栅电极形成在一个或多个鳍上。或者，过渡金属二硫属化物材料可以通过使用非过渡金属二硫属化物材料的沉积形成，然后进行处理以形成过渡金属二硫属化物材料。另外，使用过渡金属二硫属化物材料的翅片可以形成有与基底垂直或倾斜于基底的侧壁。

7. 发明公开

KR1020160070183A 허브 암들이 장착된 화학 기계적 폴리셔 有权
标题翻译：化学机械抛光机与HUB ARMS安装
公开(公告)号：KR1020160070183A
公开(公告)日：2016-06-17
申请号：KR1020167012668
申请日：2014-10-08
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 주니가,스티븐,엠. , 첸,헝,치 , 구루사미,제이
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , B24B37/10 , B24B37/34 , H01L21/461
CPC分类号： B24B37/10 , B24B37/345 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/461
摘要： 화학기계적폴리싱시스템이제공된다. 화학기계적폴리싱시스템은플래튼, 로드컵, 허브, 허브로부터캔틸레버되고, 플래튼과로드컵 사이에서허브의중심선주위로회전가능한제1 폴리싱암, 및허브로부터캔틸레버되고, 플래튼과로드컵 사이에서허브의중심선주위로회전가능한제2 폴리싱암을포함하고, 제2 암은허브로부터독립적으로회전가능하다.

8. 发明公开

KR1020150146263A 에칭 페이스트 및 이를 이용한 투명전극의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：蚀刻膏和制造透明电极的方法
公开(公告)号：KR1020150146263A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140076601
申请日：2014-06-23
申请人： 주식회사 휘닉스소재
发明人： 김경진 , 김경수 , 유해근
IPC分类号： C09K13/04 , G06F3/041
CPC分类号： H01L51/442 , C09K13/04 , H01L21/461
摘要： 유기바인더 0.1 내지 2.5 중량%, 인산 30 내지 70 중량%, 충진제 1 내지 10 중량% 및용매잔부량을포함하는에칭페이스트, 그리고이를이용한투명전극의제조방법이제공된다.
摘要翻译：提供了包括0.1-2.5重量％的有机粘合剂，30-70重量％的磷酸，1-10重量％的填料和剩余的溶剂的蚀刻膏。此外，提供了通过使用该透明电极的透明电极的制造方法。根据实施例，环保蚀刻膏具有优异的蚀刻性能。

9. 发明授权

KR101442727B1 레이저 에칭을 이용한 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：用于形成由激光蚀刻使用的图案的甲基
公开(公告)号：KR101442727B1
公开(公告)日：2014-09-23
申请号：KR1020120014419
申请日：2012-02-13
申请人： 주식회사 잉크테크
发明人： 정광춘 , 이인숙 , 최정아
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/461
摘要： 본 발명은 다양한 레이저 파워를 이용하여, Index matching 특성이 뛰어난 전도성 금속와이어 투명전극 미세패턴 전극 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 (i) 다양한 기재 위에 균일한 전도성 금속 나노와이어 층을 형성하는 단계, (ii) 전도성 투명전극 위에 광학적으로 투명하고 절연성을 갖는 다양한 폴리머 층을 형성하는 단계 (ⅱi) 전도성막 표면에 레이저를 직접 조사하여 미세패턴 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 전도성 미세패턴 전극 제조방법은, 금속 나노와이어를 균일하게 배열하여, 저저항의 전도성층을 형성하고, 그 전도성 전극층 위에 절연 폴리머를 이용한 보호막을 형성시켜 전도성 전극 막을 보호하는 특징이 있다.
또한 레이저 파워를 변화시켜 전도성 미세패턴 전극 형성하는 이 기술을 이용하면, 투명전극의 고질적인 시인성 문제를 해결할 수 있고, 우수한 패턴 해상도와 미세선폭을 구현 할 수 있는 효과가 있다.

10. 发明公开

KR1020140060161A 분산된 기공 구조를 갖는 ＣＭＰ패드 및 그 제조방법 有权
标题翻译： CMP PAD具有良好的钻孔结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140060161A
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020120126927
申请日：2012-11-09
申请人： 주식회사 리온에스엠아이
发明人： 김건 , 김성민 , 정재상 , 변재정 , 정헌경
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/461 , B24B37/24 , B24B37/26
CPC分类号： H01L21/304 , B24B37/24 , B24B37/26 , H01L21/30625 , H01L21/461
摘要： Provided in the present invention is a manufacturing method for a CMP pad, which comprises as follows: a step of mixing urethane prepolymer with a hardener into a reactor; a step of stirring the urethane prepolymer and the hardener inside the reactor for a fixed period of time at an atmospheric pressure condition; and a step of hardening the mixture. In addition, the manufacturing method for a CMP pad is characterized by forming a pore with a diameter of 20-200 micrometers and a porosity of 10-30% in the mixture. Therefore, the chemical and mechanical grinding pad can regulate pore formation by stirring in the reactor inside a polymer matrix, can maximize the grinding efficiency and the flatness of a wafer through consistent pores on a high hardness pad, and can solve the problems of the current highly-integrated and subdivided process such as a defect, dishing, and a low grinding speed through stable pore formation.
摘要翻译：本发明提供了一种用于CMP垫的制造方法，其包括如下步骤：将氨基甲酸酯预聚物与硬化剂混合到反应器中; 在大气压条件下搅拌反应器内的氨基甲酸酯预聚物和固化剂一段固定时间的步骤; 和硬化混合物的步骤。此外，CMP垫的制造方法的特征在于在混合物中形成直径为20-200微米，孔隙率为10-30％的孔。因此，化学和机械研磨垫可以通过在聚合物基体内的反应器中搅拌来调节孔的形成，可以通过高硬度垫上的一致的孔最大化研磨效率和平坦度，并且可以解决电流的问题通过稳定的孔形成，高度集成和细分的工艺，如缺陷，凹陷和低磨削速度。

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